基本放大電路的工作狀態(tài)(一)

昨天，在進(jìn)行BJT特性測(cè)試時(shí)，得到了它的輸出特性曲線圖，如果翻開教材，基本上講到三極管的內(nèi)容都會(huì)有這個(gè)輸出特性曲線圖，它對(duì)于三極管，或者更確切點(diǎn)說，對(duì)于...

2023-06-01 標(biāo)簽：三極管放大電路BJT 7823 1

MOS的電流方向是唯一的嗎？

在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng)，但實(shí)際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒有。

2023-06-20 標(biāo)簽：MOS管NMOSBJT 7672 0

共射放大電路的交流分析

比起共基放大電路，共射放大電路稍微要復(fù)雜一些，有若干種偏置形式，但萬變不離其宗，分析的基本原理都是一致的，本小節(jié)我們對(duì)三種典型的共射偏置形式進(jìn)行交流分析...

2023-02-13 標(biāo)簽：放大電路晶體管BJT 7116 0

FET與BJT的比較 FET的分類介紹

　　FET的全稱是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，F(xiàn)ET的核心工作原理是：通過在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場(chǎng)來改變...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET晶體管FET 7060 0

數(shù)字電路知識(shí)點(diǎn)整理

編碼是各種集合的元素映射到字符串的過程 。數(shù)字電路中的數(shù)字表示就是一串用已約定好的表示的 0 和 1 的組合。

2023-06-06 標(biāo)簽：編碼器MOS管BJT 6829 0

深度剖析BJT晶體管的工作區(qū)域

晶體管是一種流行的三端半導(dǎo)體器件，用于開關(guān)和放大應(yīng)用。我們今天使用的現(xiàn)代電子產(chǎn)品之所以成為可能，是因?yàn)榫w管在大幅減小電路板尺寸方面發(fā)揮了巨大作用。

2023-05-11 標(biāo)簽：晶體管BJT半導(dǎo)體器件 6812 0

電力晶體管GTR的工作原理及開關(guān)特性詳解

電力晶體管（Giant Transistor—GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—...

2024-03-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路BJTGTR 6521 0

場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基本放大電路分析

FET是Field effect transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種，也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它...

2023-05-25 標(biāo)簽：放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 6431 0

晶體管收音機(jī)電路原理圖講解

晶體管收音機(jī)是一種簡(jiǎn)單而有趣的技術(shù)小玩意，它改變了我們聽音樂的方式。為了放大微弱的無線電信號(hào)并將其作為可聽聲音傳輸，它使用單個(gè)晶體管。本文將解釋單晶體管...

2023-08-01 標(biāo)簽：原理圖收音機(jī)電路原理圖 6048 0

全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)

IGBT 有三個(gè)端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

2023-09-19 標(biāo)簽：電子元器件MOS管IGBT 5882 0

什么是負(fù)電壓？負(fù)電壓是如何產(chǎn)生的？

負(fù)電壓的概念有時(shí)不如正電壓的概念直觀，也許這是因?yàn)樵S多低壓電子系統(tǒng)不使用負(fù)電壓電源緣故，或者是因?yàn)椤柏?fù)”電壓意味著電源具有“小于零”的能力來驅(qū)動(dòng)電流通過...

2023-08-14 標(biāo)簽：原理圖負(fù)電壓音頻放大器 5852 0

FET和BJT放大電路的比較分析

FET和BJT都有兩個(gè)PN結(jié)，3個(gè)電極。 有如下的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

2023-02-21 標(biāo)簽：放大電路MOS管FET 5478 0

三極管等效電路分析

我們知道，三極管有它的等效電路，那么，這個(gè)等效電路是如何推導(dǎo)的呢？

2023-02-22 標(biāo)簽：三極管電路分析晶體管 5394 0

絕緣柵雙極晶體管知識(shí)：IGBT對(duì)比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢(shì)

由于電導(dǎo)率調(diào)制，它具有非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降，并具有出色的導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。因此，較小的芯片尺寸是可能的，并且可以降低成本。

2021-05-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源PWM 5258 0

基本放大電路的靜態(tài)分析

電子學(xué)中的放大是指把微弱變化的信號(hào)“放大”為較大變化的信號(hào)，放大電路的核心元件是晶體三極管（BJT）或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），我會(huì)在后續(xù)內(nèi)容中說明兩種元件的區(qū)別。

2023-06-01 標(biāo)簽：三極管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 4875 0

什么是IGBT？IGBT的等效結(jié)構(gòu)/工作原理/類型/特性

晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件，邏輯電路用于開關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型，它們每個(gè)都有自己的優(yōu)勢(shì)和一些限制。IGBT(絕緣柵...

2023-12-22 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 4794 0