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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來實(shí)現(xiàn)。
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片最大開關(guān)頻率的估算方法
最大開關(guān)頻率是柵極驅(qū)動(dòng)芯片的重要性能指標(biāo),其表現(xiàn)會(huì)受到驅(qū)動(dòng)芯片的封裝、負(fù)載條件、散熱等多方面因素的制約。此外,如果半橋驅(qū)動(dòng)集成了自舉二極管,功耗的計(jì)算方...
2025-01-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)頻率 1041 0
耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類...
隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對(duì)功率密度的需求日益提高,系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...
用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運(yùn)行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,尤其是那些部署在偏遠(yuǎn)地區(qū)并由電池...
DC/DC轉(zhuǎn)換器電路中MOSFET的選擇指南(上)
本系列文章以轉(zhuǎn)換器 IC 評(píng)估板的參考電路為主題,說明選擇各種分立元件時(shí)的重要特性。在講解過程中,通過使用 LTspice 改變?cè)骷蛟骷旧淼某?shù)...
2025-01-10 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 1376 0
在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中,一般要有兩個(gè)MOSFET,體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求,卻繞不過簡(jiǎn)單和小巧。
2025-01-09 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 174 0
提升開關(guān)電源效率的理論分析與實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)
在這里有電源技術(shù)干貨、電源行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析、最新電源產(chǎn)品介紹、眾多電源達(dá)人與您分享電源技術(shù)經(jīng)驗(yàn),關(guān)注我們,與中國(guó)電源行業(yè)共成長(zhǎng)! 提升開關(guān)電源效率的理論...
2025-01-09 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 316 0
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通過UCC27517來控制mosfet進(jìn)行開關(guān),IN+引腳是否能輸入數(shù)字信號(hào)?
標(biāo)簽:MOSFET數(shù)字信號(hào) 190 0
AN53-微功耗高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器立即下載
類別:電子資料 2025-01-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 50 0
類別:電子資料 2025-01-08 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 71 0
高性能、高可靠,主打鋰電保護(hù)應(yīng)用!納芯微推出全新CSP封裝MOSFET: NPM12023A
近日,納芯微全新推出CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET ——NPM12023A系列產(chǎn)品,優(yōu)異的短路過流能力與雪崩過壓能力、更強(qiáng)的機(jī)械壓力耐受能力...
XS2100S_IEEE 802.3af/at 兼容、用電設(shè)備接口控制器 集成功率 MOSFET
XS2100S 為用電設(shè)備(PD)提供符合以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng) IEEE802.3af/at 標(biāo)準(zhǔn)的完整接口。XS2100S為 PD 提供檢測(cè)信號(hào)、...
近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此...
2025-01-23 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體SemiQ 110 0
革新電源體驗(yàn)!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來襲
隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率、更低損耗?答案是碳化硅(SiC)。作為...
與安世半導(dǎo)體共同迎接工業(yè)4.0時(shí)代到來
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的發(fā)展和工業(yè)4.0時(shí)代的到來,工業(yè)轉(zhuǎn)型正朝著提高能效、實(shí)現(xiàn)功率微型化和改善系統(tǒng)可靠性的方向發(fā)展。面對(duì)這些挑戰(zhàn),安世半導(dǎo)體的智能工業(yè)應(yīng)...
2025-01-23 標(biāo)簽:MOSFET物聯(lián)網(wǎng)安世半導(dǎo)體 217 0
高性能模擬與數(shù)?;旌袭a(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商思瑞浦3PEAK,近日推出了其最新研發(fā)的飛安級(jí)輸入偏置電流運(yùn)算放大器——TPA3530。這款運(yùn)算放大器以其卓越的...
2025-01-22 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器思瑞浦 134 0
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率...
SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域
近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級(jí)CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V
新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級(jí)CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個(gè)高度...
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