電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）提及芯片制造技術(shù)，首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。眾所周知在芯片行業(yè)，光刻是芯片制造過(guò)程中最重要、最繁瑣、最具挑戰(zhàn)也最昂貴的一項(xiàng)工藝步驟。在光刻機(jī)的支持下，摩爾定律
2023-07-16 01:50:15
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光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒(méi)步進(jìn)式投影光刻機(jī)和極紫外式光刻機(jī)。
2024-03-21 11:31:4135 
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過(guò)約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級(jí)或更高。
2024-03-20 12:36:0054 
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低25毫歐電阻單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
CH32X035介紹：
CH32X035系列是基于青稞RISC-V內(nèi)核的Type-C接口特色MCU，提供PDUSB接口，單芯片集成USB控制器與PD控制器，內(nèi)置USB PHY和PD PHY，支持
2024-03-18 11:04:33
CH32X035介紹：
CH32X035系列是基于青稞RISC-V內(nèi)核的Type-C接口特色MCU，提供PDUSB接口，單芯片集成USB控制器與PD控制器，內(nèi)置USB PHY和PD PHY，支持
2024-03-18 11:00:45
沁恒CH32X035支持USB通訊+PD電源雙功能，集成PIOC、I2C、多組運(yùn)放/比較器/定時(shí)器等豐富片上資源，助您推開(kāi)Type-C的大門，開(kāi)啟PDUSB特色應(yīng)用創(chuàng)意之旅。
不知道他是否能支持RTT操作系統(tǒng)。
2024-03-18 10:59:20
如何區(qū)別普通電阻和保險(xiǎn)電阻？如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻好壞？ 普通電阻和保險(xiǎn)電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險(xiǎn)電阻，并說(shuō)明如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險(xiǎn)電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價(jià)低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地從多個(gè)方面對(duì)這兩種電阻進(jìn)行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 本帖最后由 1653149838.791300 于 2024-1-13 23:58 編輯
前陣子得了一塊CH32X035開(kāi)發(fā)板，這款開(kāi)發(fā)板是基于青稞 RISC-V 內(nèi)核設(shè)計(jì)的工業(yè)級(jí)微控制器
2024-01-13 23:55:30
電阻是一種基本的電子元件，用于限制電流的流動(dòng)。它的工藝和結(jié)構(gòu)對(duì)于其性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹電阻的工藝和結(jié)構(gòu)。 一、電阻的工藝 電阻的工藝種類繁多，可以根據(jù)阻值是否可以變化，分成兩大類：固定
2024-01-10 17:08:38182 
輸入100-240vac，輸出給700v/10000UF電解充電，充電時(shí)間1.5s，瞬間功率比較大，請(qǐng)問(wèn)一下LT3751能否做到，或者有其他合適方案
2024-01-05 07:26:24
使用LTC4013充電，輸入24V，5A充電，沒(méi)有使用MPPT功能，輸出接12V鉛蓄電池。
目前現(xiàn)象是可以產(chǎn)生5A電流充電，但Vinfet比Vdcin小，導(dǎo)致MOS管沒(méi)有進(jìn)行低阻抗導(dǎo)通，比較熱，請(qǐng)問(wèn)有關(guān)INFET管腳正常工作的設(shè)置條件（電路按照應(yīng)用電路設(shè)計(jì)）
2024-01-05 07:24:28
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 FIB失效分析缺陷觀察ictest1 一、FAB工藝流程入門 ?1.?這里的FAB指的是從事晶圓制造的工廠。半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體通常使用"FAB"這個(gè)詞，它和其他電子制造的“工廠”同義。在平時(shí)溝通的語(yǔ)境
2023-12-26 17:49:56596 UMS的CHA3656-FAB是種兩級(jí)自偏置電壓寬帶單片低噪聲放大器。CHA3656-FAB專門用來(lái)毫米波通信，也是非常適合普遍使用，如C、x、Ku雷達(dá)探測(cè)、測(cè)試設(shè)備和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
常州2023年12月21日?/美通社/ -- 12月11日，阿特斯、東方日升、TCL中環(huán)、天合光能、通威股份、正泰新能發(fā)布《關(guān)于推動(dòng)700W+光伏組件標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)和應(yīng)用的聯(lián)合倡議》，約定700
2023-12-22 05:56:29407 LED驅(qū)動(dòng)芯片在照明領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，而針對(duì)戶外LED照明應(yīng)用的高可靠解決方案也備受關(guān)注。SM2255PHG作為一款700V高可靠LED驅(qū)動(dòng)芯片，具有多項(xiàng)亮點(diǎn)，極大地滿足了戶外LED照明的需求。
2023-12-20 15:51:27300 
用萬(wàn)用表如何檢測(cè)普通電阻器？ 萬(wàn)用表是一種多功能測(cè)量工具，用于測(cè)量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測(cè)各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
惠斯通電橋測(cè)電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說(shuō)明其測(cè)量電阻的優(yōu)勢(shì)和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392756 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
11月23日，中國(guó)RISC-V軟硬件生態(tài)領(lǐng)導(dǎo)者賽昉科技正式發(fā)布自主研發(fā)的片上一致性互聯(lián)IP——昉·星鏈-700（StarLink-700），并推出基于StarLink-700和昉·天樞-90
2023-11-29 13:37:35
[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。
2023-11-21 17:03:00385 x-fab推出了最新版本的產(chǎn)品，擴(kuò)大了spad產(chǎn)品的選擇范圍，提高了解決近紅外線功能重要的新應(yīng)用領(lǐng)域的能力。這些新應(yīng)用包括飛行時(shí)間感知、車輛lidar影像、生物光學(xué)和flim研究工作以及醫(yī)療領(lǐng)域的各種相關(guān)活動(dòng)。
2023-11-21 10:47:26543 。與2021年推出的上一代SPAD一樣，這款近紅外SPAD也基于X-FAB的180 nm XH018工藝。通過(guò)在制造工藝中增加額外的步驟顯著增強(qiáng)了信號(hào)，同時(shí)仍然保持相同的低本底噪聲，且不會(huì)對(duì)暗計(jì)數(shù)率、寄生脈沖
2023-11-20 09:11:53398 的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 X-FAB Silicon Foundries SE正在以進(jìn)一步實(shí)質(zhì)性的方式推進(jìn)其電流隔離技術(shù)。X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎(chǔ)上，該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設(shè)計(jì)，現(xiàn)在可用
2023-11-07 16:02:34305 PFC開(kāi)關(guān)管來(lái)自納微，型號(hào)NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及高精度無(wú)損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置170mΩ導(dǎo)通電阻，耐壓700V的氮化鎵開(kāi)關(guān)管，支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用6*8mm QFN封裝，節(jié)省面積。
2023-10-31 16:01:39856 
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見(jiàn)的元件，它被用來(lái)控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359 
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對(duì)運(yùn)放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491671 
近日，天合光能至尊N型700W系列組件出貨寧夏東能源化工基地梅花井礦區(qū)，這是繼沙特45.5MW海水淡化電站項(xiàng)目、青海高海拔560MW興?？h大基地項(xiàng)目后，又一至尊N型700W系列組件的項(xiàng)目應(yīng)用。早前
2023-10-07 17:16:29705 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來(lái)檢測(cè)導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過(guò)的電流所引起的電壓降之比，通俗的說(shuō)就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引腳導(dǎo)通性測(cè)試是一個(gè)必要的步驟，用于驗(yàn)證和檢測(cè)芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
DMT15H035SCT 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMT15H035SCT 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
2023-09-18 13:56:54
薄膜電阻和厚膜電阻的區(qū)別1.結(jié)構(gòu):-薄膜電阻:薄膜電阻是通過(guò)在絕緣基板上沉積金屬或合金薄膜形成的。常用的薄膜材料有鉑、鎳鉻合金等。薄膜通常具有光滑且均勻的厚度，形成電阻元件的形狀和尺寸是通過(guò)光刻
2023-09-15 11:07:402114 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
一、關(guān)于CH32X035介紹CH32X035內(nèi)置USB和PD PHY，20KB RAM，62KB FLASH，支持USB Host主機(jī)和USB Device設(shè)備功能、USB PD及Type-C快充
2023-09-11 16:20:44
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
文章來(lái)源：cnblogs
一、關(guān)于CH32X035介紹
CH32X035內(nèi)置USB和PD PHY，20KB RAM，62KB FLASH，支持USB Host主機(jī)和USB Device設(shè)備功能
2023-09-02 14:45:14
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 節(jié)點(diǎn)、網(wǎng)關(guān)和嵌入式應(yīng)用程序構(gòu)建安全的SoC。有關(guān)組件版本，請(qǐng)參閱ARM?Corstone?-700發(fā)行說(shuō)明。
2023-08-30 07:37:11
近日，在至尊N型700W+組件量產(chǎn)暨2024年組件升級(jí)發(fā)布會(huì)上，天合光能宣布，至尊N型700W+組件提前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，成為行業(yè)首個(gè)實(shí)現(xiàn)TOPCon組件量產(chǎn)功率突破700W+的組件制造商。這將進(jìn)一步提高
2023-08-24 10:53:36599 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531573 
CoreSight組件提供以下系統(tǒng)范圍跟蹤功能：
·整個(gè)系統(tǒng)的調(diào)試和跟蹤可見(jiàn)性·SoC子系統(tǒng)之間的交叉觸發(fā)支持·單一流中的多源跟蹤·比以前的解決方案更高的數(shù)據(jù)壓縮·標(biāo)準(zhǔn)工具的標(biāo)準(zhǔn)程序員模型支持·第三方核心的開(kāi)放接口·低引腳數(shù)·低硅開(kāi)銷
2023-08-18 07:11:14
CHX2193 -FAB是一款 6.25-8.25GHz 倍頻器，專為從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。該電路采用 pHEMT 工藝
2023-08-10 11:16:26
CHT3091 -FAB是一款可變 DC-14GHz 衰減器，設(shè)計(jì)用于從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用。它采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。該電路采用 MESFET 工藝
2023-08-10 09:34:11
CHA5266 -FAB是一款三級(jí)單片 GaAs 中等功率放大器，采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。它設(shè)計(jì)用于廣泛的應(yīng)用，從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)。該電路采用 pHEMT
2023-08-09 17:52:51
CHA2069 -FAB是一款三級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。該電路采用標(biāo)準(zhǔn) pHEMT 工藝制造：0.25μm 柵極長(zhǎng)度、穿過(guò)基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。它采用無(wú)引線表面貼裝密封
2023-08-09 17:07:52
CHA3666 -FAB是一款兩級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。該電路采用標(biāo)準(zhǔn) pHEMT 工藝制造：0.25μm 柵極長(zhǎng)度、穿過(guò)基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。它采用無(wú)引線表面貼裝密封
2023-08-09 16:56:23
CHA3656-FAB 是一款兩級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。它專用于空間通信，也非常適合廣泛的應(yīng)用，例如 C、X、Ku 雷達(dá)、測(cè)試儀器和高可靠性應(yīng)用。該電路采用 pHEMT 工藝、0.25μm
2023-08-09 16:52:10
pHEMT 工藝、0.25μm 柵極長(zhǎng)度、穿過(guò)基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。它采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 SMD 封裝。 &nb
2023-08-09 16:47:59
CH32X035系列是基于青稞RISC-V4C內(nèi)核設(shè)計(jì)的工業(yè)級(jí)Type-C接口特色微控制器，提供62K FLASH程序空間，支持48MHz系統(tǒng)主頻，支持3.3V和5V供電，具有雙路OPA或PGA運(yùn)放
2023-08-09 11:19:00
和外圍設(shè)備擴(kuò)展的SoC需要超出最低子系統(tǒng)組件的額外內(nèi)存和外圍組件。例如，閃存沒(méi)有SSE-700，但可以通過(guò)實(shí)現(xiàn)的接口添加。
傳感器和執(zhí)行器參考設(shè)計(jì)可以通過(guò)添加傳感器或執(zhí)行器邏輯來(lái)擴(kuò)展，例如溫度輸入或電機(jī)控制
2023-08-02 07:46:43
、甚至斷裂等現(xiàn)象，導(dǎo)致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點(diǎn)電阻增大，從而不能滿足電力規(guī)程的要求，使設(shè)備在運(yùn)行中存在不安全隱患，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成設(shè)備失地運(yùn)行。因此在《防止電力生產(chǎn)
2023-08-01 10:41:40
BCR8PM-14LE 數(shù)據(jù)表 (700V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:41
0 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
。CBG9092集成了一個(gè)關(guān)閉偏置功能，允許TDD應(yīng)用程序的操作。該設(shè)備使用高性能E-pHEMT工藝進(jìn)行內(nèi)部匹配，只需要從單正電源接入的5個(gè)外部組件：外部射頻扼流圈和阻塞/支路電容和偏置電阻。CBG9092
2023-06-25 11:11:44
供應(yīng)pn6001線性ic內(nèi)置700V智能MOS離線式無(wú)電感穩(wěn)壓器芯片，提供pn6001資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于小家電電源、儀表顯示供電電源等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-21 10:53:48
KP3667X 是集成 700V 高壓 MOS 的 SSR 功率開(kāi)關(guān)管系列產(chǎn)品，包含 KP36673、KP36674 和 KP36675。它內(nèi)置 700V 高壓?jiǎn)?dòng) JFET，可以省去啟動(dòng)電阻，降低
2023-06-20 10:39:03457 
來(lái)源：X-FAB PhotonixFab將為光電子產(chǎn)品的創(chuàng)新及商業(yè)化打通路徑，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能制造 中國(guó)北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25453 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用現(xiàn)有組件實(shí)現(xiàn)任何電阻/電容.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-16 15:46:360 供應(yīng)700v超級(jí)結(jié)mos管SSF70R450S2，提供SSF70R450S2 mos管關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 13:54:181 光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205857 
至于X-FAB，其計(jì)劃擴(kuò)大在美國(guó)德克薩斯州拉伯克市（Lubbock）的代工廠業(yè)務(wù)。報(bào)道稱，該公司已在拉伯克運(yùn)營(yíng)20多年，將在未來(lái)5年內(nèi)進(jìn)行重大投資，其中第一階段的投資額為2億美元，以提高該廠區(qū)的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)量。
2023-05-24 11:12:55554 列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
BCR8PM-14LE 數(shù)據(jù)表 (700V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:420 新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片其浮動(dòng)通道可
用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達(dá) 700V。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作
2023-05-10 10:05:20
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級(jí)？
2023-03-31 11:45:58
TRIAC 700V 8A TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:25
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 18:51:42
TRIAC 700V 40A TOP3
2023-03-29 18:51:34
TRIAC SENS GATE 700V 4A IPAK
2023-03-29 18:50:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 18:48:55
TRIAC SENS GATE 700V 4A DPAK
2023-03-29 18:46:13
TRIAC ALTERNISTOR 700V 4A DPAK
2023-03-29 18:46:13
TRIAC 700V 25A TOP3
2023-03-29 18:46:08
TRIAC 700V 8A TO220AB
2023-03-29 18:45:48
SCR 4A 700V TO-220AB
2023-03-29 18:40:11
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