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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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柵極驅(qū)動(dòng)芯片最大開關(guān)頻率的估算方法

最大開關(guān)頻率是柵極驅(qū)動(dòng)芯片的重要性能指標(biāo)，其表現(xiàn)會(huì)受到驅(qū)動(dòng)芯片的封裝、負(fù)載條件、散熱等多方面因素的制約。此外，如果半橋驅(qū)動(dòng)集成了自舉二極管，功耗的計(jì)算方...

2025-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 開關(guān)頻率 1052 0

耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...

2025-01-23 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 材料 94 0

SGT MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類...

2025-01-22 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 寄生電容 248 0

三菱電機(jī)工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部...

2025-01-22 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 1146 0

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。但是SIC MOS和Si IGBT的器件...

2025-01-21 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 527 0

SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能？

隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對(duì)功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...

2025-01-13 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 185 0

用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運(yùn)行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，尤其是那些部署在偏遠(yuǎn)地區(qū)并由電池...

2025-01-25 標(biāo)簽：MOSFET 定時(shí)器柵極 134 0

DC/DC轉(zhuǎn)換器電路中MOSFET的選擇指南(上)

本系列文章以轉(zhuǎn)換器 IC 評(píng)估板的參考電路為主題，說明選擇各種分立元件時(shí)的重要特性。在講解過程中，通過使用 LTspice 改變?cè)骷蛟骷旧淼某?shù)...

2025-01-10 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器 MOSFET 1376 0

慧能泰PD DRP雙向快充芯片HUSB280介紹

在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中，一般要有兩個(gè)MOSFET，體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求，卻繞不過簡(jiǎn)單和小巧。

2025-01-09 標(biāo)簽：MOSFET 快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 176 0

提升開關(guān)電源效率的理論分析與實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)

在這里有電源技術(shù)干貨、電源行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析、最新電源產(chǎn)品介紹、眾多電源達(dá)人與您分享電源技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，關(guān)注我們，與中國(guó)電源行業(yè)共成長(zhǎng)！提升開關(guān)電源效率的理論...

2025-01-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 開關(guān)電源 317 0

臺(tái)懋半導(dǎo)體MOS管：在 RGB 控制器中的卓越表現(xiàn)

一、行業(yè)背景在當(dāng)今絢麗多彩的電子世界里，從璀璨奪目的舞臺(tái)燈光，到酷炫迷人的電腦機(jī)箱燈帶，再到智能家居設(shè)備那靈動(dòng)多變的指示燈，RGB控制器宛如一位神奇的“...

2025-01-08 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 MOS 150 0

三菱電機(jī)超小型全SiC DIPIPM解析

在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。

2025-01-08 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 796 0

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。...

2025-01-07 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)芯片 209 0

SiC MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，氮化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...

2025-01-06 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 287 0

MOSFET的米勒平臺(tái)電壓很重要，1400字教你兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值

Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開關(guān)過程中，由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在，漏極電壓的變化會(huì)通過該電容耦合到柵極，導(dǎo)...

2025-01-07 標(biāo)簽：MOSFET 米勒平臺(tái) 1329 0

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 33 0

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 22 0

柵極驅(qū)動(dòng)器的定義和結(jié)構(gòu)

柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件，主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 27 0

開關(guān)電源芯片U8621的主要特點(diǎn)

超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位，適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，突破了傳統(tǒng)硅極限?，...

2025-01-03 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源電源芯片 375 0

Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理

現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響，本文探討了Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC...

2025-01-03 標(biāo)簽：二極管 MOSFET Diode 190 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情；制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃；能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備；安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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在眾多的51系列單片機(jī)中，要算國(guó)內(nèi)STC 公司的1T增強(qiáng)系列更具有競(jìng)爭(zhēng)力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60K FLASHROM，這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí)，它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識(shí)吧！
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
COMSOL

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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
靜電防護(hù)

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。

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