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富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(二):碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題探討
作者:富昌電子 星空 ??校稿:富昌電子 蕭峰 ? 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方...
2022-06-16 標(biāo)簽:富昌電子SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 10.9萬 0
2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元,英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線
根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告,2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%,也就是說到2024年...
電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì),而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中,SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯,這就使得SiC MOSFE...
2021-08-13 標(biāo)簽:電荷硅材料SiC MOSFET 7437 0
東芝SiC MOSFET電動(dòng)汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)
環(huán)境和能源問題是一個(gè)重要的全球性問題。同時(shí),隨著電力需求持續(xù)升高,對(duì)節(jié)能的呼聲以及對(duì)高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中,功率半導(dǎo)體扮演...
2021-08-02 標(biāo)簽:SiC MOSFET 4689 0
Nexperia發(fā)布增強(qiáng)型電熱模型 羅姆開發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET
基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型,但這些模型通常...
SiC需求爆發(fā)!賽道正式開啟,國內(nèi)企業(yè)迅速就位
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型,成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影,對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...
2021-11-12 標(biāo)簽:SiC二極管SiC MOSFET基本半導(dǎo)體 4090 0
瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1...
研華DeviceOn/BI通過工業(yè)案例審核 羅姆SiC MOSFET發(fā)揮性能優(yōu)勢(shì)
近日,上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。
2022-03-28 標(biāo)簽:研華羅姆SiC MOSFET 3372 0
性價(jià)比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電...
2015-10-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3021 0
超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析
新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標(biāo)簽:sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 2604 0
華潤(rùn)微發(fā)布SiC MOSFET新品 NVIDIA推科學(xué)數(shù)字孿生平臺(tái)
近期,華潤(rùn)微重磅發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品,這是華潤(rùn)微繼去年SiC二極管產(chǎn)品上市后的又一大作,進(jìn)一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品系列,是公司在...
2022-03-28 標(biāo)簽:NVIDIASiC MOSFET數(shù)字孿生 2140 0
“助攻”電源設(shè)計(jì):900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低!
全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET:C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù),...
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”,擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
瑞能半導(dǎo)體最新推出1700V SiC MOSFET產(chǎn)品
作為全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)之一,CISES聚焦行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)、新趨勢(shì)、新產(chǎn)品,致力于為業(yè)界高端決策者提供國際性合作交流平臺(tái)。
2022-09-07 標(biāo)簽:碳化硅SiC MOSFET瑞能半導(dǎo)體 1812 0
CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模塊 (IPM) 產(chǎn)品系列。
2022-08-04 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器碳化硅SiC MOSFET 1805 0
三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底,國內(nèi)8英寸加速布局!
從產(chǎn)能來看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/...
恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊,加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用
在此次合作中,恩智浦GD3160隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與日立能源RoadPak SiC電源模塊相結(jié)合,將高效、可靠且功能安全的電子動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)更快地推向市場(chǎng)
2022-03-30 標(biāo)簽:恩智浦SiC MOSFET 1460 0
SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別
隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下,碳化硅功率器件迎來了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后,在近幾...
2022-07-25 標(biāo)簽:功率器件SiC MOSFET 1433 0
小米SU7單電機(jī)版,400V電壓平臺(tái)的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子,其中搭載了來自博世的碳化硅芯片,根據(jù)調(diào)研:其中搭載了博世第二代750V,6毫歐的芯片產(chǎn)品。
2024-04-11 標(biāo)簽:永磁電機(jī)碳化硅SiC MOSFET 1344 0
安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術(shù),適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓,易于用負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)。
2021-06-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車充電 1270 0
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