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      標(biāo)簽　>　DRAM芯片

      DRAM芯片

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      DRAM芯片即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，所以需要定時(shí)刷新。DRAM相對(duì)于SRAM來說更加復(fù)雜，因?yàn)樵贒RAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這也是它們之間最大的不同。

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      DRAM芯片簡介

      　　DRAM芯片即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，所以需要定時(shí)刷新。DRAM相對(duì)于SRAM來說更加復(fù)雜，因?yàn)樵贒RAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這也是它們之間最大的不同。

      　　DRAM 分為很多種，常見的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等，這里介紹其中的一種 DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作 DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的 RAM 和 SDRAM 是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。

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      dram芯片知識(shí)

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      dram芯片技術(shù)

      低電壓差分信號(hào)(LVDS)是什么？有哪些優(yōu)勢(shì)

      低電壓差分信號(hào)(LVDS)是什么？有哪些優(yōu)勢(shì)

      隨著數(shù)據(jù)傳輸速率越來越高，現(xiàn)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)傳輸接口基本上都串行化了，像USB、PCIe、SATA、DP等等外部總線將并行總線擠壓到只剩下內(nèi)存總線這...

      2022-08-24 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸lvdsDRAM芯片 1.0萬 0

      半導(dǎo)體之選擇性外延工藝介紹

      通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(SEG)。

      2022-09-30 標(biāo)簽：電容器DRAM芯片PMOS 8620 0

      淺談存儲(chǔ)芯片的分類

      淺談存儲(chǔ)芯片的分類

      DRAM芯片全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），與CPU直接交換數(shù)據(jù)，可隨時(shí)讀寫且速度快，斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失，是易失性存儲(chǔ)器，也就是俗稱的...

      2023-12-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器cpuDRAM芯片 6697 0

      內(nèi)存是怎么映射到物理地址空間的？內(nèi)存是連續(xù)分布的嗎？

      內(nèi)存是怎么映射到物理地址空間的？內(nèi)存是連續(xù)分布的嗎？

      如果我們將兩個(gè)4G內(nèi)存插入內(nèi)存插槽，得到的內(nèi)存地址空間是0到8G嗎？是不是0到4G是第一根內(nèi)存，4到8G是第二根內(nèi)存呢？實(shí)際情況相差甚遠(yuǎn)，內(nèi)存在物理地址...

      2023-06-30 標(biāo)簽：寄存器Linux系統(tǒng)DRAM芯片 3652 0

      如何利用FIB和SEM中的有源和無源電位襯度進(jìn)行失效定位呢？

      如何利用FIB和SEM中的有源和無源電位襯度進(jìn)行失效定位呢？

      無源電位襯度（Passive Voltage Contrast，PVC）定位基于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異，可用于半導(dǎo)體電路的失效定位。

      2023-12-01 標(biāo)簽：電容器探測(cè)器PVC 3402 0

      堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝介紹

      堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝介紹

      在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。

      2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM芯片CMP 3328 0

      Xilinx分布式RAM和塊RAM—單口、雙口、簡單雙口、真雙口的區(qū)別

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      單口 RAM（Single RAM）、雙口 RAM（Dual RAM）、簡單雙口 RAM（Simple-Dual RAM）、真雙口 RAM（True-D...

      2023-06-25 標(biāo)簽：控制器存儲(chǔ)器RAM 3308 0

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      生成接觸孔后，下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中，連接導(dǎo)線的過程與一般電線的生產(chǎn)過程非常相似，即先制作線的外皮。在一般的電路連接中，直接采用成品電線即可...

      2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體TSMC晶體管 3292 0

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      在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究...

      2023-07-21 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶圓 3042 0

      倚天710性能監(jiān)控—DDR PMU子系統(tǒng)

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      倚天710支持支持最先進(jìn)的DDR5 DRAM，為云計(jì)算和HPC提供巨大的內(nèi)存帶寬。

      2023-05-30 標(biāo)簽：計(jì)數(shù)器DRAM芯片HPC 3013 0

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      dram芯片資訊

      避免被封殺！合肥長鑫重新設(shè)計(jì)DRAM芯片！

      日前，據(jù)消息人士稱，合肥長鑫存儲(chǔ)為減少美國制裁威脅，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。

      2019-06-14 標(biāo)簽：晶圓DRAM芯片合肥長鑫 1.9萬 0

      美光訴福建晉華案件有了最新的進(jìn)展

      美光訴福建晉華案件有了最新的進(jìn)展

      美光科技隨后表示會(huì)提起上訴，認(rèn)為訴訟所涉每項(xiàng)專利都已經(jīng)獲得授權(quán)，福建晉華和聯(lián)華電子提出的訴訟完全不實(shí)?！爸袊辉購?qiáng)調(diào)，外國企業(yè)在中國的權(quán)利將受到公平...

      2019-01-21 標(biāo)簽：集成電路美光DRAM芯片 1.3萬 0

      2021年中國芯片最新消息

      　2021年中國芯片最新消息：我國目前對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求最大，在過去三年中，我國DRAM芯片呈下降趨勢(shì)，模擬電路、Nand Flash和MCU的份額呈現(xiàn)波...

      2021-12-08 標(biāo)簽：芯片模擬電路DRAM芯片 1.2萬 0

      中國崛起！中國首個(gè)自主研發(fā)的 DRAM芯片有望于2018年底在合肥誕生

      中國崛起！中國首個(gè)自主研發(fā)的 DRAM芯片有望于2018年底在合肥誕生

      據(jù)消息稱，在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲(chǔ)器...

      2018-04-29 標(biāo)簽：dram芯片 8395 0

      紫光國芯預(yù)告第四代DRAM芯片2018年上市,北方華創(chuàng)14nm制程正在進(jìn)行中

      紫光國芯目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期，對(duì)全年業(yè)績估計(jì)相對(duì)樂觀，公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場，營業(yè)收入穩(wěn)定增長。據(jù)悉，第四代DRAM芯片還在研發(fā)過程中，紫光國...

      2017-11-23 標(biāo)簽：dram芯片紫光國芯北方華創(chuàng) 6939 0

      紫光集團(tuán)收購武漢新芯，下個(gè)目標(biāo)還是美光？

      據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，清華紫光集團(tuán)將收購武漢新芯的大部分股權(quán)，新武漢新芯將改名長江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（Yangtze River Storage Tech...

      2016-07-27 標(biāo)簽：美光DRAM芯片NAND Flash 6620 0

      Yole：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2018年將成長40%，總值達(dá)1770億美元

      2017年的半導(dǎo)體成長由儲(chǔ)存元件帶動(dòng)，營收達(dá)到1260億美元，較2016年同期成長了60%以上。產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement（Yol...

      2018-07-10 標(biāo)簽：三星電子DRAM芯片存儲(chǔ)芯片 6607 0

      全球最大市場 是時(shí)候出現(xiàn)好的國產(chǎn)存儲(chǔ)了

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）從去年第三季度開始，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連瀕臨供應(yīng)鏈斷裂與缺貨的問題，需求持續(xù)增加，這同樣影響到了存儲(chǔ)市場。存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱...

      2021-10-12 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)器DRAM芯片 4996 0

      日本限制原材料出口_DRAM芯片受影響價(jià)格上漲15%

      日本限制原材料出口_DRAM芯片受影響價(jià)格上漲15%

      從7月4日開始，日本政府正式執(zhí)行針對(duì)韓國的“限售令”，即將限制向韓國出口氟聚酰亞胺、光刻膠和高純度氟化氫三種材料。而這三種材料又是OLED屏及芯片制造所...

      2019-07-21 標(biāo)簽：DRAM芯片原材料 4948 0

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      dram芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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