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　　圖6 電壓峰值及上升時間隨n區(qū)長度的變化

　　圖7表示DBD輸出隨激勵源dVA/dt變化的情況，可以看出，當dVA/dt小于由式(4)和式(5)所確定的臨界值(對圖1所示的器件)，則輸出電壓為其靜態(tài)擊穿值，上升時間為輸入信號上升時間;當dVA/dt超過其發(fā)生延遲擊穿的臨界值后，輸出幅度急劇增加，上升時間急劇減小，但變化很快趨于平緩。這是因為隨著dVA/dt的增加，雪崩擊穿電流增加，這樣加在負載電阻上的電壓增加，從而加在DBD兩端的電壓下降，這必然導致雪崩電離率下降而致使電流下降，二者綜合結果便會出現(xiàn)平衡的結局，所以并不是dVA/dt越大越好。

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　　圖7電壓峰值及上升時間隨激勵源dVA/dt的變化

　　3 結 論

　　從DBD作為半導體開關器件在負載上的輸出脈沖幅度及上升時間兩方面綜合考慮，器件面積、負載電阻、n區(qū)長度及其摻雜以及激勵源等因素，均對DBD器件性能有很大的影響。上升時間對于面積和負載電阻均存在極小值，由于上升時間是關鍵指標之一，因此進行面積和負載電阻設計時應該選取該極值點，由于延遲擊穿過程具有強烈的非線性，該極值點只能由仿真獲得。其他方面，n區(qū)長度存在最佳值，理論上應為器件加載在所需臨界擊穿電壓值而剛好處于穿通狀態(tài)的長度值，當然最好以仿真結果為準;n區(qū)濃度越低越好，因為濃度越低，擊穿電壓越高。輸出激勵源應適當高于滿足式(4)所需的dVA/dt值，但不是越高越好，因為dVA/dt越高對前級的要求越高，然而產(chǎn)生的效果卻沒有多大變化。至于p+ 區(qū)和n+ 區(qū)的長度，沒有太大的影響，當然應大于其各自的穿通長度，濃度則盡量高。