科銳開發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

　　美國(guó)科銳公司（Cree）開發(fā)出了直徑為150mm（6英寸）、晶型結(jié)構(gòu)為4H的n型SiC外延晶圓，適用于制造功率半導(dǎo)體、通信部件及照明部件等。

　　此次開發(fā)的晶圓厚100μm，可使用現(xiàn)有的150mm晶圓的設(shè)備來制造。開發(fā)品具有足夠的均質(zhì)性，可以穩(wěn)定供貨，目前已開始銷售?？其J在100mm（4英寸）SiC晶圓方面也有著良好的銷售業(yè)績(jī)，今后將繼續(xù)致力于SiC晶圓的大口徑化。

SiC

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led(645460) led(645460)
SiC(61349) SiC(61349)
科銳(23529) 科銳(23529)
功率半導(dǎo)體(42383) 功率半導(dǎo)體(42383)
半導(dǎo)體芯片(69635) 半導(dǎo)體芯片(69635)
美國(guó)原廠(16595) 美國(guó)原廠(16595)

評(píng)論

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C150N50Z4是一款終端

TTM Technologies 的 C150N50Z4 是一款頻率 DC 至 4 GHz、功率 150 W、回波損耗 20 至 24 dB、工作溫度 -50 至 200 攝氏度的終端。標(biāo)簽：芯片

2023-08-17 16:44:16

G150N50W4E端接器

TTM Technologies 的 G150N50W4E 是一款端接器，頻率 DC 至 3 GHz、功率 150 W、回波損耗 20 至 25 dB、工作溫度 -50 至 150 攝氏度。標(biāo)簽

2023-08-17 15:23:47

A150N50X4C是一款終端

TTM Technologies 的 A150N50X4C 是一款終端，頻率 DC 至 3 GHz、功率 150 W、回波損耗 26 dB、工作溫度 -55 至 150 攝氏度。標(biāo)簽：芯片、芯片終端

2023-08-17 15:00:12

A150N50X4B是一款終端

TTM Technologies 的 A150N50X4B 是一款終端，頻率 DC 至 2.7 GHz、功率 150 W、回波損耗 20 至 26 dB、工作溫度 -55 至 200

2023-08-17 14:58:14

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 14:43:34

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【資料分享】全志科技T507-H開發(fā)板規(guī)格書

；（4）協(xié)助正確編譯與運(yùn)行所提供的源代碼；（5）協(xié)助進(jìn)行產(chǎn)品二次開發(fā)；（6）提供長(zhǎng)期的售后服務(wù)。 10 增值服務(wù)主板定制設(shè)計(jì)核心板定制設(shè)計(jì)嵌入式軟件開發(fā)項(xiàng)目合作開發(fā)技術(shù)培訓(xùn) 更多關(guān)于全志科技T507-H核心板的開發(fā)資料，歡迎在評(píng)論區(qū)留言，感謝您的關(guān)注~

2023-08-08 16:28:40

請(qǐng)問STL210N4F7AG這個(gè)型號(hào)的實(shí)物marking是210N4F7H還是210N4F7?

標(biāo)簽上marking信息是210N4F7，怎么實(shí)物marking是210N4F7H，這個(gè)是正常的？

2023-08-07 11:52:00

SiC外延片測(cè)試需要哪些分析

對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。

2023-08-05 10:31:47

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SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎？

2023-08-03 11:21:03

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Renesas與Wolfspeed簽訂10年晶圓供應(yīng)協(xié)議

這份為期十年的供應(yīng)協(xié)議要求Wolfspeed在2025年為Renesas提供150mm碳化硅裸晶和外延晶圓，這強(qiáng)化了兩家公司對(duì)于從硅向硅碳化物半導(dǎo)體功率設(shè)備行業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。

2023-07-07 10:46:51

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晶圓級(jí)封裝技術(shù)崛起：傳統(tǒng)封裝面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇

晶圓

北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-07-06 11:10:50

瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

長(zhǎng)達(dá) 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)?；a(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強(qiáng)化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。

2023-07-06 10:36:37

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晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置

晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文

2023-06-30 14:57:40

硅谷之外的繁榮：中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在IC設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試領(lǐng)域的輝煌征程

晶圓

北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-06-27 10:52:55

繞不過去的晶圓測(cè)量

晶圓

YS YYDS發(fā)布于 2023-06-24 23:45:59

14.2 SiC晶體結(jié)構(gòu)和能帶

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:22:10

14.1 SiC基本性質(zhì)（下）

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:14:08

14.1 SiC基本性質(zhì)（上）_clip002

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:13:16

14.1 SiC基本性質(zhì)（上）_clip001

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:12:34

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。

2023-06-19 09:35:52

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GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。

2023-06-16 11:42:39

高磁場(chǎng)型霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)JH60B的技術(shù)參數(shù)

*1020cm-3*霍爾系數(shù)：±1*10-2～±1*106cm3/C* 遷移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec*測(cè)試全自動(dòng)化，一鍵處理高精度電磁鐵：極頭直徑 100mm;N，S 間距

2023-06-15 10:31:58

開發(fā)板N9H20K51N arm9用keil開發(fā)，jlin下載，kei選擇flash怎么選擇？

2023-06-14 13:50:44

三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型

2023-06-09 11:20:09

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SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。

2023-05-31 09:27:09

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基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展

成最終封裝體. 利用毫米波探針臺(tái)對(duì)射頻傳輸線的損耗進(jìn)行測(cè)量，結(jié)果表明，1 mm長(zhǎng)的CPW傳輸線射頻傳輸損耗在60 GHz僅為0.6 dB. 在玻璃晶圓上設(shè)計(jì)了一種縫隙耦合天線，天線在59.8 GHz

2023-05-14 16:55:52

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晶圓切割槽道深度與寬度測(cè)量方法

半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

2023-05-09 14:12:38

國(guó)產(chǎn)！全志科技T507-H工業(yè)開發(fā)板（ 4核ARM Cortex-A5）規(guī)格書

1 評(píng)估板簡(jiǎn)介創(chuàng)龍科技TLT507-EVM 是一款基于全志科技T507-H 處理器設(shè)計(jì)的4 核ARM Cortex-A53 國(guó)產(chǎn)工業(yè)評(píng)估板，主頻高達(dá) 1.416GHz ，由核心板和評(píng)估底板組成

2023-05-03 23:41:00