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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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來(lái)源: thelec 三星已經(jīng)開(kāi)始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱(chēng),這家韓國(guó)科技巨頭試圖將 LPDDR 的集成...
SK 海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén),任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官
據(jù) Businesses Korea 報(bào)道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...
2024年第三季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)13.6%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日發(fā)布了最新的研究報(bào)告,揭示了2024年第三季度全球DRAM市場(chǎng)的表現(xiàn)。盡管面臨多重挑戰(zhàn),該季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收仍實(shí)現(xiàn)...
華邦電子成功舉辦三場(chǎng)聯(lián)合技術(shù)論壇
上周,華邦電子在滬深兩地舉辦了三場(chǎng)聯(lián)合技術(shù)論壇,每場(chǎng)活動(dòng)座無(wú)虛席,技術(shù)工程師們齊聚一堂與講師共同探討從汽車(chē)電子、工業(yè)應(yīng)用到聯(lián)網(wǎng)通訊與計(jì)算機(jī),再到消費(fèi)電子...
HBM 對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...
三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整:將同時(shí)生產(chǎn)DRAM和NAND Flash
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子已決定調(diào)整其平澤園區(qū)P4產(chǎn)線第一期的產(chǎn)能分配,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的快速變化。這一決策標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重要調(diào)整。
北京君正預(yù)計(jì)年底推出21nm DRAM產(chǎn)品
近日,在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí),北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)公司介紹,目前各類(lèi)DRAM產(chǎn)品,包括DDR2、DDR3、LPDDR4等,均有新品在研發(fā)...
預(yù)計(jì)2025年DRAM產(chǎn)業(yè)將年增25%
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的報(bào)告,DRAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了2024年前三季度的庫(kù)存消化和價(jià)格回升后,其價(jià)格動(dòng)能在第四季度出現(xiàn)了明顯...
2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長(zhǎng)極但供應(yīng)緊張
經(jīng)歷2024年前三個(gè)季度的庫(kù)存消化和價(jià)格回升后,DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價(jià)格動(dòng)能開(kāi)始減弱。TrendForce集邦咨詢(xún)的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...
三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片
全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片,旨在把握人工智能(AI)浪潮帶來(lái)的存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)...
FormFactor發(fā)布2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高
FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示,F(xiàn)ormFactor在該季度的收入達(dá)到了...
2024-11-01 標(biāo)簽:DRAMFormFactorDDR5 679 0
隨著人工智能(AI)技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從云服務(wù)器到消費(fèi)設(shè)備,AI需求正呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。美光科技,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,已積極應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì)。
存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價(jià)格承壓
從需求端審視,通貨膨脹的壓力以及AI個(gè)人電腦應(yīng)用場(chǎng)景的匱乏,共同制約了大規(guī)模升級(jí)周期的到來(lái)。在供應(yīng)端,主要制造商在第三季度全面恢復(fù)了滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn),而其他供...
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路
近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱(chēng)這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉...
三星推出業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片
三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達(dá)42.5Gbps,專(zhuān)為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星介紹,得...
三星或重新設(shè)計(jì)1a DRAM以提升HBM質(zhì)量
三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問(wèn)題,該公司在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,...
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破:成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平,更在速度上實(shí)現(xiàn)了...
預(yù)計(jì)第四季度DRAM市場(chǎng)僅HBM價(jià)格上漲
據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce預(yù)測(cè),2024年第四季度DRAM市場(chǎng)將呈現(xiàn)出一絲暖意,但僅限于高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)HBM價(jià)格將實(shí)現(xiàn)環(huán)比上漲...
近期,DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,...
北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出,三大存儲(chǔ)類(lèi)芯片持續(xù)研發(fā),待行業(yè)市場(chǎng)復(fù)蘇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2024年上半年,北京君正實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 210,684.96萬(wàn)元,同比下降5.15%,實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn) 19...
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