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標(biāo)簽 > Nand flash
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
“NAND存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與“NOR存儲(chǔ)器”相互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來存儲(chǔ)少量的代碼并且需要多次擦寫,這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。
NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash 閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的性能。
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。
我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我們下面...
2012-09-25 標(biāo)簽:flashNAND flashNOR flash 15.8萬 5
STM32單片機(jī)對NAND Flash的讀寫以及在ASF中的使用
NAND Flash的容量較大。整片F(xiàn)lash分為若干個(gè)塊(Block),每個(gè)Block分為若干個(gè)頁(Page)。在每個(gè)頁中,除了數(shù)據(jù)區(qū)域,也包含若干“...
2018-12-11 標(biāo)簽:nand flashstm32單片機(jī) 1.5萬 0
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)之nand_flash結(jié)構(gòu)和原理剖析
1. 引言 NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯...
2017-12-01 標(biāo)簽:Nand flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù) 1.3萬 0
如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH)
相信有很多人都對計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash ...
2020-12-17 標(biāo)簽:DRAMsramNand flash 1.2萬 0
全面介紹新型存儲(chǔ)技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器Nand flash 5925 0
半導(dǎo)體專題之NAND Flash芯片知識(shí)詳解
只讀存儲(chǔ)器(ROM)是只能讀取實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)的信息的存儲(chǔ)器。
2024-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體ROMNand flash 5035 0
wafer、die、cell是什么?它們有何關(guān)系和區(qū)別呢?
可能你偶爾會(huì)聽見硬件工程師,或者芯片設(shè)計(jì)工程師講述一些專業(yè)名詞,比如今天說的wafer、die、cell等。
2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片設(shè)計(jì) 4404 0
基于K9F2G08U0A的Nand Flash操作和電路原理
由于K9F2G08U0A的總線寬度為8位,頁大小為2048字節(jié),需要5個(gè)尋址命令,所以NCON、GPG13和GPG14應(yīng)該接高電平,GPG15應(yīng)該接低電平。
2020-09-07 標(biāo)簽:控制器寄存器Nand flash 4073 0
Nand Flash基礎(chǔ)知識(shí)與壞塊管理機(jī)制的介紹
Flash名稱的由來,F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的,與此相對應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備,是以bit位為最小讀取/寫入的單位
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFETLinux系統(tǒng)MLC 4019 0
DRAM和NAND閃存和其它存儲(chǔ)器技術(shù)的區(qū)別
相變存儲(chǔ)器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-10-18 標(biāo)簽:相變存儲(chǔ)器DRAMNand flash 3536 0
簡單易懂的OMAPL138開發(fā)板固化C6748程序到NAND FLASH步驟立即下載
類別:嵌入式開發(fā) 2014-07-10 標(biāo)簽:嵌入式開發(fā)NAND FLASHOMAPL138
NAND Flash存儲(chǔ)器和使用ELNEC編程器燒錄NAND Flash技術(shù)應(yīng)用文檔立即下載
類別:IC中文資料 2014-04-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器編程器NAND Flash
512Mb NAND FLASH AFND1208U1-CKA立即下載
類別:單片機(jī)IC 2014-07-17 標(biāo)簽:NAND FLASH非波動(dòng)便攜式
Linux MTD下獲取Nand flash參數(shù)詳解立即下載
類別:嵌入式開發(fā) 2011-05-10 標(biāo)簽:LinuxMTDNand flash
詳細(xì)解說OMAPL138開發(fā)板Linux系統(tǒng)固化到NAND FLASH步驟立即下載
類別:DSP 2014-07-10 標(biāo)簽:DSPNAND FLASHOMAPL138
Allwinner Technology Nand Flash Support List立即下載
類別:產(chǎn)品手冊 2016-09-26 標(biāo)簽:NAND Flash
NAND FLASH存儲(chǔ)模塊設(shè)計(jì)(XC3S1600E和NAND512W3A構(gòu)成)立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2017-10-31 標(biāo)簽:NAND FLASH
通用NAND Flash參數(shù)識(shí)別方法立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-07 標(biāo)簽:NAND Flash
NAND FLASH在WINCENET系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2016-03-14 標(biāo)簽:NAND Flash
根據(jù)2020年二季度Nand Flash市場排名,三星占據(jù)31%,處于領(lǐng)先地位,緊跟其后的是鎧俠,占比達(dá)17%。排名第三、第四、第五、分別是西數(shù)、美光、...
2020-11-04 標(biāo)簽:三星電子Nand flashSK海力士 1.7萬 0
存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對于計(jì)算機(jī)來說,有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。
2021-10-07 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存條Nand flash 1.3萬 0
臺(tái)灣旺宏與東芝專利官司落幕 旺宏大獲全勝8000萬美金
旺宏電子10月11日宣布,與全球第二大NAND Flash巨頭東芝之間的「美國地區(qū)」專利爭議最新進(jìn)展。旺宏電子透露,美國國際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)判定東芝...
半導(dǎo)體投資2019年將達(dá)784億美元 紫光12寸晶圓廠投產(chǎn)
據(jù)招商電子最新研究報(bào)告顯示,在半導(dǎo)體領(lǐng)域,2016年的12個(gè)月中北美BB值和日本BB值分別有10和11個(gè)月不低于1,半導(dǎo)體資本支出不斷增長,2019年有...
2017-03-13 標(biāo)簽:NAND Flash紫光半導(dǎo)體投資 7552 0
24nm NAND Flash量產(chǎn)? 東芯半導(dǎo)體高容量存儲(chǔ)產(chǎn)品助力5G基站和可穿戴應(yīng)用
作為國內(nèi)存儲(chǔ)芯片的重要廠商之一,東芯半導(dǎo)體在汽車存儲(chǔ)、5G基站存儲(chǔ)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的存儲(chǔ)上頗有建樹。7月4日,東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊接受了<電子發(fā)燒友>的獨(dú)...
2020-07-07 標(biāo)簽:NAND FlashNOR Flash5G基站 7164 0
紫光集團(tuán)收購武漢新芯,下個(gè)目標(biāo)還是美光?
據(jù)《華爾街日報(bào)》報(bào)道,清華紫光集團(tuán)將收購武漢新芯的大部分股權(quán),新武漢新芯將改名長江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(Yangtze River Storage Tech...
2016-07-27 標(biāo)簽:美光DRAM芯片NAND Flash 6620 0
2020年二季度Nand Flash市場排名,三星占據(jù)31%處于領(lǐng)先地位
三星電子推出首款消費(fèi)類PCIe 4.0 NVMe SSD:三星SSD 980 PRO, 980 PRO采用三星1XX層 TLC NAND閃存,以及容量分...
2020-11-30 標(biāo)簽:三星電子Nand flashSK海力士 6359 0
TWS耳機(jī)熱銷帶動(dòng)NORFlash需求增加 兆易創(chuàng)新和旺宏前景展望樂觀
據(jù)研究公司IDC的數(shù)據(jù),2019年第三季度全球可穿戴設(shè)備出貨量達(dá)到了驚人的8450萬部,同比增長94.6%,其中,可聽設(shè)備貢獻(xiàn)了近半數(shù)的市場份額。真無線...
2019-12-11 標(biāo)簽:NAND Flash兆易創(chuàng)新TWS 5862 0
價(jià)格下跌抵消位元出貨增長 2Q19閃存品牌商營收環(huán)比持平
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,綜觀2019年第二季NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn),以需求面來看,智能手機(jī)、筆記本...
2019-08-15 標(biāo)簽:閃存Nand flash3d nand 5819 0
新型冠狀肺炎正式進(jìn)入大流行,全球系統(tǒng)風(fēng)險(xiǎn)將沖擊存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,雖然疫情在中國看似趨緩,然而在中東、歐洲與美國急速擴(kuò)散,世界衛(wèi)生組織(WHO)已正式宣布新冠肺炎...
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