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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,如變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力傳輸?shù)?。在這些應(yīng)用中,IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性至關(guān)重要,而退飽和現(xiàn)象...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)過(guò)程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件,其散熱問(wèn)題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問(wèn)題的詳...
IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析
在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場(chǎng)合,主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流下降率較高,即存在較高的d...
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transisto...
2024-07-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 2366 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于工...
可以。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種絕緣柵雙極型晶體管,它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT...
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 1203 0
igbt驅(qū)動(dòng)波形主要看什么參數(shù)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動(dòng)波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個(gè)方面,它直接影響到IGBT的開(kāi)關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標(biāo)。在本文中,我們將介紹IG...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT晶體管 1362 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降...
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形的正常表現(xiàn)及影響因素
IGBT焊機(jī)是一種高效、節(jié)能的焊接設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種金屬焊接領(lǐng)域。IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形對(duì)于焊接質(zhì)量、設(shè)備性能和使用壽命等方面具有重要影響。 一、IG...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小,可能會(huì)對(duì)...
用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量igbt好壞判斷
IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。正確判斷IGBT的好壞對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 1. IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:數(shù)字萬(wàn)用表IGBT電源轉(zhuǎn)換 2659 0
IGBT的G極電壓影響因素、測(cè)量方法及應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT電力電子驅(qū)動(dòng)電壓 1258 0
可能會(huì)出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和B...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 3354 0
IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)
IGBT的驅(qū)動(dòng)方式可以電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)兩種,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、快速開(kāi)關(guān)等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT晶體管電流驅(qū)動(dòng) 1876 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運(yùn)行區(qū)域,這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制,以確保其穩(wěn)定運(yùn)...
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