宜普推出用于eGaN場效應(yīng)晶體管設(shè)計的EPC9004開發(fā)板

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品，其應(yīng)用范圍廣泛，如太陽能微型逆變器、D類音頻放大器、以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng)和同步整流器。

　　EPC9004開發(fā)板是一種200V最大輸入電壓、2A最大輸出電流并帶板載柵極驅(qū)動器的半橋電路設(shè)計及采用EPC2012 200V eGaN FET。推出這種開發(fā)板的目的是簡化評估EPC2012 eGaN FET的過程，因為EPC9004是塊單板，上面集成了所有關(guān)鍵元器件，可以方便地連接任何現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器。

　　EPC9004開發(fā)板尺寸為2英寸x1.5英寸，不僅包含了帶柵極驅(qū)動器且采用半橋配置的兩個EPC2012 eGaN FET，而且包含有板載柵極驅(qū)動電源和旁路電容。電路板上還設(shè)計有多個探測點，以便測量簡單的波形和計算效率。

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場效應(yīng)晶體管(19268) 場效應(yīng)晶體管(19268)
開發(fā)板(93357) 開發(fā)板(93357)
宜普(7790) 宜普(7790)
eGaN(7191) eGaN(7191)
EPC9004(5625) EPC9004(5625)

具有過壓保護和阻斷場效應(yīng)晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數(shù)據(jù)表

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2024-03-14 11:19:42

具有電平位移&可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制的1.2V-8V，3A 聚合物薄膜場效應(yīng)晶體管(PFET) 高側(cè)負載開關(guān)數(shù)據(jù)表

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2024-03-14 09:38:19

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 11:41:42

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汽車應(yīng)用中用于高頻CPU內(nèi)核功率的同步降壓場效應(yīng)晶體管 (FET) 驅(qū)動器TPS51604-Q1數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 11:08:47

一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場效應(yīng)晶體管（ISFET）

據(jù)麥姆斯咨詢報道，德國弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所（Fraunhofer IPMS）開發(fā)出一種用于芯片式pH值測量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場效應(yīng)晶體管（ISFET）中。

2024-03-11 09:34:31

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場效應(yīng)晶體管的類型及特點

場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。

2024-02-22 18:16:54

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IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法

IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。

2024-02-22 14:42:40

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EVAL-LTC7890-AZ 評估板

氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）。該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態(tài)電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器，

2024-02-22 13:43:55

晶體管摻雜和導(dǎo)電離子問題原因分析

？再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？

2024-02-21 21:39:24

簡單認識MOSFET

MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，也稱為功率MOS場效應(yīng)晶體管。

2024-02-21 16:25:23

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什么是場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管的電路符號

場效應(yīng)管，即場效應(yīng)晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。

2024-02-20 15:31:17

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場效應(yīng)晶體管怎么代替繼電器晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別

繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機械開關(guān)，實現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。

2024-02-18 10:16:41

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為何及如何將氮化鎵場效應(yīng)晶體管用于高效、高電壓、開關(guān)模式電源應(yīng)用

是設(shè)計成功的關(guān)鍵。為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因為硅器件正在迅速接近其理論極限。因此設(shè)計者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件，如

2024-02-13 17:34:00

657

場效應(yīng)晶體管的工作原理和種類特點

在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運電流的，P溝道FET是由空穴來搬運電流的，因此也稱之為單極晶體管。

2024-02-05 16:31:36

667

Qorvo發(fā)布碳化硅場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品

Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專為電動汽車（EV）而設(shè)計，符合車規(guī)標準。

2024-02-01 10:22:29

163

如何使用MosFET開啟特性來抑制浪涌電流？

。在測試實際電機時，我們遇到的電感浪涌電流超過了 MosFET 的脈沖額定值。微TLE9853QX 場效應(yīng)晶體管IAUA250N04S6N005

2024-01-29 07:41:55

晶體管Ⅴbe擴散現(xiàn)象是什么？

是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。 1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？ 2、場效應(yīng)管無需任何外接

2024-01-26 23:07:21

P溝道增強型場效應(yīng)晶體管 CJ2301數(shù)據(jù)手冊

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2024-01-19 13:39:58

晶體管和場效應(yīng)管的本質(zhì)問題理解

越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達到平衡。此時場效應(yīng)管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因為此時電流基本不變。以上是我對晶體管和場效應(yīng)管的理解，如有問題請指正。

2024-01-18 16:34:45

晶體管場效應(yīng)管的·輸入輸出電阻是怎么求解的·？

舉例而言，一個結(jié)型場效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負載，此時場效應(yīng)管可以看做是一個互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求

2024-01-15 18:06:15

FET晶體管電路設(shè)計參數(shù)

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。

2024-01-09 15:38:40

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絕緣柵雙極型晶體管是什么

IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通

2024-01-03 15:14:22

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一文詳解MOSFET

晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進行電隔離。因此，它也被稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)。

2023-12-29 09:58:11

727

N溝道和P溝道怎么區(qū)分

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道

2023-12-28 15:47:15

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SDA09T N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

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2023-12-26 10:19:43

N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T英文手冊

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2023-12-26 10:14:52

BSH201場效應(yīng)功率晶體管英文資料

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2023-12-26 10:08:45

N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T規(guī)格書

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2023-12-22 11:32:47

【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）

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2023-12-13 14:36:44

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【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）

【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）

2023-12-13 14:22:41

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場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大

場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性

2023-12-08 10:27:08

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選擇場效應(yīng)晶體管的六大訣竅

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2023-12-05 15:51:38

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從底層重新認識D觸發(fā)器、建立時間和保持時間

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場效應(yīng)晶體管）是一種場效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，MOSFET 是數(shù)字和模擬電路中最常見的晶體管類型。

2023-12-04 15:11:15

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場效應(yīng)管工作原理詳解

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)

2023-11-24 16:54:18

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什么是JFET？什么是MOSFET？JFET和MOSFET的比較

JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管（FET），場效應(yīng)晶體管通過電場來控制導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)率

2023-11-07 14:36:34

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美格納推出第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用

2023-11-02 17:04:01

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CMOS過渡期的晶體管forksheet介紹

最先進的計算機處理器制造商正在經(jīng)歷十年來器件架構(gòu)的第一次重大變革，即從鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）轉(zhuǎn)變到納米片（nanosheet）。

2023-10-12 18:09:13

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華為公開“半導(dǎo)體器件”專利：提升場效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動能力

根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。

2023-10-11 14:23:08

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場效應(yīng)管(MOSFET)如何選型呢？

場效應(yīng)管(MOSFET)也叫場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件

2023-10-08 17:23:34

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-09-28 17:10:46

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一文詳解場效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細介紹一番的。

2023-09-28 09:31:04

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干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。

2023-09-25 08:19:00

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干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

的通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。氮化鎵場效應(yīng)晶體管能夠以較低的系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。

2023-09-25 08:17:54

422

場效應(yīng)管的作用和類型

場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。一、場效應(yīng)管的作用

2023-09-20 15:26:06

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如何用萬用表測試MOSFET

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。

2023-09-20 15:09:28

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MOS場效應(yīng)晶體管的特性與原理

MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，另一個稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。

2023-09-19 11:06:05

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#MOS晶體管 #MOS場效應(yīng)晶體管 MOS管判斷好壞用萬用表可以嗎？

電子元器件晶體管

深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-09-12 12:05:59

絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應(yīng)用

絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。

2023-09-06 15:12:29

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場效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別

場效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別 場效應(yīng)管和晶體管是兩種不同的半導(dǎo)體器件，它們的工作原理和應(yīng)用場合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導(dǎo)體器件，但它們在制造、結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有著顯著的區(qū)別，下面將詳細介紹

2023-08-25 15:41:36

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晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別

晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動。雖然它們在某些方面可能有一些相似之處，但它們也有很多明顯的不同點。下面將會詳細

2023-08-25 15:29:34

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華為公開“集成電路及其制作方法、場效應(yīng)晶體管”專利

根據(jù)專利摘要，本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管，可以簡化集成電路的制造過程，降低生產(chǎn)費用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。

2023-08-23 10:05:13

793

場效應(yīng)管起什么作用場效應(yīng)管類型怎么判斷

場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。

2023-08-18 16:01:28

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不同類型的晶體管及其功能

，基極端子提供的電流量較??少會導(dǎo)致從發(fā)射極端子到集電極提供大量電流。目前常用的BJT是NPN晶體管，因為電子遷移率比空穴遷移率更高。NPN晶體管的符號如下所示。 場效應(yīng)晶體管 場效應(yīng)晶體管由 3 個

2023-08-02 12:26:53

場效應(yīng)晶體管與微流控器件的集成應(yīng)用分析

Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章，回顧了集成傳感器的主要研究進展，并重點介紹了場效應(yīng)晶體管在化學(xué)和生化分析器件開發(fā)中的潛在應(yīng)用。

2023-07-28 10:23:32

227

MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。

2023-07-11 10:56:24

1285

NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管

2023-07-07 18:41:52

什么是FinFET？鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點？

推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET

2023-07-07 09:58:37

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功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計過程

功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 14:57:19

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如何判斷場效應(yīng)管工作狀態(tài)

1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應(yīng)管（Field Effect

2023-06-29 09:21:34

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后羿hy1908 80V/90A mos管-hy1908場效應(yīng)晶體管參數(shù)

供應(yīng)后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908場效應(yīng)晶體管參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>

2023-06-08 14:05:12

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate

2023-06-05 15:12:10

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鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET

MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

2023-05-26 17:23:47

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緊湊型砷化鎵相位正交（I/Q）混頻器HMC525ALC4概述

采用兩個標準的雙平衡混頻器單元和一個90°混合器，在砷化鎵、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MES）中制造。金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）工藝制造的90°混合器。

2023-05-24 12:52:51

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單向晶閘管的檢測

正常時陽值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應(yīng)晶體管的R和R的檢測

2023-05-24 10:35:15

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絕緣柵雙極型晶體管IGBT結(jié)溫估算

柵型場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。

2023-05-20 15:19:12

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雙極型晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點。

2023-05-17 15:23:13

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場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。

2023-05-17 15:15:37

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場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢

場效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。

2023-05-16 15:24:34

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場效應(yīng)晶體管的作用

場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。

2023-05-16 15:20:04

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場效應(yīng)晶體管的分類

場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。

2023-05-16 15:14:08

1508

場效應(yīng)晶體管工作原理

場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。

2023-05-16 15:02:23

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一文解析功率半導(dǎo)體的制造流程

按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。

2023-05-06 11:10:02

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電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理

可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理電力場效應(yīng)晶體管種

2023-05-01 18:36:13

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絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個器件的特性。

2023-04-24 16:51:29

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何時使用負載開關(guān)取代分立MOSFET

像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。

2023-04-15 09:17:39

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