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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了...
2025-01-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 981 0
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(2)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
IGBT模塊三電平電路故障時(shí)的關(guān)管順序
在1字形二極管鉗位三電平電路中,當(dāng)發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí),傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是,檢測(cè)到故障的驅(qū)動(dòng)器把故障信息傳遞給控制器,然后控制器先把外管關(guān)斷...
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 Press...
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(1)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
其利天下技術(shù)·mos管和IGBT有什么區(qū)別
MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和IGBT(Insulated-GateBip...
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...
IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義: 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù); 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能; 3.獲取IGB...
電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 520 0
柵極驅(qū)動(dòng)DCDC電源模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,高效能與高安全性是設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。而功率半導(dǎo)體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統(tǒng)的效率...
2025-01-09 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 557 0
碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動(dòng)汽車大規(guī)模普及的早期階段以來(lái),碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動(dòng)汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國(guó)內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布,歐...
本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子裝置中的核心器件,其性能的穩(wěn)定性和可靠性對(duì)...
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù),如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開關(guān)損耗等; 2...
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)
今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易R(shí)yan對(duì)模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享,有興趣的朋...
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦:功率轉(zhuǎn)換的控制樞紐
IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能,在變頻器、電動(dòng)汽車、...
2024-12-26 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換IGBT光耦 304 0
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