電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V 7 通道低側驅動器TPL7407L數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:27:41
0 臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279 蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:21204 
榮湃半導體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅動器，該系列驅動器基于電容隔離技術，集成了多種保護功能，專為驅動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設計。這款產(chǎn)品的推出，標志著榮湃半導體在功率半導體領域的技術創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產(chǎn)品不僅在設計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
KF8451A高效率同步降壓IC產(chǎn)品描述KF8451A一款輸入耐壓可達40V，4.5-40V輸入電壓條件正常工作，并且能夠實現(xiàn)精確恒流以及恒壓控制的同步降壓型DC-DC轉換器。無需外部補償，可以依靠
2024-02-19 16:51:330 ZC3201是一款40V高精度微安級功率LDO穩(wěn)壓器。只有l(wèi)uA的功耗使其適用于大多數(shù)高壓節(jié)電系
統(tǒng)。其最大工作電壓高達40V.
其他功能包括低壓差，±1%的極高輸出精度，限流保護和高紋波抑制比
2024-02-19 16:12:50
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場！EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導體功率器件，它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
N型單導體和P型半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們具有不同的電子特性和導電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現(xiàn)了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導體推出具有完全自主知識產(chǎn)權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應穩(wěn)定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:16254 
V 功率 MOSFET 的半導體制造商，采用全新系統(tǒng)和應用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
近日，澎芯半導體在產(chǎn)品開拓方面取得了多項進展
2023-12-28 13:40:31395 
概述PC5028是一款高性能的增壓器驅動N溝道MOSFET的控制器同步升壓功率級，從寬輸入電源范圍從4.5V到40V。當控制器從輸出電壓偏置控制器可以從低至啟動后1V。開關頻率可以通過編程FREQ
2023-12-25 18:23:47
據(jù)悉，潤鵬半導體是華潤微電子與深圳市合力推出的精于半導體特色工藝的12英寸晶圓制造項目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝
2023-12-20 14:13:25214 MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發(fā)生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
。
SL3061 40V/2.5A開關降壓型轉換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術企業(yè)。產(chǎn)品包括半導體分立元件芯片、半導體分立元件、半導體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 來源：ACT半導體芯科技 2023年已接近尾聲，半導體行業(yè)依然在挑戰(zhàn)中前行。隨著市場需求和應用領域的變化，半導體企業(yè)需要不斷推出新產(chǎn)品和解決方案，以滿足市場的需求。 半導體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代信息技術
2023-11-20 18:32:52262 
轉換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
想用運放實現(xiàn)1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時間為2us，計算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規(guī)級高壓運放，請問下使用LT1010可以實現(xiàn)嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CW9403R無線充電接收端控制芯片規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-10-31 15:15:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CW9403T無線充電發(fā)射端控制芯片規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-10-31 15:14:030 AON6884，規(guī)格書， 設計方案，使用方法，AOS/萬代，40V雙N溝道MOSFET 一般說明,AON6884采用先進的溝槽技術以低柵極電荷提供優(yōu)異的RDS（ON）。這是一個適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8338: 40V, 1.2A Micropower Synchronous Boost Converter with PassThru Data Sheet
2023-10-17 19:07:46
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC轉換器數(shù)據(jù)表相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC
2023-10-10 18:54:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-08 16:47:10
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
DMP4047SSDQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047SSDQ 這款新一代 40V P 溝道增強模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越
2023-09-15 10:01:52
DMP4047SSD 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047SSD 這款新一代 40V P 溝道增強模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關性能
2023-09-15 09:54:20
DMP4047LFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關性能
2023-09-14 19:46:59
▌峰會簡介第五屆意法半導體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
，減少人力資源消耗，為半導體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測量、圖像拼接、環(huán)光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業(yè)尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
隨著現(xiàn)代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設計實現(xiàn)更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
這種40V雙電源電路是應菲律賓Michael的要求而設計的。他的應用是為此處發(fā)布的150瓦放大器電路供電。我認為這種電源設計足以達到目的。變壓器T1降低電源電壓，電橋D1執(zhí)行整流，C1和C2執(zhí)行濾波工作。C3和C4是去耦電容。
2023-07-18 17:41:321035 
RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 20:07:270 RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:48:120 RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:47:590 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
優(yōu)恩半導體40D系列徑向導聯(lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。極限 峰值浪涌電流額定值可達30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:39:23
電機控制領域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機控制專用芯片。主頻高達64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 
蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導體行業(yè)快速發(fā)展的當下，定位、搶奪優(yōu)質人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等類型；從技術發(fā)展趨勢看，采用制程復雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場效應管生產(chǎn)廠商不斷追蹤的熱點。
廣東友臺半導體有限公司(簡稱
2023-05-26 14:24:29
? 2023 年 5 月 24 日，中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM
2023-05-26 14:11:20701 
中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對準工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698 
RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:56:480 RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:400 RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:280 試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導體的是負的？
2023-04-23 11:27:04
制造產(chǎn)業(yè)的轉移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業(yè)已經(jīng)進入快速發(fā)展通道。目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 16:00:28
制造產(chǎn)業(yè)的轉移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業(yè)已經(jīng)進入快速發(fā)展通道。目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 13:46:39
應用: DC-DC轉換 SMPS中的同步整流 硬開關和高速電路 電動工具 電機控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開關N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強
2023-04-11 14:47:50513 創(chuàng)新、自主可控，推出HPM6000高性能RISC-V MCU產(chǎn)品系列，助力推動國產(chǎn)創(chuàng)新型替代進程。國潮崛起，先楫半導體邀您一起共同邁向高性能 “芯” 時代。
2023-04-10 18:39:28
5057-9403
2023-03-29 21:49:46
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
2023-03-28 22:35:09
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
2023-03-28 22:35:06
MOSFET N-CH 40V 110A
2023-03-28 22:34:51
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-28 22:34:51
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-27 14:31:11
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