數(shù)據(jù)中心能夠完全滿足AI規(guī)模應(yīng)用的要求呢？

數(shù)智時代的最大特點，就是AI人工智能的廣泛應(yīng)用。

2024-01-25 標(biāo)簽：SSD人工智能SCM 1902 0

堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析

在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。

2023-09-08 標(biāo)簽：電容DRAM存儲器 2733 0

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。

2023-09-01 標(biāo)簽：存儲器內(nèi)存芯片DRAM控制器 7460 0

如何簡化光刻膠圖形化過程呢？

摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同，還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關(guān)，舉個例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩(wěn)定。

2023-08-27 標(biāo)簽：接觸器CMP光刻機(jī) 1053 0

ICT技術(shù)高k金屬柵(HKMG)的工藝過程簡析

下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設(shè)計的區(qū)域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對＜111＞晶體硅具有高的選擇性。

2023-08-25 標(biāo)簽：控制器CMPICT技術(shù) 5010 0

具有銅互連的IC芯片設(shè)計

銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過深入的研究和開發(fā)后，具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。

2023-08-18 標(biāo)簽：CMOSIC芯片碳化硅 1349 0

半導(dǎo)體之ICT技術(shù)先通孔的過程詳解

對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。

2023-08-14 標(biāo)簽：CMP光刻膠ICT技術(shù) 2079 0

半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)介紹（四）

所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓，一片晶圓通過高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層，另一片晶圓在硅表面生長二氧化硅層(見下圖)。

2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體CMP 1815 0

華為參展第十四屆交博會，數(shù)智賦能交通管理提質(zhì)增效

2024年4月10日至12日，由中國道路交通安全協(xié)會主辦的第十四屆中國國際道路交通安全產(chǎn)品博覽會（以下簡稱“交博會”）在廈門國際會展中心舉辦。

2024-04-16 標(biāo)簽：電動車華為一體機(jī) 612 0

中軟國際教育攜多個解決方案亮相華為中國合作伙伴大會并獲得獎項

3月14日-15日，華為中國合作伙伴大會2024在深圳國際會展中心召開。本次大會以“因聚而生 數(shù)智有為”為主題，旨在攜手千萬伙伴共同實現(xiàn)“伙伴+華為”體...

2024-03-21 標(biāo)簽：華為中軟國際ICT技術(shù) 555 0

YB時代，正尋找新的數(shù)據(jù)支點

YB時代，數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)走向何方？

2023-05-26 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)華為存儲 851 0