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ict技術(shù)技術(shù)

數(shù)據(jù)中心能夠完全滿足AI規(guī)模應(yīng)用的要求呢？

數(shù)智時代的最大特點，就是AI人工智能的廣泛應(yīng)用。

2024-01-25 標簽：SSD 人工智能 SCM 1905 0

堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析

在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。

2023-09-08 標簽：電容 DRAM 存儲器 2736 0

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。

2023-09-01 標簽：存儲器內(nèi)存芯片 DRAM控制器 7463 0

如何簡化光刻膠圖形化過程呢？

摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同，還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關(guān)，舉個例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩(wěn)定。

2023-08-27 標簽：接觸器 CMP 光刻機 1054 0

ICT技術(shù)高k金屬柵(HKMG)的工藝過程簡析

下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設(shè)計的區(qū)域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對＜111＞晶體硅具有高的選擇性。

2023-08-25 標簽：控制器 CMP ICT技術(shù) 5011 0

具有銅互連的IC芯片設(shè)計

銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過深入的研究和開發(fā)后，具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。

2023-08-18 標簽：CMOS IC芯片碳化硅 1349 0

半導(dǎo)體之ICT技術(shù)先通孔的過程詳解

對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。

2023-08-14 標簽：CMP 光刻膠 ICT技術(shù) 2079 0

半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)介紹（四）

所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓，一片晶圓通過高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層，另一片晶圓在硅表面生長二氧化硅層(見下圖)。

2023-08-04 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體 CMP 1815 0

半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)簡介

有兩個因素影響CMOS集成電路的速度，即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關(guān)的時間;互連延遲由芯片設(shè)計、工藝技術(shù)，以及互連的導(dǎo)體和電介質(zhì)材料決定。

2023-07-31 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體芯片設(shè)計 1312 0

華為配電自動化解決方案，為智能電網(wǎng)的發(fā)展提供了新思路

華為配電自動化解決方案利用先進的xPON、LTE等ICT技術(shù)，為智能電網(wǎng)時代的配電自動化發(fā)展提供了新的思路。

2018-09-10 標簽：智能電網(wǎng)xpon ict技術(shù) 8897 0

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