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標(biāo)簽 > sic mosfet
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為了驗(yàn)證抑制電路的效果,將抑制電路單獨(dú)安裝在SiC MOSFET(SCT3040KR)的驅(qū)動(dòng)電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...
2024-01-26 標(biāo)簽:電容器驅(qū)動(dòng)電路電壓浪涌 540 0
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)電壓SiC MOSFET 2223 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 623 0
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案
通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 1761 0
典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問...
《電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)及市場-2023版》
SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,將迅速增長并主導(dǎo)市場份額,IDTechEx在報(bào)告中給出了各類器件的應(yīng)用時(shí)間表。雖然經(jīng)過驗(yàn)證的SiC MOS...
2023-02-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC MOSFET 1412 0
高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對于10 kV 等級(jí)器件來說,室溫下其電流等級(jí)約為 20~4...
2023-02-03 標(biāo)簽:SiCSiC MOSFET 3706 0
富昌電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心SiC版逆變器方案
該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺(tái),融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...
2022-10-31 標(biāo)簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 734 0
TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供大量設(shè)計(jì)支持工具幫助簡化設(shè)計(jì)
過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 標(biāo)簽:ti柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET 3169 0
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長的振鈴時(shí)間。這種尖峰會(huì)降低設(shè)備的...
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,...
2022-08-01 標(biāo)簽:英飛凌仿真SiC MOSFET 2284 0
在電動(dòng)汽車中采用SiC MOSFET進(jìn)行雙向充電
電動(dòng)汽車 (EV) 以及更普遍的電動(dòng)汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時(shí)間。長期以來被認(rèn)為是電動(dòng)汽車的弱點(diǎn)之一,充電時(shí)間逐漸減少,快速充電等先...
2022-07-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器充電系統(tǒng) 1452 0
橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSF...
2022-07-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器引腳SiC MOSFET 1574 1
在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
25 kW快充系統(tǒng)中的輔助電源設(shè)計(jì)
在本系列的前幾篇文章中[1-6],我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng),包括這個(gè)可擴(kuò)展系統(tǒng)的整...
2022-06-27 標(biāo)簽:安森美輔助電源SiC MOSFET 2666 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,自舉電路是否適用?
自舉式懸浮驅(qū)動(dòng)電路可以極大的簡化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì),只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開關(guān)管的驅(qū)動(dòng),可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電源自舉電路SiC MOSFET 3786 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓?
用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航?,在開通時(shí)候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右,這樣在開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)電容C10上就會(huì)有3V壓降。
2021-12-06 標(biāo)簽:單電源SiC MOSFET 4902 0
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