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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Ramtron通過(guò)低功耗非易失性存儲(chǔ)器來(lái)控制時(shí)間

Ramtron通過(guò)低功耗非易失性存儲(chǔ)器來(lái)控制時(shí)間

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2023-11-16 09:14:06413

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

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2023-11-15 10:20:01731

通過(guò)IIC總線讀寫(xiě)AT24C512存儲(chǔ)器

今天要講的是通過(guò)IIC總線來(lái)讀寫(xiě)AT24C512存儲(chǔ)。我們?cè)陂_(kāi)發(fā)一些項(xiàng)目的時(shí)候,如果要求對(duì)有些參數(shù)進(jìn)行存儲(chǔ),且掉電不丟失的話,我們就需要一些外部存儲(chǔ)器件,比如說(shuō)今天要講的AT24C512存儲(chǔ)器。下面就來(lái)看一下今天的例程吧!
2023-11-09 10:00:41660

單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間?

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2023-11-01 06:22:38

單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?

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2023-11-01 06:20:34

AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器?

大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了????AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25

《SoC底層軟件低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)》閱讀筆記

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2023-10-18 03:27:48

存儲(chǔ)器測(cè)試怎么才能穩(wěn)定 ?

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2023-09-27 18:26:171437

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2023-09-27 17:46:06490

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB52RS2MC在車載電子控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

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本文檔介紹了通過(guò)低功耗藍(lán)牙連接在 STM32WB 設(shè)備上進(jìn)行 OTA 固件更新的過(guò)程。它講解如何使用 STM32Cube 固件包中提供的 OTA 應(yīng)用程序,實(shí)現(xiàn)用戶應(yīng)用程序、無(wú)線固件和固件升級(jí)服務(wù)的更新
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不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)

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用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的最佳非易失性存儲(chǔ)器

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PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制器(PL241)技術(shù)參考手冊(cè)

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2023-08-02 07:14:25

PrimeCell AHB SDR和NAND存儲(chǔ)器控制器(PL242)技術(shù)參考手冊(cè)

AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35

FreeRTOS如何降低功耗

1、如何降低功耗? 一般的簡(jiǎn)單應(yīng)用中處理器大量的時(shí)間都在處理空閑任務(wù),所以我們就可以考慮當(dāng)處理器處理空閑任務(wù)的時(shí)候就進(jìn)入低功耗模式,當(dāng)需要處理應(yīng)用層代碼的時(shí)候就將處理器從低功耗模式喚醒
2023-07-30 11:18:36628

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫(xiě)速度快,沒(méi)有寫(xiě)等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫(xiě)使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [11] 存儲(chǔ)器 (3)

8 存儲(chǔ)器 8.5 外部存儲(chǔ)器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲(chǔ)器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個(gè)內(nèi)置的SDRAM控制器,可通過(guò)控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個(gè)可編程
2023-06-28 12:10:02348

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28873

列拓科技推出高性能、低功耗控制器芯片LTM32F103ZET6

Card外部存儲(chǔ)器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式,使其能夠滿足各種低功耗應(yīng)用的要求,其內(nèi)部框架圖如下: LTM32F103ZET6芯片主要特性: ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核 512KB閃存、64KB SRAM高
2023-06-26 14:12:19793

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

ROM與RAM的主要區(qū)別 存儲(chǔ)器rom的功能是什么

ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在,不會(huì)丟失,因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器,當(dāng)斷電時(shí),其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442014

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在MCU中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用

作為一種非易失性存儲(chǔ)器,鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn),雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合,鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134

SOC設(shè)計(jì)之外部存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) * **存儲(chǔ)容量** 存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定) * **實(shí)際存儲(chǔ)容量:** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間,也稱為讀寫(xiě)周期;
2023-05-26 11:28:10822

什么是外部存儲(chǔ)器

。存儲(chǔ)密度分為道密度、位密度和面密度。 數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲(chǔ)器在單位時(shí)間內(nèi)向主機(jī)傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:061409

適合用于多功能打印機(jī)存儲(chǔ)芯片S3A1604

MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫(xiě)速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395

如何使用ESP8266和ESPNOW的超低功耗觸發(fā)傳感?

我采用超低功耗、基于電池、低成本、實(shí)時(shí)觸發(fā)傳感來(lái)監(jiān)控門(mén)和運(yùn)動(dòng)或使它們充當(dāng)墻壁開(kāi)關(guān)。你可以在視頻中看到他們的動(dòng)作! 它在待機(jī)時(shí)使用微安,觸發(fā)時(shí)間為 240 毫秒。 使用 ESP8266、Attiny 和 設(shè)計(jì)。
2023-05-22 09:10:05

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息,一旦掉電信息會(huì)全部的丟失,由于柵極會(huì)漏電,所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷,并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷,這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新,所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-05-19 15:59:37

如何使用ESP8266和RTC來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗

主要集中在功耗上。我在我們的項(xiàng)目中使用 ESP8266 和 RTC 來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗我試圖讓 esp 進(jìn)入深度睡眠更多小時(shí)(8 小時(shí),6 小時(shí)),但它沒(méi)有正確重置。我懷疑 esp 是否會(huì)進(jìn)入深度睡眠幾個(gè)
2023-05-19 09:54:11

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

存儲(chǔ)器的創(chuàng)新和發(fā)展歷程介紹

首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器),以及與之密切相關(guān)的EPROM(可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器)。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出,并于1971年由英特爾進(jìn)一步開(kāi)發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408

如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器?

通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

IMXRT1062處理中的低功耗狀態(tài),如何讓它在接收到外部信號(hào)后返回到全運(yùn)行狀態(tài)?

如果這些是基本問(wèn)題或措辭不當(dāng)?shù)膯?wèn)題,請(qǐng)?jiān)徫?,因?yàn)槲覍?duì)這類微控制器編程項(xiàng)目還是陌生的。中演示項(xiàng)目中給出的 lpm 庫(kù)來(lái)降低 iMXRT1062 處理功耗 。我能夠讓設(shè)備進(jìn)入低功耗運(yùn)行狀態(tài),但我
2023-04-23 06:03:57

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH中,然后通過(guò)DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存,然后通過(guò)串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來(lái)。
2023-04-20 16:35:13

求分享i.mx RT1170中MX25L4006EM2R-12G非易失性存儲(chǔ)器接口的示例代碼

基本上,我想將數(shù)據(jù)寫(xiě)入/讀取 I.MX RT1170 評(píng)估板中的非易失性存儲(chǔ)器 (MX25L4006EM2R-12G)。1)是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考?像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門(mén)狗定時(shí),非易失性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器?

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551

如何通過(guò)PINT禁用低功耗喚醒定時(shí)

我正在嘗試為#QN9090 開(kāi)發(fā)設(shè)置一個(gè)帶有#JN5189 模塊的#OM15076-3 載板。不幸的是,使用低功耗喚醒定時(shí)(基于掉電示例)我不知道如何通過(guò)由 Pin INT 觸發(fā)的軟件控制
2023-03-27 07:08:16

分享一種ReRAM在助聽(tīng)器中的成功案例

ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有如低功耗和快速寫(xiě)入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽(tīng)器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054

LP3716

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:48:39

S9111A

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:02:02

S9111C

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:02:02

S9111CA

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:02:02

LP3773CA

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3773CN

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3773D

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783A

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783AM

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783B

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783BM

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3716CS

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58

LP3773A

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58

LP3773B

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58

PWR低功耗模式介紹

低功耗模式介紹 默認(rèn)情況下,微控制器在系統(tǒng)或電源復(fù)位后處于運(yùn)行模式。當(dāng) CPU 不需要保持運(yùn)行時(shí),例如等待外部事件時(shí),可以使用多種低功耗模式來(lái)節(jié)省電量。超低功耗 STM32L476xx 支持七種
2023-03-23 14:30:25853

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