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標(biāo)簽 > bjt
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2023-11-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源控制電路BJT 647 0
為什么用PTAT電流來偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT?
公式表明Vt與絕對溫度T成正比(PTAT)。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來偏置亞閾值區(qū)的MOS管,可以消除Vt對gm的影響。
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶...
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于...
絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識其原理及其應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
正溫度系數(shù)電壓的推導(dǎo)依賴BJT集電極電流 和 電壓公式,這里把公式重寫如下: 假設(shè)兩個同樣的BJT,偏置電流分別為 和 ,那么,兩個BJT的 ...
2023-08-21 標(biāo)簽:BJT半導(dǎo)體器件集電極電流 864 0
什么是負(fù)電壓?負(fù)電壓是如何產(chǎn)生的?
負(fù)電壓的概念有時不如正電壓的概念直觀,也許這是因為許多低壓電子系統(tǒng)不使用負(fù)電壓電源緣故,或者是因為“負(fù)”電壓意味著電源具有“小于零”的能力來驅(qū)動電流通過...
晶體管是一種有源元件,遍布電子電路。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高電平和低電平、頻率級、振蕩器、調(diào)制器、檢測器以及任何需要執(zhí)行功能的電...
三極管的工作狀態(tài)、主要參數(shù)及電路應(yīng)用
三極管(BJT)是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,由兩個PN結(jié)組成,兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。
在本節(jié)中,我們將分析BJT共基構(gòu)型,了解其驅(qū)動點特性、反向飽和電流、基極至發(fā)射極電壓,并通過實際求解示例評估參數(shù)。在后面的部分中,我們還將分析如何配置共...
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