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      標(biāo)簽　>　sic mosfet

      sic mosfet

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      sic mosfet資訊

      恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用

      恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用

      在此次合作中，恩智浦GD3160隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與日立能源RoadPak SiC電源模塊相結(jié)合，將高效、可靠且功能安全的電子動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)更快地推向市場(chǎng)

      2022-03-30 標(biāo)簽：恩智浦SiC MOSFET 1460 0

      華潤微發(fā)布SiC MOSFET新品 NVIDIA推科學(xué)數(shù)字孿生平臺(tái)

      近期，華潤微重磅發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品，這是華潤微繼去年SiC二極管產(chǎn)品上市后的又一大作，進(jìn)一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品系列，是公司在...

      2022-03-28 標(biāo)簽：NVIDIASiC MOSFET數(shù)字孿生 2140 0

      Nexperia發(fā)布增強(qiáng)型電熱模型 羅姆開發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET

      基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常...

      2022-03-28 標(biāo)簽：模型羅姆Nexperia 4580 0

      研華DeviceOn/BI通過工業(yè)案例審核 羅姆SiC MOSFET發(fā)揮性能優(yōu)勢(shì)

      近日，上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。

      2022-03-28 標(biāo)簽：研華羅姆SiC MOSFET 3372 0

      派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

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      自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

      2021-12-08 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件SiC 1859 0

      SiC需求爆發(fā)！賽道正式開啟，國內(nèi)企業(yè)迅速就位

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型，成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影，對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...

      2021-11-12 標(biāo)簽：SiC二極管SiC MOSFET基本半導(dǎo)體 4090 0

      SiC MOSFET的特性及使用的好處

      電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯，這就使得SiC MOSFE...

      2021-08-13 標(biāo)簽：電荷硅材料SiC MOSFET 7437 0

      東芝SiC MOSFET電動(dòng)汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)

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      環(huán)境和能源問題是一個(gè)重要的全球性問題。同時(shí)，隨著電力需求持續(xù)升高，對(duì)節(jié)能的呼聲以及對(duì)高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導(dǎo)體扮演...

      2021-08-02 標(biāo)簽：SiC MOSFET 4689 0

      安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

      新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術(shù)，適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓，易于用負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)。

      2021-06-08 標(biāo)簽：MOSFET安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車充電 1270 0

      貿(mào)澤開售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊 兼具SiC MOSFET與二極管之長

      貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MO...

      2020-10-15 標(biāo)簽：二極管microchip貿(mào)澤電子 1033 0

      2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元，英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線

      根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告，2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長率為29%，也就是說到2024年...

      2020-04-03 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 1.6萬 0

      超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析

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      新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣，從...

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      “助攻”電源設(shè)計(jì)：900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低！

      全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，...

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      Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電...

      2015-10-14 標(biāo)簽：MOSFETSiC MOSFET 3021 0

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