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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過(guò)了很長(zhǎng)一段時(shí)間的發(fā)展,功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽(yáng)能著力發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
2013-02-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),...
IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開(kāi)關(guān)速度和...
如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開(kāi)關(guān)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開(kāi)關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...
如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類(lèi)數(shù)不勝數(shù),工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件,的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來(lái)說(shuō),絕緣柵雙極晶體管 (I...
IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8...
摘要: 現(xiàn)在市面上常見(jiàn)的UPS類(lèi)型有后備式UPS、在線互動(dòng)式UPS以及在線式UPS,眾多的品牌和廠商對(duì)其產(chǎn)品賣(mài)點(diǎn)的吹捧,使用戶在UPS產(chǎn)品選擇上失去了方...
IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器: TLP2451
隨著系統(tǒng)尺寸的進(jìn)一步減小,封裝密度進(jìn)一步升高,工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域?qū)δ芷骷母邷夭僮餍枨笤絹?lái)越大。東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產(chǎn)品...
Ansoft軟件在HEV/EV市場(chǎng)的應(yīng)用
面對(duì)高度競(jìng)爭(zhēng)化的混合動(dòng)力車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)(HEV/EV)市場(chǎng),動(dòng)力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。 功率逆變器 在動(dòng)力集成系統(tǒng)中至關(guān)...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)...
汽車(chē)級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車(chē)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
汽車(chē)級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車(chē)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用 針對(duì)汽車(chē)功率模塊需求,英飛凌通過(guò)增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性,并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,大大提高了IGBT
智能IGBT在汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
智能IGBT在汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用 要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子...
2010-01-04 標(biāo)簽:IGBT汽車(chē)點(diǎn)火 1902 0
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究 IGBT在以變頻器及各類(lèi)電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 849 0
IGBT開(kāi)關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
IGBT開(kāi)關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用 本文以HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器為例,詳盡地闡述了IGBT開(kāi)關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的基本原理,并重點(diǎn)...
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 1200 0
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