電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:19:01
0 利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:46
67 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來(lái)了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)
2024-03-13 01:17:002631 
在通用PWM發(fā)電機(jī)中，我可以用任何型號(hào)替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:03:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:02:240 SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)
2024-01-04 09:41:54593 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:28:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040120L4A0：1200 V，40 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:26:191 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì)，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:56466 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:36:290 PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
2023-12-14 00:36:55
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42207 
瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13194 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17221 
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
2023-12-06 21:55:36
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過(guò)測(cè)試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:49322 
有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過(guò)熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過(guò)早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:30332 SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21431 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告
2023-12-05 14:34:46210 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 
深入剖析高速SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫(huà)一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)
2023-11-09 10:10:02333 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開(kāi)關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。
2023-11-03 14:56:23293 
下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10422 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 額外的650和1200V SiC SBD型號(hào)滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品系列中增加了十種新的變體
2023-10-13 17:06:38866 我們知道，SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問(wèn)題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問(wèn)題，最近，日本東北大學(xué)提出了一項(xiàng)新的外延生長(zhǎng)技術(shù)，據(jù)說(shuō)可以將柵氧界面的缺陷降低99.5%，溝道電阻可以降低85.71%，整體SiC MOSFET損耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢(shì)
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:110 碳化硅，或SiC，作為一種半導(dǎo)體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291250 
?
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351 在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開(kāi)關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 
談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
據(jù)介紹，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開(kāi)發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:57740 
本文作者：安森美業(yè)務(wù)拓展工程師Didier Balocco 在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)
2023-07-18 19:05:01462 
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2023-06-14 17:04:041 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開(kāi)發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09365 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
SiC功率
MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽(yáng)能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC
MOSFET開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲，門極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因?yàn)樵诙搪?/div>
2023-06-01 10:12:07998 
在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-26 09:52:33462 
與硅相比，寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，如 Wolfspeed 的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）可為電源設(shè)計(jì)人員帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)。更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗提高了效率，高頻工作有助于減小電感
2023-05-24 10:40:05546 
2023年5月8日，三菱電機(jī)宣布將于5月31日開(kāi)始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17833 高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
2023-05-04 09:43:181393 
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02813 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 MOSFET溝道會(huì)降低溝道密度并增加RonA?，F(xiàn)在新的內(nèi)嵌式SBD結(jié)構(gòu)解決了這一問(wèn)題，東芝證實(shí)這種方法顯著提高了性能特征。通過(guò)將SBD按格子花紋分布，降低了SBD嵌入式SiC MOSFET的導(dǎo)通損耗，并
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329 在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:53:43
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:53:19
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:53:05
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:58
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:43
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:35
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
2023-03-27 13:52:06
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
2023-03-27 13:51:47
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:51:45
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
2023-03-27 13:51:13
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:50:58
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:50:41
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:50:41
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論