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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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通過(guò)以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測(cè)量值來(lái)計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間,需要進(jìn)行最壞情況下的測(cè)量來(lái)驗(yàn)算死區(qū)時(shí)間的計(jì)算值是否足夠。
2024-12-16 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器IGBT 578 0
IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于其節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱...
電磁爐作為利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象來(lái)工作的烹飪廚具,無(wú)需明火加熱,因此高效又節(jié)能。目前,其發(fā)展趨勢(shì)以及市場(chǎng)前景十分樂(lè)觀,但想要在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中占有更大的份額,...
2024-12-12 標(biāo)簽:mcu轉(zhuǎn)換器東芝 509 0
硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件知識(shí)
本文介紹了硬件工程師入門(mén)的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開(kāi)關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
各種拓?fù)鋵?duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求各不相同,比如: 兩電平拓?fù)渫ǔR蠖搪繁Wo(hù)和過(guò)壓保護(hù)即可。常用的短路保護(hù)方法又叫VCEsat或退保護(hù)監(jiān)控;過(guò)壓保護(hù)一般采...
2024-12-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 398 0
所謂分立器件,顧名思義就是由單個(gè)電子器件組成的電路元器件,它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品,作用包括整流、開(kāi)關(guān)、小信號(hào)放...
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝介紹
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝是一個(gè)專(zhuān)業(yè)性很強(qiáng)的領(lǐng)域,涉及到材料的選擇、配比、混合、脫泡、灌封、固化等多個(gè)步驟。
全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型,尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無(wú)論是乘用車(chē)還是商用/農(nóng)業(yè)車(chē)輛(CAV),都在轉(zhuǎn)向電動(dòng)驅(qū)動(dòng)。國(guó)際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了...
結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過(guò)熱,可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引...
高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
計(jì)算IGBT模塊死區(qū)時(shí)間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來(lái)越廣泛。為了確保可靠地使用IGBT,必須避免出現(xiàn)橋臂直通現(xiàn)象。橋...
2024-11-08 標(biāo)簽:IGBT 1261 0
車(chē)載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的一個(gè)重要問(wèn)題。它們將來(lái)自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電,從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)充電。隨著每年上市的...
2024-11-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT碳化硅 465 0
浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開(kāi)發(fā)及寬禁帶材...
如何設(shè)計(jì) IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動(dòng)電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計(jì)IGBT或SiCFET橋接電路時(shí),門(mén)驅(qū)動(dòng)電路的正確設(shè)計(jì)與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對(duì)環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動(dòng)出行等趨勢(shì)背后...
2024-11-05 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路SiC 338 0
探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管
在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時(shí)代,電力電子技術(shù)正扮演著越來(lái)越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性,成為了眾多工程師和設(shè)計(jì)師們關(guān)注的焦點(diǎn)。而特瑞諾(trin...
本文對(duì)IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果,首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素,如芯片、單管及模塊等方面的知識(shí)。接下來(lái)將共同關(guān)注的是IGBT...
2024-10-29 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 491 0
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