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晶體管的高頻小信號(hào)等效模型

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晶體管可以作為開關(guān)使用!

),常常會(huì)引起晶體管的損壞。為解決這個(gè)問題,通常在電動(dòng)機(jī)和繼電器線圈上并聯(lián)一個(gè)反向二極,當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),此二極可以吸收感應(yīng)反電動(dòng)勢(shì)所產(chǎn)生的電流。本文選自微信號(hào):機(jī)械工業(yè)出版社E視界練習(xí)題:如圖所示
2017-03-28 15:54:24

晶體管高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的原因

晶體管高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級(jí)放大電路的幅頻特性
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晶體管基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用?

晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用?是為了米勒電容嗎、?但是米勒電容對(duì)三極的開通有害的時(shí)候,為什么還要并聯(lián)電容?電容不是越并越大,加大了等效米勒電容?
2024-01-19 22:39:57

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1.反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí),將萬(wàn)用表置于R×1k檔, NPN型的集電極C接黑表筆
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在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
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晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33

晶體管電路設(shè)計(jì)時(shí)的問題

請(qǐng)問各位***友:晶體管的輸入信號(hào)不是微弱的電信號(hào)嗎?而常見的資料用輸入信號(hào)的頻率。問題就在這微弱的電信號(hào)與頻率有什么關(guān)系?像六超外差收音機(jī)接受的電磁波我還能理解,放大其他的我就弄不懂了。。。。希望各位不吝賜教。。。。
2012-11-12 22:34:51

晶體管的h參數(shù)資料分享

在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下,晶體管等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示。               晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25

晶體管的主要參數(shù)

(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù),表示晶體管對(duì)交流(變化)信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比,即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類與特征

不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中,分功率型和小信號(hào)型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類與特征

和小信號(hào)型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)的晶體管,因此基本上僅有功率型。 順便提一下,MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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晶體管的發(fā)展歷程概述

是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào),使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況,但是
2019-07-23 00:07:18

晶體管的微變等效電路相關(guān)資料分享

。 (3)微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路,只能用來計(jì)算交流分量,不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 (4)晶體管的輸入電阻 RbE(hie)一般可用下列近似公式進(jìn)行估算:      式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25

晶體管的由來

是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào),使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況,但是
2019-05-05 00:52:40

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

晶體管的基極電流發(fā)生變化時(shí),其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后,若從基極加入一個(gè)較小的信號(hào),則其集電極將會(huì)輸出一個(gè)較大的信號(hào)。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)(B、E極之間)要加上
2013-08-17 14:24:32

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

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2012-01-28 11:27:38

晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降

很少一部分在基區(qū)被復(fù)合,大部分電子是在集電結(jié)的強(qiáng)電場(chǎng)的作用下,集中到了集電極,構(gòu)成了集電極電流的主體,所以,此時(shí)的集電極電流要遠(yuǎn)大于從基極注入的電流,這就是晶體管放大功能的物理模型。此時(shí),是以NPN型
2012-02-13 01:14:04

晶體管簡(jiǎn)介

關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18

晶體管詳解

;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39

高頻中、大功率晶體管

高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
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什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
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MOS晶體管等效電路的電學(xué)特性的的PSPICE仿真該如何去做?、有啥思路?[em:9:]
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求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
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場(chǎng)效應(yīng)是一種什么元件而晶體管是什么元件

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基本晶體管開關(guān)電路,使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

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如何改善晶體管的損耗

  為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下:    加速電路一  在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49

如何訪問ADS2012中的實(shí)際晶體管或其他組件?

嗨,我已經(jīng)使用ADS 2009很長(zhǎng)一段時(shí)間了,現(xiàn)在正考慮換到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時(shí)遇到了問題。我曾經(jīng)通過元件列表訪問2009版的實(shí)際晶體管模型,例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08

如何選擇分立晶體管?

來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54

常用晶體管高頻與低頻型號(hào)是什么?

晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40

常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種

什么是電信號(hào)?常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種?
2021-10-29 07:04:27

怎么解決bandgap中晶體管的熱噪聲問題?

bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25

數(shù)字晶體管的原理

。②開關(guān)動(dòng)作圖2晶體管的動(dòng)作有增幅作用和開關(guān)作用。在增幅作用中,通過注入基極電流IB,能夠通過增幅hFE倍的集電極IC。在活性領(lǐng)域中,通過輸入信號(hào)持續(xù)控制集電極電流,可以得到輸出電流。在開關(guān)作用中,在
2019-04-09 21:49:36

數(shù)字晶體管的原理

選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?!鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52

有什么方法可以提高晶體管的開關(guān)速度呢?

1、使用加速電容在基極限流電阻并聯(lián)小容量的電容(一般pF級(jí)別),當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流,所以在晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速?gòu)幕鶚O抽取電子(因?yàn)殡娮?/div>
2023-02-09 15:48:33

概述晶體管

的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì),高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29

電子晶體管在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別

電子產(chǎn)品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子作為音頻功率放大器件?! 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08

電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

將會(huì)導(dǎo)致高頻振蕩電壓。如果這些無(wú)法解決這些問題,將可能導(dǎo)致晶體管損壞?! ”M管傳統(tǒng)硅晶體管的并聯(lián)配置技術(shù)已經(jīng)十分成熟,但對(duì)于GaN器件并聯(lián)技術(shù)研究還鮮有涉及。考慮到GaN器件驅(qū)動(dòng)的特殊性以及其高速開關(guān)
2021-01-19 16:48:15

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

絕緣門/雙極性晶體管介紹與特性

標(biāo)記為: 集電極、發(fā)射極和柵極。它的兩個(gè)端子(C-E)與通過電流的電導(dǎo)路徑相關(guān)聯(lián),而它的第三個(gè)端子(g)控制器件。絕緣柵雙極性晶體管所達(dá)到的放大量是其輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之間的比值。對(duì)于傳統(tǒng)的雙極性晶體管
2022-04-29 10:55:25

請(qǐng)問GTR的雙晶體管模型是什么樣的?

沒事看看了電力電子,看到這個(gè)原理圖,有點(diǎn)迷糊了,按圖所示,如果集電極C處為N型半導(dǎo)體,按照?qǐng)D中來C極應(yīng)該接負(fù)極才對(duì)呀?為什么還接正極?這樣如何導(dǎo)通?有沒有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的?
2020-06-11 09:03:42

請(qǐng)問各位大佬,現(xiàn)在晶體管模型在哪下,想找?guī)讉€(gè)ATF的管子,但是是德科技官網(wǎng)上面找不到下的地方。

想請(qǐng)問大家,平時(shí)都是在哪下的晶體管模型啊。ADS仿真用
2021-10-02 16:09:59

請(qǐng)問如何選擇分立晶體管?

來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管
2018-12-12 09:07:55

請(qǐng)問有沒有Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外更多晶體管模型下載?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯 請(qǐng)問各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56

請(qǐng)問那位大神有沒有RF_POWER_ADS2014_DK.zip這個(gè)晶體管模型?。?/a>

跪求CREE公司CGH系列晶體管模型

小學(xué)生一枚,求CREE公司CGH系列晶體管模型求問ADS大神,如何將2009版以前的模型文件轉(zhuǎn)換成2011版以后???
2017-11-21 22:49:59

這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家

這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56

高頻晶體管的特性與使用技巧

高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經(jīng)商品化的高頻晶體管,大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor,雙極性接點(diǎn)晶體管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMT
2009-10-04 09:31:0544

晶體管的小信號(hào)模型

  晶體管的小信號(hào)模型   場(chǎng)效應(yīng)晶體管低頻小信號(hào)模型   雙極型晶體管低頻小信號(hào)模型
2010-09-25 16:22:3459

高頻晶體管,高頻晶體管原理是什么

高頻晶體管,高頻晶體管原理是什么 具有高速電子移動(dòng)率、低噪音特性、高fr(斷開頻率)等優(yōu)良的特性。以使用化合物半導(dǎo)本
2010-03-01 11:12:073576

高頻晶體管,超高頻晶體管是什么意思

高頻晶體管,超高頻晶體管是什么意思 晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極
2010-03-05 16:20:311812

晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思

晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思 在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下,晶體管等效為一個(gè)線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:225745

[3.9.1]--3.9晶體管高頻等效電路及高頻參數(shù)

元器件高頻晶體管手冊(cè)
李開鴻發(fā)布于 2022-11-12 12:17:28

[6.4.1]--5.3MOS晶體管高頻模型

高頻晶體管手冊(cè)微電子電路
jf_60701476發(fā)布于 2022-12-01 03:34:59

晶體管混合π型參數(shù)與Y參數(shù)的關(guān)系

晶體管高頻信號(hào)等效電路模型可用兩種方法得到:一是把晶體管視為一個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò),列出電流、電壓方程式,擬定滿足方程的網(wǎng)絡(luò)模型,常采用 Y 參數(shù)模型;二是根據(jù)晶體管內(nèi)部發(fā)生的物
2012-04-18 15:33:3381

晶體管動(dòng)態(tài)分析之微變等效模型 #晶體管

晶體管
jf_06209345發(fā)布于 2022-12-14 23:18:42

高頻晶體管是什么 高頻晶體管的特性

  高頻晶體管(High Frequency Transistor)是一種用于高頻信號(hào)放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管,高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù),因此廣泛應(yīng)用于無(wú)線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:441681

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