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2024-03-22 14:11:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:19:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1100數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:13:590 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，雙N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKS-Q數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 13:57:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:03:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:02:240 1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 與工作原理 功率MOSFET主要由四層結(jié)構(gòu)組成：柵極（Gate）、漏極（Drain）、源極（Source）和氧化層（Oxide）。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層，漏極與源極之間有一層導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，會(huì)在氧化層下方形成一個(gè)導(dǎo)電通道，使漏極和
2024-01-17 17:24:36294 
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2024-01-14 10:20:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，N溝道溝槽MOSFET BSS138AKW-Q數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 10:11:070 。按導(dǎo)電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
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2024-01-04 14:22:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:28:290 型號(hào)：SI4559EY-T1-E3-VB絲?。篤BA5638品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N+P溝道- 額定電壓：±60V- 最大連續(xù)電流：6.5A (N溝道) / -5A (P溝道
2023-12-22 10:50:18
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1.42V- 封裝：SOP8**詳細(xì)參數(shù)說明：**SI4425BDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET，最大
2023-12-20 11:46:33
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2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:36:290 型號(hào)：SI9407BDY-T1-GE3-VB絲?。篤BA2658品牌：VBsemi參數(shù)說明：- **P溝道：** 該器件是一種P溝道MOSFET，電流在P溝道中流動(dòng)，通常用于不同類型的應(yīng)用，如
2023-12-18 17:29:51
根據(jù)提供的型號(hào)和參數(shù)，以下是對(duì)該 MOSFET 型號(hào) SI4413DY-T1-E3-VB 的詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介：**型號(hào)：** SI4413DY-T1-E3-VB**絲印：** VBA2311
2023-12-18 17:08:07
型號(hào)：SI1555DL-T1-GE3-VB絲印：VBK5213N品牌：VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明：- 類型：N+P溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：±20V- 額定電流（Id）：2.5A (N
2023-12-13 15:33:24
Ω @2.5V，15Vgs（±V）；-0.6～-2Vth(V)；SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI9424DY-T1-E3-VB是一款P溝道功率MOSFET器件，適用于多種領(lǐng)域的電子
2023-12-13 15:28:40
電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓：-1.37V；封裝：SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P溝道MOSFET，適用于中
2023-12-13 10:26:00
應(yīng)用簡(jiǎn)介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），能有效降低導(dǎo)通損耗，在需要高效能轉(zhuǎn)換
2023-12-13 10:11:37
：SI2333CDS-T1-GE3是一款適用于低電壓、高電流的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻和小封裝適合高效能、小型化的電路。常用于電池供電設(shè)備、小型電子設(shè)備等
2023-12-09 15:05:38
。應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2323CDS-T1-GE3適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、
2023-12-09 15:03:33
。應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2319CDS-T1-GE3適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻，
2023-12-09 15:02:20
：SOT23。應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2305ADS-T1-GE3是一款中功率P溝道MOSFET，適用于功率開關(guān)、逆變器和電源管理等應(yīng)用。其能夠處理適中的功率需求。優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：具
2023-12-09 14:55:59
(±V)閾值電壓：-0.81V；封裝：SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。其低
2023-12-09 14:50:12
(±V)閾值電壓：-0.81V；封裝：SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。
2023-12-09 14:48:47
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 
Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
請(qǐng)問：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
型號(hào) SI6913DQ-T1-GE3-VB絲印 VBC6P3033品牌 VBsemi參數(shù) 溝道類型 P溝道 額定電壓
2023-11-15 11:48:58
型號(hào) SI2301ADS-T1-GE3-VB絲印 VB2290品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 溝道類型 P溝道
2023-11-13 17:04:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:290 型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
型號(hào) SI4401DDYT1GE3絲印 VBA2412品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 11A 導(dǎo)通電阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15:08
Ω @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 1V 封裝類型 SOT23詳細(xì)參數(shù)說明 SI2323DDST1GE3是一款P溝道MOS管，適用
2023-11-06 11:02:58
型號(hào) SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。
2023-11-03 14:56:23293 
型號(hào) SI2369DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ@10V, 56m
2023-11-02 10:57:13
Si1553CDLT1GE3詳細(xì)參數(shù)說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 2.5A (N溝道), 1.5A (P溝道) 導(dǎo)通電阻 130mΩ @ 4.5V (N溝道
2023-11-02 10:26:43
型號(hào) SI2307DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS)
2023-11-02 09:13:48
型號(hào) SI3911DVT1GE3絲印 VB4290品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 2個(gè)P溝道MOSFET 最大耐壓 20V 最大電流 4A 導(dǎo)通電阻 75mΩ @4.5V
2023-11-01 15:46:24
) 閾值電壓 1Vth (V) 封裝類型 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。它具有負(fù)的額定電壓和
2023-11-01 11:30:21
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:401025 
在過去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
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2023-09-27 11:35:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
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2023-09-26 15:43:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:110 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道，從側(cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
一般說明SI4606采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，以提供優(yōu)良的活性氧（導(dǎo)通），低柵極電荷柵極電壓低至4.5V的操作。該裝置適用于筆記本電腦、便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)的電源管理。??深圳市奧科迪科技有限公司
2023-07-05 17:37:140 功率MOSFET的類型：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)。
2023-07-04 16:50:23881 
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書免費(fèi)下載。
2023-06-14 17:04:041 PTS4842 N溝道高功率MOSFET規(guī)格書
PTS4842采用溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結(jié)合在一起，使這種設(shè)計(jì)成為一種適用于各種DC-DC應(yīng)用的高效可靠的設(shè)備。
2023-06-14 16:55:480 *附件：power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松地實(shí)現(xiàn)單刀雙擲 （SPDT） 開關(guān)，以隔離電路的一部分，并在電路其余部分關(guān)閉時(shí)從次級(jí)電源為其供電，以便待機(jī)工作 （圖1 ）。通過使用互補(bǔ)對(duì)，您可
2023-05-31 17:49:243200 
。與其他類型的晶體管相比，MOSFET具有更高的功率密度，這是一個(gè)明顯的優(yōu)勢(shì)。此外，與BJT（雙極結(jié)型晶體管）相比，MOSFET需要最少的輸入電流來控制負(fù)載電流。
2023-05-24 11:19:06720 為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 Boost升壓電路，DC60-DC72大功率用于電動(dòng)車增速使用，MOSFET管燒壞導(dǎo)致短路，這種管子網(wǎng)上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?
2023-05-16 14:26:16
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
SI8274DB1-IS1
2023-04-06 23:31:58
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
2023-03-28 22:18:09
H8499KBDA
2023-03-28 14:56:43
SI8273DB-IS1R
2023-03-28 13:53:18
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514
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