英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

　　英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET。結(jié)合創(chuàng)新的包裝技術(shù)和英飛凌的薄晶圓的工藝技術(shù)，新的40V的OptiMOS?T2的功率MOSFET。英飛凌采用擴(kuò)散焊接模具附加的方法來生產(chǎn)的無鉛封裝，包括TO - 220，TO - 262和TO - 263。由于在封裝幾何方面的具體要求，模具墊厚度和芯片尺寸的擴(kuò)散焊接模具適合這三種封裝類型，英飛凌能夠提供他們的OptiMOS T2的包在這些產(chǎn)品的生產(chǎn)準(zhǔn)備。

　　隨著新的MOSFET系列，英飛凌超過目前符合RoHS(有害物質(zhì)限制)與鉛基焊料，用來連接硅芯片令。待2014年實施后，可能需要100%無鉛封裝。由于在同行業(yè)中第一個MOSFET，英飛凌新設(shè)備使客戶能夠滿足這些嚴(yán)格的要求。

　　“英飛凌是在功率半導(dǎo)體和相關(guān)封裝技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。引進(jìn)無鉛封裝，英飛凌是世界上第一個芯片供應(yīng)商，目前我們的汽車客戶未來的證明，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保MOSFET，以發(fā)展高效節(jié)能的“綠色”產(chǎn)品?！?/p>

　　英飛凌專利的無鉛芯片連接(包芯片和引線框架之間的互聯(lián))使用擴(kuò)散焊接方法，它可以更好的電氣性能和熱性能，制造和質(zhì)量。

閱讀全文

英飛凌(136806) 英飛凌(136806)
功率MOSFET(21639) 功率MOSFET(21639)

英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V

2024-03-20 10:32:36

126

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。

2024-03-20 10:27:29

117

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率

2024-03-20 08:13:05

全面提升！英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1

2024-03-19 18:13:18

1430

英飛凌揭曉非汽車領(lǐng)域MCU發(fā)展策略

英飛凌目前正在開發(fā) 2020 年收購的前賽普拉斯半導(dǎo)體公司 (Cypress) 的“XMC”和“PSoC”，作為適用于工業(yè)和消費(fèi)類等非汽車應(yīng)用的 Arm 核心微控制器。

2024-03-18 10:22:47

英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源

2024-03-15 16:31:45

203

Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率

2024-03-12 10:38:14

102

Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET

近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV

2024-03-12 10:32:02

東芝推出新一代高速二極管型功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。

2024-03-12 10:27:36

255

英飛凌推出高密度功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心降本增效

隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)出爆炸式增長，進(jìn)而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下，英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）優(yōu)化方案。

2024-03-12 09:58:24

226

英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)

在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。

2024-03-12 09:53:52

英飛凌與威邁斯合作為電動汽車提供快速充電服務(wù)

在電動汽車領(lǐng)域，快速充電技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。近日，全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先者英飛凌科技與中國新能源汽車功率電子和電機(jī)驅(qū)動器制造的佼佼者深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）宣布

2024-03-12 09:49:50

115

英飛凌推出TDM2254xD系列雙相功率模塊

隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，進(jìn)而推動數(shù)據(jù)中心對高效、可靠且成本優(yōu)化的功率解決方案的需求日益增長。為滿足這一市場需求，英飛凌科技近日正式推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的基準(zhǔn)性能，并有效降低總體擁有成本。

2024-03-12 09:44:23

116

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動力。

2024-03-12 09:43:29

125

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動碳化硅技術(shù)的發(fā)展

碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴(kuò)大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。

2024-03-12 09:33:26

239

英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，提升電力效率與可靠性

另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。

2024-03-10 12:32:41

502

英飛凌發(fā)布新型汽車可編程SoC

英飛凌近期發(fā)布了搭載第五代人機(jī)界面（HMI）技術(shù)的新型汽車可編程SoC，以及汽車和工業(yè)級750V G1離散SiC MOSFET，這兩項新產(chǎn)品的發(fā)布進(jìn)一步鞏固了英飛凌在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

2024-03-08 10:52:19

267

英飛凌推出高密度功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供基準(zhǔn)性能，降低總體擁有成本

TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強(qiáng)大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu)，通過穩(wěn)健的機(jī)械設(shè)計提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行效率，在滿足A

2024-03-05 13:52:10

495

意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。

2024-02-27 09:05:36

578

東芝推出高速二極管型功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），

2024-02-22 18:22:41

976

Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。

2024-02-22 17:11:08

353

英飛凌與本田合作開發(fā)汽車半導(dǎo)體解決方案

來源：EE Times Asia 英飛凌科技股份公司和本田汽車有限公司簽署了一份諒解備忘錄 (MoU)，以建立汽車半導(dǎo)體解決方案的戰(zhàn)略合作。本田選擇英飛凌作為半導(dǎo)體合作伙伴，以協(xié)調(diào)未來的產(chǎn)品和技術(shù)

2024-02-21 14:02:54

103

英飛凌與本田汽車攜手開啟戰(zhàn)略合作新篇章

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌（Infineon Technologies）與日本知名汽車制造商本田汽車（Honda）共同簽署了一份諒解備忘錄，標(biāo)志著雙方正式建立戰(zhàn)略合作關(guān)系。此次合作將為本田汽車的未來發(fā)展注入強(qiáng)大動力，并進(jìn)一步提升英飛凌在全球汽車半導(dǎo)體市場的地位。

2024-02-03 09:46:01

245

英飛凌與格芯延長汽車微控制器長期供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技與格芯近日宣布了一項新的多年期供應(yīng)協(xié)議，該協(xié)議涵蓋了英飛凌的AURIX? TC3x 40納米汽車微控制器以及電源管理和連接解決方案。這一合作旨在滿足英飛凌在2024年至2030年間的業(yè)務(wù)增長需求，通過鎖定新增產(chǎn)能，為英飛凌提供穩(wěn)定的供應(yīng)鏈保障。

2024-02-02 10:30:22

215

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。

2024-02-01 10:51:00

381

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部：做更可靠的SiC解決方案提供商

/導(dǎo)讀/英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體市場絕對的領(lǐng)軍者，對全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月，英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率（GIP

2024-01-10 08:13:51

152

英飛凌榮獲年度國際功率器件行業(yè)卓越獎

英飛凌是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅(qū)動器IC獲得年度國際功率器件行業(yè)卓越獎。本次評獎活動由世紀(jì)電源網(wǎng)舉辦，旨在通過客觀、真實、公開的評選方式，評選

2023-12-30 08:14:04

173

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15

2023-12-29 12:30:49

362

AD8620BR含鉛型號的焊接溫度是多少？

含鉛型號的焊接溫度是多少？只能查到無鉛是260℃，謝謝。

2023-12-26 08:05:30

AOS｜80V和100V車規(guī)級TOLL封裝MOSFET

應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其

2023-12-15 11:26:49

279

AOS推出采用 TOLL 封裝技術(shù)的80V 和 100V 車規(guī)級MOSFET

應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其

2023-12-14 16:55:24

949

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率

2023-12-12 18:04:37

494

英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業(yè)自動化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域，英飛凌的IGBT模塊

2023-12-07 16:45:21

469

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

2023-12-06 18:22:24

522

英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)

2023-12-05 17:03:49

446

功率MOSFET雪崩特性分析

功率MOSFET雪崩特性分析

2023-12-04 14:12:36

315

功率MOSFET管應(yīng)用問題匯總

問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？

2023-12-03 09:30:40

408

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅

2023-12-02 08:14:01

310

英飛凌EiceDRIVER?技術(shù)以及應(yīng)對SiC MOSFET驅(qū)動的挑戰(zhàn)

碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開關(guān)速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅(qū)動電壓的選擇、驅(qū)動參數(shù)配置及短路響應(yīng)時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC

2023-12-01 08:14:10

212

SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET

為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。最近推出的 SemiQ SiC

2023-11-26 16:40:46

862

功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識

功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識

2023-11-23 09:06:38

407

AD828AR有沒有對應(yīng)的無鉛器件？

AD828AR有沒有對應(yīng)的無鉛器件？型號是？我在[size=13.3333px]AD828的datasheet里居然沒找見，請幫忙指出在那個文檔里可以找到？具體在文檔的第幾頁？謝謝

2023-11-21 08:03:01

MOSFET創(chuàng)新助力汽車電子功率密度提升

隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。

2023-11-20 14:10:06

672

首顆應(yīng)用新型MRigidCSP? 封裝技術(shù)MOSFET

日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出了用于電池

2023-11-13 18:11:28

219

現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議

【 2023 年 11 月 7 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體長期供貨

2023-11-09 14:07:51

176

英飛凌與現(xiàn)代汽車、起亞汽車簽署了功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌的功率半導(dǎo)體對電動汽車轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動功率半導(dǎo)體市場強(qiáng)勁增長，尤其是基于功能硅材料（如SiC）的半導(dǎo)體市場。通過在馬來西亞居林?jǐn)U建廠房，英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體

2023-11-07 11:00:57

385

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 11:00:52

419

LP4931A 三相無刷直流電機(jī)前置驅(qū)動器

5mm × 5 mm，28-PinQFN 封裝，帶外露熱傳導(dǎo)墊片。該小型封裝為無鉛產(chǎn)品，引線框架采用 100%霧錫電鍍

2023-10-27 09:30:29

功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗

功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際

2023-10-26 08:02:47

373

功率MOSFET的分類及優(yōu)缺點功率MOSFET的選型要求

在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。

2023-10-25 10:43:16

765

功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗分享

和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。

2023-10-25 10:42:27

493

Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品IXTY2P50PA

Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。

2023-10-25 09:43:25

402

PC6688多節(jié)鋰電池3A/10V充電芯片ESOP10/QFN16超小體積封裝

無過熱風(fēng)險的利率可選電池溫度監(jiān)測之前和充電期間的自動睡眠模式低功率過電流保護(hù) ESOP10中的可用消耗符合RoHS，100%無鉛功能引腳描述典型應(yīng)用電路ESOP10 QFN16 應(yīng)用程序便攜式

2023-10-24 10:20:35

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車和起亞達(dá)成為期多年的Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車公司和起亞公司達(dá)成了一項為期多年的SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并儲備制造能力，為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片，直至2030年。現(xiàn)代/起亞將提供資金支持

2023-10-23 15:40:35

436

汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的解決方案

汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中。現(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。

2023-10-20 11:44:58

148

英飛凌推出更智能的新一代胎壓監(jiān)測傳感器XENSIV SP49

據(jù)麥姆斯咨詢報道，汽車技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（Infineon）近日宣布推出新款創(chuàng)新的胎壓監(jiān)測傳感器XENSIV? SP49。

2023-10-19 14:22:14

267

Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z

Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。

2023-10-18 09:13:28

502

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率

2023-10-18 09:11:42

621

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。

2023-10-13 16:25:12

518

英飛凌推出采用TOLx 封裝的全新車用60V和120V OptiMOS 5，適用于24 V-72 V 供電的大功率 ECU

單元（ECU）市場預(yù)計將在未來幾年持續(xù)增長。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）針對這一發(fā)展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導(dǎo)體產(chǎn)品

2023-10-13 13:57:36

1132

英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場

基于碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢，為實現(xiàn)新應(yīng)用和推進(jìn)充電站技術(shù)創(chuàng)新創(chuàng)造了機(jī)會。近日，英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作

2023-10-12 08:14:48

709

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢？

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性

2023-10-11 09:35:49

686

MOSFET功率損耗詳細(xì)計算

MOSFET功率損耗的詳細(xì)計算

2023-09-28 06:09:39

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

2023-09-18 16:54:35

590

聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上，對于半導(dǎo)體器件的要求，不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢，在很多時候它充當(dāng)了更多的是一個引領(lǐng)者的角色

2023-09-15 09:24:18

1575

搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中，再次刷新

2023-09-14 08:16:10

430

600 - 650V MDmesh DM9快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性

和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。

2023-09-08 06:00:53

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣

2023-09-06 14:18:43

1202

英飛凌單管功率器件的SPICE模型解析及使用方法# #工欲善其事必先利其器，曬一曬你的工具庫

英飛凌功率器件模型

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2023-08-31 19:21:23

一文了解新能源汽車中包含多少種芯片

達(dá)等） 03****功率芯片：IGBT、碳化硅、功率MOSFET 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。在新能源汽車中，中高壓MOSFET

2023-08-25 11:32:31

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。

2023-08-24 11:19:10

600

功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析

功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)

2023-08-24 09:13:06

552

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設(shè)備實現(xiàn)高散熱和小型化

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

2023-08-22 11:03:21

557

TOLL封裝MOSFET系列

產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

2023-08-16 09:17:34

885

安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

2023-08-14 15:04:45

367

英飛凌StrongIRFET 2：提供高效可靠的功率開關(guān)解決方案

TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術(shù)，它解決了廣泛的應(yīng)用，如適配器，電視、電機(jī)驅(qū)動、電動滑板車、電池管理、輕型電動汽車、機(jī)器人、電源和園藝工具。

2023-07-19 10:44:25

426

英飛凌與賽米控簽署多年期批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片協(xié)議

據(jù)分析師預(yù)測，到2028年，采用完全或部分電氣化動力傳動系統(tǒng)的汽車將占汽車產(chǎn)量的三分之二。? 電動汽車的快速增長推動了功率半導(dǎo)體的需求。在此背景下，英飛凌科技股份有限公司（FSE: IFX

2023-07-17 15:33:06

316

英飛凌與賽米控丹佛斯達(dá)成車用功率芯片供貨協(xié)議

英飛凌汽車部門總經(jīng)理Peter Schiefer表示：“作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍人物，英飛凌為干凈、安全的乘車券提供改變格局的解決方案。今天，igbt和二極管通過電力動力系統(tǒng)的有效電力轉(zhuǎn)換，對電動汽車產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)換起到了重要的作用。

2023-07-14 10:50:02

385

功率場效應(yīng)管的基本特性，如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能

MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換

2023-07-04 16:46:37

975

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate

2023-06-28 08:39:35

3665

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。

2023-06-27 17:41:20

369

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。

2023-06-26 13:10:00

302

行業(yè)應(yīng)用||安森德SJ MOSFET產(chǎn)品在充電樁上的應(yīng)用

廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低

2023-06-13 16:30:37

英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC，提升SMPS設(shè)計的系統(tǒng)性能

【 2023 年 5 月 15 日，德國慕尼黑訊】如今，3.3 kW的開關(guān)電源（SMPS）通過采用圖騰柱PFC級中的超結(jié)（SJ硅）功率MOSFET和碳化硅（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足

2023-06-07 15:16:56

561

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性

最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有

2023-06-06 11:01:36

1026

PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

2023-06-06 10:02:58

824

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate

2023-06-05 15:12:10

671

分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析

理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。

2023-06-03 12:30:58

382

功率模組封裝代工

功率模組封裝代工功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關(guān)元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述開關(guān)元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、晶閘管

2023-05-31 09:32:31

287

芯導(dǎo)科技推出的一系列TOLL封裝的MOSFET產(chǎn)品

TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。

2023-05-26 09:52:42

393

功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全

分享功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家

2023-05-24 10:22:02

采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計高能效焊機(jī)

的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。 ? 文：英飛凌科技高級應(yīng)用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機(jī)通常是通過功率模塊解決方案設(shè)計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降

2023-05-23 17:14:18

618