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標簽 > emram
eMRAM 技術(shù)是自旋電子學(xué)(Spintronics,2007 年諾貝爾物理學(xué)獎)發(fā)展的重要產(chǎn)物。eMRAM 是利用電子的自旋特性實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲,其核心存儲器件為磁性隧道結(jié) MTJ。
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格芯宣布eMRAM已投入生產(chǎn),為何晶圓代工廠都在研究eMRAM?
格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶,計劃2020年安...
不同于傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲器如DRAM、SRAM 和 NAND 閃存等利用電子的電荷特性進行數(shù)據(jù)存儲,eMRAM的技術(shù)原理是利用電子的自旋特性實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲,其...
格芯計劃今年實現(xiàn)eMRAM多重下線生產(chǎn) 將證明其經(jīng)濟實用性
格芯(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平臺上的嵌入式磁隨機存取存儲器(eMRAM)已正式投入生產(chǎn)。同時格芯正與多家...
eMRAM屬于新型存儲技術(shù),同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
GLOBALFOUNDRIES為存儲器技術(shù)設(shè)置了新的標準
無論是筆記本電腦的固態(tài)硬盤、物聯(lián)網(wǎng)/汽車硬件、基于邊緣的人工智能還是嵌入式非易失性內(nèi)存(eNVM),它們都是這些應(yīng)用程序和許多其他應(yīng)用程序的關(guān)鍵構(gòu)件。
三星宣布開發(fā)業(yè)界首款車用級5nm eMRAM
三星在會上表示,作為新一代汽車技術(shù),正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止,用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價證券組合,2年后升級為...
2023-10-23 標簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)eMRAM三星 853 0
簡單介紹GlobalFoundrieS生產(chǎn)eMRAM的解決方案
GlobalFoundries(格羅方德半導(dǎo)體有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平臺上為物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用交付了首個可投入生產(chǎn)的eMRAM。并表示其...
三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會”上宣布,其正按計劃穩(wěn)步進行eMRAM(嵌入式磁性隨機存取內(nèi)存)的制程升級工作。據(jù)悉,目前8nm eMRA...
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