PNP晶體管符號和結(jié)構(gòu) 晶體管測試儀電路圖

PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點在于其三個不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（...

2024-07-01 標(biāo)簽：電路圖晶體管定時器 3081 0

詳解IGBT的驅(qū)動電路及短路保護設(shè)計

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度...

2024-02-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBT驅(qū)動電路 1.2萬 0

基本的晶體管電路設(shè)計

盡管使用帶有晶體管的分立電子元件會使用更多元件，但可以定制電路以提供所需的功能。因此，使用分立晶體管和一些附加電子元件的電路是電子電路設(shè)計的核心。

2024-01-09 標(biāo)簽：振蕩器電路設(shè)計電子元件 1677 0

推挽輸出與交越失真

如下電路，輸出級有兩個晶體管，兩個晶體管交替驅(qū)動負(fù)載工作。實際上推挽輸出電路可以看作是兩個射極跟隨器的組合。

2023-09-11 標(biāo)簽：二極管晶體管PNP晶體管 1313 0

常用串行EEPROM的編程應(yīng)用（一）

EEPROM是“ElectricallyErasable Programmable Read-only”（電可擦寫可編程只讀存儲器）的縮寫，EEPROM...

2023-07-20 標(biāo)簽：微處理器EEPROMPNP晶體管 2653 0

SCR低壓觸發(fā)放電管設(shè)計

低壓觸發(fā)區(qū)峰值濃度位置對常溫IV特性的影響

2023-07-13 標(biāo)簽：晶閘管SCRPNP晶體管 404 0

SCR放電管仿真設(shè)計-N基區(qū)摻雜濃度

晶閘管（SCR）由于其深回滯輸出特性曲線，低導(dǎo)通電阻，高ESD泄流能力的特點，在ESD保護中得到越來越廣泛的應(yīng)用。

2023-07-07 標(biāo)簽：晶閘管SCRPNP晶體管 1102 0

帶隙基準(zhǔn)電路集成有源器件仿真設(shè)計

帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)電路輸出的基準(zhǔn)電壓可以為模擬集成電路提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流

2023-07-06 標(biāo)簽：電源電壓PNP晶體管SPICE仿真 1607 0

功率放大器的基本原理及性能參數(shù)

功率放大器有很多種不同的分類方式，傳統(tǒng)上，按照功率放大器放大信號的模式，大體上可將功率放大器分為兩類：放大模式功率放大器和開關(guān)模式功率放大器。

2023-06-30 標(biāo)簽：功率放大器仿真器射頻信號 9375 0

基于NPN和PNP晶體管的迷你鋸齒發(fā)電機電路

我又回來了另一個振蕩器電路，這次是鋸齒波。我設(shè)計了一個使用簡單的NPN和PNP晶體管的迷你鋸齒發(fā)電機。該電路最突出的特點是其微型尺寸和易于在旅途中使用。...

2023-06-18 標(biāo)簽：發(fā)生器電路NPN晶體管PNP晶體管 1006 0

1600V BIMOSFET晶體管的應(yīng)用及其直流電性能

本應(yīng)用筆記介紹了新的1600 V BIMOSFET晶體管，該晶體管已被新應(yīng)用取代。它介紹了BIMOSFET的許多應(yīng)用及其直流電性能。如今，有許多使用高壓...

2021-05-20 標(biāo)簽：MOSFETPNP晶體管柵極電壓 1557 0

如何選擇合適的 PNP 或 NPN 晶體管開關(guān)

用于制造晶體管的半導(dǎo)體材料層由字母表示。為了保持直線發(fā)射器符號，原理圖中的箭頭始終是發(fā)射器。

2021-06-14 標(biāo)簽：發(fā)射器晶體管PNP晶體管 4321 0

三極管開關(guān)電路設(shè)計的要點

晶體管開關(guān)電路（工作在飽和態(tài)）在現(xiàn)代電路設(shè)計應(yīng)用中屢見不鮮，經(jīng)典的74LS，74ALS等集成電路內(nèi)部都使用了晶體管開關(guān)電路

2017-11-15 標(biāo)簽：pnp晶體管三極管開關(guān)電路 1.7萬 0