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標(biāo)簽 > DRAM芯片
DRAM芯片即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間,所以需要定時(shí)刷新。DRAM相對(duì)于SRAM來(lái)說(shuō)更加復(fù)雜,因?yàn)樵贒RAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新,這也是它們之間最大的不同。
DRAM芯片即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間,所以需要定時(shí)刷新。DRAM相對(duì)于SRAM來(lái)說(shuō)更加復(fù)雜,因?yàn)樵贒RAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新,這也是它們之間最大的不同。
DRAM 分為很多種,常見(jiàn)的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等,這里介紹其中的一種 DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱(chēng)作 DDR SDRAM,這種改進(jìn)型的 RAM 和 SDRAM 是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。
如果內(nèi)存是一個(gè)巨大的矩陣,那么DRAM芯片就是這個(gè)矩陣的實(shí)體化。如下圖所示,一個(gè)DRAM芯片包含了8個(gè)array,每個(gè)array擁有1024行和256列...
DRAM芯片全稱(chēng)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM),與CPU直接交換數(shù)據(jù),可隨時(shí)讀寫(xiě)且速度快,斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失,是易失性存儲(chǔ)器,也就是俗稱(chēng)的...
如何利用FIB和SEM中的有源和無(wú)源電位襯度進(jìn)行失效定位呢?
無(wú)源電位襯度(Passive Voltage Contrast,PVC)定位基于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異,可用于半導(dǎo)體電路的失效定位。
晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展研究
在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初,晶圓背面是個(gè)麻煩問(wèn)題。當(dāng)時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事:在晶圓傳送的過(guò)程中,幾片晶圓從機(jī)器人刀片上飛了出來(lái)。
聊聊如何實(shí)現(xiàn)一種閃存緩存設(shè)計(jì)
許多web服務(wù)需要對(duì)數(shù)十億個(gè)小對(duì)象實(shí)現(xiàn)快速訪(fǎng)問(wèn),而每個(gè)小對(duì)象只有幾百個(gè)字節(jié)。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)同時(shí)考慮實(shí)際生產(chǎn)效益,緩存系統(tǒng)必須做到同時(shí)低成本,大容量與高性能。
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DRAM芯片NVM 776 0
網(wǎng)絡(luò)服務(wù)幾乎在系統(tǒng)架構(gòu)的每一層都依賴(lài)于緩存。大型網(wǎng)絡(luò)服務(wù)依靠緩存系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能和高效率。例如,在Facebook,CDN緩存為70%的網(wǎng)絡(luò)請(qǐng)求提供服務(wù)...
2023-07-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DRAM芯片緩存器 1388 0
半導(dǎo)體后端工藝:了解半導(dǎo)體測(cè)試(下)
晶圓測(cè)試的對(duì)象是晶圓,而晶圓由許多芯片組成,測(cè)試的目的便是檢驗(yàn)這些芯片的特性和品質(zhì)。為此,晶圓測(cè)試需要連接測(cè)試機(jī)和芯片,并向芯片施加電流和信號(hào)。
半導(dǎo)體前端工藝:金屬布線(xiàn)—為半導(dǎo)體注入生命的連接
生成接觸孔后,下一步就是連接導(dǎo)線(xiàn)。在半導(dǎo)體制程中,連接導(dǎo)線(xiàn)的過(guò)程與一般電線(xiàn)的生產(chǎn)過(guò)程非常相似,即先制作線(xiàn)的外皮。在一般的電路連接中,直接采用成品電線(xiàn)即可...
美光科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存
2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨...
SK海力士:預(yù)計(jì)其HBM銷(xiāo)售額今年有望超過(guò)20億美元!
SK海力士最近透露,預(yù)計(jì)其HBM銷(xiāo)售額今年將“占其DRAM芯片銷(xiāo)售額的兩位數(shù)百分比”。
中微公司喜迎ICP刻蝕設(shè)備Primo nanova?系列第500臺(tái)付運(yùn)里程碑
中微公司的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備Primo nanova系列第500臺(tái)反應(yīng)腔順利付運(yùn)國(guó)內(nèi)一家先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片制造商。
美光計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
3 月 5 日消息,美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹在將...
羅徹斯特電子提供一種SLC和eMMC NAND存儲(chǔ)解決方案
羅徹斯特電子為停產(chǎn)和已停產(chǎn)(EOL)元器件提供授權(quán)供貨渠道和許可生產(chǎn)再制造解決方案,滿(mǎn)足各個(gè)行業(yè)不同系統(tǒng)的需求。
這類(lèi)芯片,將引領(lǐng)半導(dǎo)體復(fù)蘇
2024年預(yù)計(jì)島內(nèi)外半導(dǎo)體業(yè)景氣將可擺脫2023年衰退的態(tài)勢(shì),而在年初之際,部分產(chǎn)品尚處于庫(kù)存調(diào)整的尾聲
2024-01-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM芯片Nand flash 952 0
芯片行情不行?三星和SK海力士將投資4710億美元建設(shè)16座芯片廠(chǎng)
芯片行情不行?可能是你不行!據(jù)韓國(guó)產(chǎn)業(yè)部聲明,韓國(guó)計(jì)劃要在首爾附近建設(shè)世界上最大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,到2047年將投資總計(jì)622萬(wàn)億韓元,建立16座芯片工廠(chǎng)。
三星2023年?duì)I業(yè)利潤(rùn)同比暴跌84.92%!
1月9日消息,據(jù)外媒報(bào)道,三星今天發(fā)布的初步核實(shí)數(shù)據(jù)顯示,其2023年?duì)I業(yè)利潤(rùn)同比暴跌84.92%!
存儲(chǔ)巨頭或再度減產(chǎn) 目標(biāo)年底庫(kù)存降至健康水位
DDR4是較為常見(jiàn)、主流的DRAM產(chǎn)品。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)9月13日的報(bào)告指出,本周低價(jià)位DRAM芯片的現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始上升,整體DRAM現(xiàn)貨價(jià)格有所企穩(wěn),現(xiàn)...
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