?! ?050晶體管及其等效的8550晶體管設(shè)計(jì)用于低功耗推挽放大器應(yīng)用中的互補(bǔ)晶體管對(duì)。通常,8050晶體管是2瓦放大器,最大集電極-發(fā)射極電流為1.5安培,最大集電極-發(fā)射極電壓為25伏?! 』?b class="flag-6" style="color: red">晶體管
2023-02-16 18:22:30
晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊,請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?!
2016-06-07 23:27:44
晶體管低頻放大器晶體管低頻放大器主要是用來放大低頻小信號(hào)電壓的放大器,頻率從幾十赫到一百千赫左右一、晶體管的偏置電路為了使放大器獲得線性的放大作用,晶體管不僅須有一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn),而且必須使
2021-06-02 06:14:09
工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等?! “捶庋b結(jié)構(gòu)分類 晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝(簡(jiǎn)稱金封)晶體管、塑料封裝(簡(jiǎn)稱塑封)晶體管、玻璃殼封裝(簡(jiǎn)稱玻封)晶體管、表面封裝(片狀
2010-08-12 13:59:33
),常常會(huì)引起晶體管的損壞。為解決這個(gè)問題,通常在電動(dòng)機(jī)和繼電器線圈上并聯(lián)一個(gè)反向二極管,當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),此二極管可以吸收感應(yīng)反電動(dòng)勢(shì)所產(chǎn)生的電流。本文選自微信號(hào):機(jī)械工業(yè)出版社E視界練習(xí)題:如圖所示
2017-03-28 15:54:24
晶體管在高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級(jí)放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用?是為了米勒電容嗎、?但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候,為什么還要并聯(lián)電容?電容不是越并越大,加大了等效米勒電容?
2024-01-19 22:39:57
1.反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí),將萬(wàn)用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33
請(qǐng)問各位***友:晶體管的輸入信號(hào)不是微弱的電信號(hào)嗎?而常見的資料用輸入信號(hào)的頻率。問題就在這微弱的電信號(hào)與頻率有什么關(guān)系?像六管超外差收音機(jī)接受的電磁波我還能理解,放大其他的我就弄不懂了。。。。希望各位不吝賜教。。。。
2012-11-12 22:34:51
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下,晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示。 晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù),表示晶體管對(duì)交流(變化)信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比,即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中,分功率型和小信號(hào)型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
和小信號(hào)型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)的晶體管,因此基本上僅有功率型。 順便提一下,MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào),使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況,但是
2019-07-23 00:07:18
。 (3)微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路,只能用來計(jì)算交流分量,不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 (4)晶體管的輸入電阻 RbE(hie)一般可用下列近似公式進(jìn)行估算: 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào),使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況,但是
2019-05-05 00:52:40
晶體管的基極電流發(fā)生變化時(shí),其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后,若從基極加入一個(gè)較小的信號(hào),則其集電極將會(huì)輸出一個(gè)較大的信號(hào)。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)(B、E極之間)要加上
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途,不同類型的晶體管。 1.一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理(例如
2012-01-28 11:27:38
很少一部分在基區(qū)被復(fù)合,大部分電子是在集電結(jié)的強(qiáng)電場(chǎng)的作用下,集中到了集電極,構(gòu)成了集電極電流的主體,所以,此時(shí)的集電極電流要遠(yuǎn)大于從基極注入的電流,這就是晶體管放大功能的物理模型。此時(shí),是以NPN型
2012-02-13 01:14:04
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
為大家奉上GP,multisim對(duì)雙極性晶體管模型進(jìn)行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
MOS晶體管等效電路的電學(xué)特性的的PSPICE仿真該如何去做?、有啥思路?[em:9:]
2014-05-07 20:32:28
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
變化的β倍, 也就是說,電流變化放大了β倍,所以我們稱之為β晶體管的放大倍率(β一般遠(yuǎn)大于1)。如果我們?cè)诨鶚O和發(fā)射極之間增加一個(gè)變化的小信號(hào),它會(huì)導(dǎo)致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后,會(huì)導(dǎo)致
2023-02-08 15:19:23
集電極電流的公式與用于等效 NPN 晶體管的公式相同,并給出如下。NPN和PNP晶體管之間的基本區(qū)別在于晶體管結(jié)的適當(dāng)偏置,因?yàn)殡娏骱碗妷簶O性總是相互對(duì)立的。因此,在上述電路中,Ic = Ie -Ib
2023-02-03 09:44:48
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
用multisim仿真高頻振蕩器,晶體管集電極輸出為12v,哪位高手幫我看看
2019-01-14 22:50:32
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替,MFR151管子能用哪個(gè)來代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
。作者簡(jiǎn)介 :鈴木雅臣,任職于Accuphase公司,主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計(jì)工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計(jì)入門》、《晶體管電路設(shè)計(jì)》等。目錄:第一章 概述學(xué)習(xí)晶體管電路或FET電路
2017-07-25 15:29:55
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度,晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能,包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
的主要電荷載流子。因此,NPN型晶體管的響應(yīng)時(shí)間比PNP型晶體管快。因此,NPN型晶體管是高頻相關(guān)器件中最常用的,并且它們比PNP型晶體管制造簡(jiǎn)單,使它們成為兩種類型中更常用的。PNP 晶體管PNP
2023-02-03 09:50:59
的基極和發(fā)射極之間連接放電電阻,可以減少這種延遲。然而,由于這種滯后時(shí)間,達(dá)林頓不太適合高頻應(yīng)用?! ∵_(dá)林頓晶體管的飽和電壓也更高,硅的飽和電壓通常為0.7v DC,而不是約0.2v DC。這有時(shí)會(huì)導(dǎo)致
2023-02-16 18:19:11
、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。作者:鈴木雅臣,任職于Accuphase公司,主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計(jì)工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計(jì)入門》、《晶體管電路設(shè)計(jì)》等。下載鏈接:[hide][/hide]`
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管的等效電路[hide][/hide]
2009-09-22 09:02:00
單結(jié)晶體管有一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極,一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極,所以又稱雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號(hào)如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu);b、等效電路;c、電路符號(hào)它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
電子元器件在高頻下其性質(zhì)頻率響應(yīng)會(huì)發(fā)生變化,影響電路功能的設(shè)計(jì)。如何建立這些元器件的高頻等效模型,我現(xiàn)在的想法是通過二端口網(wǎng)絡(luò),測(cè)得輸入輸出,在根據(jù)低頻模型猜測(cè)有哪些缺失。請(qǐng)大佬提供給我一個(gè)思路。 最好是有書籍推薦,關(guān)于元器件等效模型研究的。
2021-10-11 22:00:04
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2
2018-11-05 17:16:04
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2
2009-04-25 15:43:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場(chǎng)效應(yīng)管是一種放大器件元件,而晶體管是場(chǎng)效應(yīng)管元件它是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的,它是電壓控制器件,它不吸收信號(hào)源電流
2012-07-11 11:36:52
,當(dāng)在其基極施加零信號(hào)時(shí),它保持關(guān)閉狀態(tài),在這種情況下,它充當(dāng)集電極電流為零流的開路開關(guān)。當(dāng)我們向晶體管的基極施加正信號(hào)時(shí),它會(huì)接通,在這種情況下,它充當(dāng)閉合開關(guān),最大電流流過它?! 』?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)電路
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測(cè)晶體管的性能?怎樣去檢測(cè)特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
大家好,我在ADS非常新,如果有人可以通過我遇到的一些問題幫助我,我真的很感激。我使用ADS中的可用BSIM4_model制作了FlipFlop。我需要將晶體管的模型更改為我已經(jīng)(下載)的spice
2018-11-07 10:28:07
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
嗨,我已經(jīng)使用ADS 2009很長(zhǎng)一段時(shí)間了,現(xiàn)在正考慮換到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時(shí)遇到了問題。我曾經(jīng)通過元件列表訪問2009版的實(shí)際晶體管模型,例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)?常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種?
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
。②開關(guān)動(dòng)作圖2晶體管的動(dòng)作有增幅作用和開關(guān)作用。在增幅作用中,通過注入基極電流IB,能夠通過增幅hFE倍的集電極IC。在活性領(lǐng)域中,通過輸入信號(hào)持續(xù)控制集電極電流,可以得到輸出電流。在開關(guān)作用中,在
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?!鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
1、使用加速電容在基極限流電阻并聯(lián)小容量的電容(一般pF級(jí)別),當(dāng)輸入
信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流,所以在
晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速?gòu)幕鶚O抽取電子(因?yàn)殡娮?/div>
2023-02-09 15:48:33
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì),高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
電子產(chǎn)品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?! 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
將會(huì)導(dǎo)致高頻振蕩電壓。如果這些無(wú)法解決這些問題,將可能導(dǎo)致晶體管損壞?! ”M管傳統(tǒng)硅晶體管的并聯(lián)配置技術(shù)已經(jīng)十分成熟,但對(duì)于GaN器件并聯(lián)技術(shù)研究還鮮有涉及。考慮到GaN器件驅(qū)動(dòng)的特殊性以及其高速開關(guān)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
標(biāo)記為: 集電極、發(fā)射極和柵極。它的兩個(gè)端子(C-E)與通過電流的電導(dǎo)路徑相關(guān)聯(lián),而它的第三個(gè)端子(g)控制器件。絕緣柵雙極性晶體管所達(dá)到的放大量是其輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之間的比值。對(duì)于傳統(tǒng)的雙極性晶體管
2022-04-29 10:55:25
沒事看看了電力電子,看到這個(gè)原理圖,有點(diǎn)迷糊了,按圖所示,如果集電極C處為N型半導(dǎo)體,按照?qǐng)D中來C極應(yīng)該接負(fù)極才對(duì)呀?為什么還接正極?這樣如何導(dǎo)通?有沒有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的?
2020-06-11 09:03:42
想請(qǐng)問大家,平時(shí)都是在哪下的晶體管模型啊。ADS仿真用
2021-10-02 16:09:59
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
請(qǐng)問那位大神有沒有RF_POWER_ADS2014_DK.zip這個(gè)晶體管模型???或者在那里能夠下載???
2018-05-11 13:54:26
小學(xué)生一枚,求CREE公司CGH系列晶體管模型求問ADS大神,如何將2009版以前的模型文件轉(zhuǎn)換成2011版以后???
2017-11-21 22:49:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經(jīng)商品化的高頻晶體管,大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor,雙極性接點(diǎn)晶體管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMT
2009-10-04 09:31:05
44 晶體管的小信號(hào)模型
場(chǎng)效應(yīng)晶體管低頻小信號(hào)模型
雙極型晶體管低頻小信號(hào)模型
2010-09-25 16:22:34
59 高頻晶體管,高頻晶體管原理是什么
具有高速電子移動(dòng)率、低噪音特性、高fr(斷開頻率)等優(yōu)良的特性。以使用化合物半導(dǎo)本
2010-03-01 11:12:07
3576 超高頻晶體管,超高頻晶體管是什么意思
晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極
2010-03-05 16:20:31
1812 晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下,晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:22
5745 晶體管高頻小信號(hào)等效電路模型可用兩種方法得到:一是把晶體管視為一個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò),列出電流、電壓方程式,擬定滿足方程的網(wǎng)絡(luò)模型,常采用 Y 參數(shù)模型;二是根據(jù)晶體管內(nèi)部發(fā)生的物
2012-04-18 15:33:33
81 高頻晶體管(High Frequency Transistor)是一種用于高頻信號(hào)放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管,高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù),因此廣泛應(yīng)用于無(wú)線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:44
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