榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
電荷耦合器件 (Charge Coupled Device,CCD）是一種半導(dǎo)體器件，它的基本單元是 MOS 電容器，器件中的所有基本單元電容器依次排列。
2024-02-20 17:30:20205 光耦合器、光分束器、光分波器的區(qū)別？ 光耦合器、光分束器和光分波器是光學(xué)器件中常用的三種器件，它們?cè)诠鈱W(xué)通信、光學(xué)測(cè)量等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。盡管它們的名稱(chēng)相似，但是它們的功能和工作原理有所區(qū)別。本文
2024-02-20 14:22:22186 光纖耦合器分單模和多模嗎 光纖分路器和光纖耦合器有何不同 光纖耦合器分單模和多模，具體來(lái)說(shuō)，光纖耦合器是一種用于實(shí)現(xiàn)光纖之間的光信號(hào)耦合的光學(xué)元件。它可以將來(lái)自多個(gè)輸入光纖的光信號(hào)耦合到一個(gè)或多個(gè)
2024-02-20 14:11:06194 IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流能力的輸出信號(hào)。在工業(yè)控制和電源
2024-02-20 11:00:57204 引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車(chē)身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車(chē)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開(kāi)了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-30 17:39:01
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-30 17:29:18
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-30 15:34:58
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-30 15:30:38
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-29 18:07:22
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-29 17:16:02
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2024-01-29 17:09:04
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2024-01-29 16:24:57
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-29 14:53:06
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2024-01-29 14:41:33
目前的光電耦合器產(chǎn)品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達(dá)林頓、 IGBT驅(qū)動(dòng)光耦等產(chǎn)品， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、移動(dòng)互聯(lián)、智能儀表、智能汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備
2024-01-29 14:35:47
光耦合器的工作模式 選購(gòu)光耦合器注意事項(xiàng)? 光耦合器是一種將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，或?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件。它在光通信、光傳感、光電子設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。光耦合器的工作模式有多種，并且在選購(gòu)時(shí)有
2024-01-23 15:29:00131 IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有
2024-01-23 13:44:51674 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57269 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個(gè)專(zhuān)門(mén)的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制其開(kāi)通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極
2024-01-17 13:56:55552 
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521672 本文深入探討了光耦合器的主要參數(shù)，并指導(dǎo)您選擇理想的高速光耦合器。
2024-01-05 16:07:49149 
耦合器是一種用于將電路中的信號(hào)進(jìn)行耦合或解耦的器件。在電路中，耦合器通常用于將信號(hào)從一個(gè)電路傳輸?shù)搅硪粋€(gè)電路，或者從一個(gè)電路中提取信號(hào)。它也可以用于將一路微波功率按比例分成幾路，實(shí)現(xiàn)功率分配。常見(jiàn)
2023-12-23 16:15:191123 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、詳實(shí)、細(xì)致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它們的主要區(qū)別在于結(jié)構(gòu)和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構(gòu)成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高CMR、高速TTL兼容光電耦合器應(yīng)用介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-14 10:46:46
0 一、產(chǎn)品介紹 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)
2023-12-13 16:36:19131 
圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 的應(yīng)用。目前它已成為種類(lèi)最多、用途最廣的光電器件之一。
（二）光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管（LED），使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光，被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生
2023-12-12 19:41:38
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
20dB、±1.0dB標(biāo)稱(chēng)耦合（相較于輸出）和±0.5的頻率敏感度。195020定向耦合器的插入損耗（包括耦合功率）低于1.5dB，方向性超過(guò)10dB，最高VSWR（任意端口）為1.80，額定輸入功率
2023-11-30 11:17:44
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:25217 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 在電力電子領(lǐng)域，為了最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗，通常希望開(kāi)關(guān)時(shí)間短。然而快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設(shè)計(jì)更高性能的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 。 目前，寬帶隙半導(dǎo)體
2023-11-17 18:45:01326 
本應(yīng)用報(bào)告旨在展示一種為高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能柵極驅(qū)動(dòng)電路 應(yīng)用非常重要。這是一個(gè)內(nèi)容詳實(shí)的主題集，可為您提供解決最常見(jiàn)設(shè)計(jì)難題的“一站式服務(wù)”。因此，它可為具有不同經(jīng)驗(yàn)的電子產(chǎn)品工程師提供強(qiáng)大
2023-11-17 16:56:163 定向耦合器的耦合度和耦合損耗之間存在一定的關(guān)系。耦合度是指定向耦合器中從一個(gè)輸入端口到另一個(gè)輸出端口的能量傳輸比例，通常以分貝（dB）為單位表示。耦合損耗是指在能量傳輸過(guò)程中由于耦合器的結(jié)構(gòu)和材料等因素引起的能量損失，通常以分貝（dB）為單位表示。
2023-10-27 11:14:54401 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622
l 華潤(rùn)微
成立時(shí)間：1997年
業(yè)務(wù)模式：IDM
簡(jiǎn)介：中國(guó)最大的功率器件企業(yè)之一，主要產(chǎn)品包括以MOSFET、IGBT 為代表的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品和以光電傳感器、煙報(bào)傳感器、MEMS 傳感器為主
2023-10-16 11:00:14
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成，密閉于同一殼體內(nèi)，彼此用透明絕緣體隔離。 東芝擴(kuò)展了智能柵極
2023-09-28 17:40:02526 
光耦合器：
光耦合器、光電耦合器或光隔離器是一種利用光在兩個(gè)隔離電路之間傳輸電信號(hào)的元件。光隔離器可防止高電壓影響接收信號(hào)的系統(tǒng)。光耦合器有四種常見(jiàn)類(lèi)型，每種類(lèi)型都具有紅外 LED 光源，但具有不同的光敏器件。這四種光耦合器分別稱(chēng)為：光電晶體管、光電達(dá)林頓、光電SCR 和光電雙向可控硅，如下所示。
2023-09-25 15:31:23817 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿(mǎn)足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 和低壓功率MOSFET與 IGBT ? 定制的電源模塊? 二極管和晶閘管 ? 保護(hù)器件和濾波器? AC-DC轉(zhuǎn)換器和控制器 ? DC/DC轉(zhuǎn)換器 ? 線性電壓穩(wěn)壓器 ? 模擬集成電路 ? 電池管理IC ? 數(shù)字控制器? STM32微控制器 ? MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 非常好的資料
2023-09-07 07:36:32
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù)，以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
。在IGBT中，P型區(qū)和N型區(qū)被分別放置在一個(gè)PNPN結(jié)構(gòu)中，然后通過(guò)MOSFET的柵極進(jìn)行控制。MOSFET是由金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成的，MOSFET的柵極由氧化物隔離。 2. 開(kāi)關(guān)速度 MOSFET的開(kāi)關(guān)速
2023-08-25 14:50:013217 定向耦合器是射頻電路設(shè)計(jì)中常用的一種射頻無(wú)源器件，它將線路中傳輸?shù)纳漕l功率耦合到另一個(gè)線路里。定向耦合器的基本特征是它只將信號(hào)耦合到指定的方向。
2023-08-23 14:05:091818 
MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問(wèn)題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
耦合器是利用微波傳輸中的耦合原理對(duì)主線路信號(hào) 進(jìn)行采樣，高隔離度，高定向性，低插損等優(yōu)勢(shì)的 電性能使其能滿(mǎn)足耦合檢測(cè)及末級(jí)放大器耦合等應(yīng) 用的嚴(yán)格要求。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
?采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)生產(chǎn)，圖形
2023-08-03 10:47:41
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場(chǎng)
2023-07-31 11:14:43404 
介紹
在設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來(lái)匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
寬供電電壓、雙通道、高速、低測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，包括功率MOSFET，IGBT。單個(gè)通道能夠提供高達(dá)4A拉電流和4A灌電流的軌到軌驅(qū)
2023-07-18 09:01:27330 
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司——思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)——TPM2351x系列, 因其突出的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅(qū)動(dòng)中。
2023-07-14 10:52:54453 
PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ，特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
2023-07-11 16:12:24434 
TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF2011M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2011的高側(cè)能夠
2023-06-29 10:58:25
TF21064M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF21064M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-29 10:14:02
TF21814是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2181M的高側(cè)在
2023-06-29 09:10:24
TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2003M高側(cè)切換到250V的引導(dǎo)操作
2023-06-27 16:35:30
為滿(mǎn)足汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車(chē)規(guī)級(jí)高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件
2023-06-21 19:15:01398 
定向耦合器您聽(tīng)說(shuō)過(guò)嗎?什么是定向耦合器?這是目前咨詢(xún)比較多的一個(gè)問(wèn)題，為了幫助大家更好的選擇，科蘭通訊小編為大家介紹一下定向耦合器。 什么是定向耦合器? 定向耦合器是微波系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛的一種微波器件
2023-06-16 09:52:47695 
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開(kāi)關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)電源、牽引電機(jī)控制
2023-06-14 20:15:012111 
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)
2023-06-08 14:03:09362 一路微波功率按比例分成幾路，這就是功率分配問(wèn)題。實(shí)現(xiàn)這一功能的元件稱(chēng)為功率分配元器件即耦合器，主要包括: 定向耦合器、功率分配器以及各種微波分支器件。這些元器件一般都是線性多端口互易網(wǎng)絡(luò)。在機(jī)械中，將驅(qū)動(dòng)設(shè)備和被
2023-06-05 11:39:46354 
本參考設(shè)計(jì)采用 Flybuck 變換器為 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器提供正負(fù)電壓軌。Flybuck 變換器可等效于降壓變換器和類(lèi)似反激變換器二次側(cè)的組合，采用同步 Buck 芯片實(shí)現(xiàn)電路控制，并使用變壓器
2023-05-25 09:40:533958 
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱(chēng)是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于功率MOSFET，IGBT和寬禁帶器件，例如氮化鎵功率器件等驅(qū)動(dòng)。 提供高達(dá)4A驅(qū)動(dòng)拉電流和灌電流，并實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出
2023-05-05 09:00:14209 輸出光電耦合器的最基
本電路。在該電路中由于輸出元件的功率MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)型元件，因此利用光電二極管陣列(P.D.A)所供給的電壓使柵極容
量充電，致使柵極電壓上升至接通電壓（閾值），從而使MOSFET輸出光電耦合器動(dòng)作。
2023-04-26 11:06:352 您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
，工程師們需要選用合適的柵極驅(qū)動(dòng)器，提高UPS的轉(zhuǎn)換效率和響應(yīng)速度，以滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的UPS市場(chǎng)需求。高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電路，用于控制半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)（例如MOSFET或IGBT）的導(dǎo)通和斷開(kāi)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制和調(diào)節(jié)。正確選擇高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-11 12:39:14279 
基極電，使IGBT關(guān)斷。 由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通; 若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
2023-04-08 09:36:261454 本文介紹了光耦合器反饋驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2023-04-07 15:23:59797 
前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺(jué)人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:291595 
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門(mén)控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546 薩科微slkor半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹說(shuō)，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型晶體管)和 MOSFET
2023-04-03 16:29:25521 
光耦合器用于各種應(yīng)用，包括光通信（如光纖）和存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)已經(jīng)存在了30年，并且隨著數(shù)碼相機(jī)和其他電子元件的出現(xiàn)而得到更廣泛的應(yīng)用。光耦合器是半導(dǎo)體二極管器件的一個(gè)例子，主要由光耦合器和LED組成。
2023-03-31 17:28:28998 電機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……這樣的例子不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在這種應(yīng)用中很常見(jiàn)，且總是通過(guò)用于電源級(jí)的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。
2023-03-31 09:40:45369 帶 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器的光耦合器
2023-03-24 15:09:07
IGBT模塊作為汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開(kāi)關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開(kāi)關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
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