群聯(lián)一季度財(cái)報(bào)展現(xiàn)營(yíng)收回暖趨勢(shì) 四月單月營(yíng)收創(chuàng)新高

此外，群聯(lián)4月份總收入達(dá)51.56億新臺(tái)幣（折合人民幣約11.5億元），同比增長(zhǎng)53%；前四個(gè)月累計(jì)總收入達(dá)215.82億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)61%，均創(chuàng)下...

2024-05-11 標(biāo)簽：NAND閃存群聯(lián) 549 0

希捷酷玩530R固態(tài)硬盤曝光：TLC NAND存儲(chǔ)，寫入耐久達(dá)5050TBW?

該款固態(tài)硬盤尺寸為M.2 2280，具備PCIe Gen4x4規(guī)格，順應(yīng)NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn)，最高可達(dá)180萬小時(shí)平均故障間隔時(shí)間。并有1TB、2TB及...

2024-05-11 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤 719 0

Sabrent發(fā)布Rocket nano 2242固態(tài)硬盤：PCIe Gen4x4和M.2 2242規(guī)格?

Rocket nano 2242現(xiàn)已在Sabrent官方網(wǎng)站開售，容量選項(xiàng)僅限于1TB版本，價(jià)格為99.99美元（按當(dāng)前匯率計(jì)算相當(dāng)于723元人民幣左右）。

2024-05-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器NAND閃存固態(tài)硬盤 1072 0

SK海力士發(fā)布NAND閃存解決方案，助力端側(cè)AI手機(jī)發(fā)展

SK海力士指出，“ZUFS 4.0是新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案，具備行業(yè)內(nèi)最高性能且專門針對(duì)端側(cè)AI手機(jī)進(jìn)行優(yōu)化?！贝送猓具€強(qiáng)調(diào)，“借助此產(chǎn)品...

2024-05-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器NAND閃存SK海力士 483 0

AI浪潮拉動(dòng)DRAM與NAND閃存合約價(jià)飆升

首先來看DRAM內(nèi)存，TrendForce原本預(yù)測(cè)2024年第二季度的合約價(jià)會(huì)上漲3~8%，現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存，原預(yù)測(cè)漲幅為13...

2024-05-07 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 435 0

SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備，或降低NAND閃存堆棧層數(shù)

當(dāng)前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而，在這種趨勢(shì)下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。

2024-05-07 標(biāo)簽：晶圓NAND閃存SK海力士 495 0

鎧俠欲重啟與西部數(shù)據(jù)的合并計(jì)劃，SK海力士明確反對(duì)

據(jù)悉，鎧俠的主要投資者貝恩資本已經(jīng)將上市審查傳達(dá)給了其債權(quán)銀行，并預(yù)計(jì)最早將于今秋在東京證券交易所實(shí)現(xiàn)首次公開募股（IPO）。

2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士鎧俠 489 0

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)

近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場(chǎng)的卓越地位。

2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤 688 0

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。

2024-04-17 標(biāo)簽：閃存芯片NAND閃存人工智能 668 0

鎧俠將10月IPO，或?qū)で笾貑⑴c西部數(shù)據(jù)合并談判

自2019年從東芝獨(dú)立出來之后，鎧俠一直在積極籌備IPO事宜。原本定于2020年10月上市，但由于突發(fā)狀況而被迫推遲；隨后計(jì)劃在2021年上市，可惜仍未實(shí)現(xiàn)。

2024-04-17 標(biāo)簽：ipoNAND閃存鎧俠 382 0

存儲(chǔ)技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競(jìng)相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級(jí)別，并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

2024-04-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND閃存 727 0

三星電子NAND晶圓投片量上調(diào)約30%，謹(jǐn)慎對(duì)待市場(chǎng)發(fā)展

以全速運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，三星NAND閃存生產(chǎn)線季度晶圓投片量可超過200萬片。同時(shí)，該公司已為二至四季度設(shè)定晶圓投片量紅線，總計(jì)120萬片，使整體產(chǎn)能利用率保持...

2024-04-16 標(biāo)簽：三星電子晶圓NAND閃存 561 0

三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層

據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其I...

2024-04-12 標(biāo)簽：NAND閃存半導(dǎo)體行業(yè)三星 897 0

AI推動(dòng)硬盤價(jià)格上漲，固態(tài)硬盤成AI訓(xùn)練首選

近幾年來，NAND閃存價(jià)格步入下行通道，固態(tài)硬盤與機(jī)械硬盤間的成本差距逐漸收窄，這使得固態(tài)硬盤在部分應(yīng)用場(chǎng)景中逐漸取代HDD。例如，在2TB以下的消費(fèi)P...

2024-04-12 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤存儲(chǔ)設(shè)備 824 0

SK海力士欲振興Solidigm，但內(nèi)外部挑戰(zhàn)致信心不足

然而，Solidigm自成立之初便遭受NAND閃存市場(chǎng)不景氣影響，虧損達(dá)到了驚人的7萬億韓元（相當(dāng)于今日的約373.8億元人民幣），并頻繁向母公司求助貸款。

2024-04-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)NAND閃存SK海力士 592 0

三星企業(yè)級(jí)SSD計(jì)劃漲價(jià)，需求激增推動(dòng)市場(chǎng)格局

這一價(jià)格調(diào)整的背后，實(shí)際上反映出市場(chǎng)需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實(shí)情況。

2024-04-03 標(biāo)簽：SSDNAND閃存固態(tài)硬盤 1019 0

Sabrent推出Rocket 4系列M.2 NVMe Gen 4 SSD

此外，Rocket 4系列在4K隨機(jī)讀寫性能方面表現(xiàn)出眾，可以達(dá)到最大讀寫IOPS分別為100萬以及95萬。該系列首發(fā)型號(hào)包括1TB和2TB兩款，后續(xù)還...

2024-04-02 標(biāo)簽：NAND閃存主控芯片IOPs 981 0

TrendForce：二季度NAND閃存合同價(jià)格預(yù)計(jì)上漲13%至18%，固態(tài)硬盤合同價(jià)亦將上調(diào)

詳細(xì)來說，在eMMC領(lǐng)域，部分供應(yīng)商試圖削減此類產(chǎn)品供應(yīng)，消費(fèi)者對(duì)其更為青睞，從而導(dǎo)致eMMC合約價(jià)格預(yù)計(jì)將在二季度上升10至15個(gè)百分點(diǎn)。

2024-03-29 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤emmc 690 0

SK海力士CEO：HBM內(nèi)存占比料將破兩位數(shù)，全面提升盈利能力

面對(duì)股東對(duì)該公司去年在AI領(lǐng)域備受矚目及HBM熱賣背景下，仍然出現(xiàn)9萬億韓元（折合約482.4億元人民幣）凈虧問題的質(zhì)疑，郭魯正解釋為主要由占銷售額主導(dǎo)...

2024-03-28 標(biāo)簽：AINAND閃存SK海力士 483 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：QLC閃存已完成4000次P / E擦寫，采用第三代Xtacking技術(shù)

值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席技術(shù)官（CTO）霍宗亮指出，NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇，并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合...

2024-03-28 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1288 0