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標(biāo)簽 > bjt
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采用高速ADC的單事件效應(yīng)(SEE):單事件閂鎖(SEL)
在 SEL 測試期間,設(shè)備外殼溫度設(shè)置為 125oC和電源電流被監(jiān)控,以觀察是否有任何閂鎖。測試運行到80 MeV-cm等能量水平2/毫克,流度為107...
達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接,使用一對雙極晶體管結(jié)型晶體管(BJT),設(shè)計用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 標(biāo)簽:BJT達(dá)林頓晶體管晶體管電路 1476 0
如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動器電路設(shè)計?
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸...
大電流單通道柵極驅(qū)動器NCD(V)5700x使用外部BJT緩沖器實現(xiàn)軟關(guān)斷(STO)
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 上篇 中我們介紹了NCD(V)5700x...
如果您正在設(shè)計電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,以往您可能會使用如雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 等多個分立式元件來實現(xiàn)電機(jī)控制。盡管這種方法通常成本更低,但使用的元件總數(shù)更多...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效...
電動機(jī)的功率,應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)機(jī)械所需要的功率來選擇,盡量使電動機(jī)在額定負(fù)載下運行。選擇時應(yīng)注意以下兩點。
2023-06-08 標(biāo)簽:變頻調(diào)速變頻器晶體管 890 0
設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)
我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù),還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更...
如何實現(xiàn)晶體管用作開關(guān)應(yīng)用
雖然晶體管(BJT)通常用于制造放大器電路,但它們也可以有效地用于開關(guān)應(yīng)用。
2023-06-03 標(biāo)簽:晶體管BJT開關(guān)應(yīng)用 2398 0
晶體管是一種非常重要的電子元件,它是電子器件中最基本的元件之一,也是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心之一。晶體管的出現(xiàn),使得電子器件的體積減小、功耗降低、速度提高,進(jìn)...
昨天,主要介紹了基本放大電路的飽和工作狀態(tài)。我們看到,飽和狀態(tài)時,BJT的B-E、C-E間近似短路(忽略二極管導(dǎo)通壓降),在后續(xù)的學(xué)習(xí)中,我們會看到這個...
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