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降低電容器的等效串聯(lián)電阻 - Hi-Q Low ESR 積層陶瓷電容器的新要求

2011年05月30日 09:37 微波射頻網(wǎng) 作者:秩名 用戶評論(0
為了達成降低電容器的等效串聯(lián)電阻的目的,核心技術(shù)在于金屬內(nèi)電極與微波介電陶瓷材料的開發(fā),以及共燒技術(shù)的實現(xiàn)。以過去10年間,內(nèi)電極材料由貴金屬鈀/銀30/70 的成份,藉由銀的優(yōu)異導電性與比重增加、降低鈀的比重,大幅改善了ESR水準。近年來一般泛用型的NPO MLCC多采用10/90 或3/97鈀銀成份作為內(nèi)電極材料,但ESR無法再進一步有效降低,除非改用純銅或純銀內(nèi)電極。如下圖所示:

  

華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

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  然而,純度接近100%的銀內(nèi)電極導電性雖然極為優(yōu)越,卻會有銀離子遷移(migration)的問題。由于一旦銀遷移的現(xiàn)象產(chǎn)生,將導致產(chǎn)品可靠度與品質(zhì)的問題(例如內(nèi)電極短路、耐電壓能力下降),于是諸多國際大廠紛紛宣告禁用純銀電極的產(chǎn)品。

  純銅的材料特性有著與純銀極為接近的導電性與頻率特性,卻無離子遷移、導致可靠度不佳的問題。但礙于純銅內(nèi)電極制程的困難度遠遠高于純銀內(nèi)電極系統(tǒng),如下圖所示,包含內(nèi)電極材料、介電陶瓷材料、端電極材料、內(nèi)電極電路設計與介電陶瓷共燒技術(shù)都必須有所突破,導致市場上可提供純銅內(nèi)電極高頻用的MLCC目前僅有日系廠商獨占一方。

  

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  華新科技身為***電子陶瓷被動元件領導廠商,綜觀內(nèi)部核心技術(shù)及市場需求,成功自行研發(fā)出NP0-Cu MLCC低溫燒結(jié)材料系統(tǒng),由高品質(zhì)因子的微波介電陶瓷與導電性極佳的銅金屬電極組成,并導入新式卑金屬低溫共燒制程(BME-Cu),與超低等效串聯(lián)電阻之內(nèi)電極設計,并取得多項材料與技術(shù)專利。如下圖與日系廠商在高頻特性的比較,可發(fā)現(xiàn)華新科技RF系列的NPO-Cu MLCC表現(xiàn)甚至超越日系廠商。

  

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  此一系列產(chǎn)品的推出,不僅大幅提升***陶瓷元件的制作技術(shù)水平,更打破日商壟斷的局面,能進一步與日系大廠并駕齊驅(qū),并可提供***系統(tǒng)廠商相較日系供應商更快速的產(chǎn)品交期、經(jīng)濟的購得成本與即時完整的技術(shù)服務,使得通訊產(chǎn)業(yè)能加快產(chǎn)品問世速度,亦在全球性競賽中持續(xù)保有其競爭力。

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( 發(fā)表人:葉子 )

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