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鍺二極管的死區(qū)電壓_鍺二極管與硅二極管有何差別

2019年10月09日 10:07 xx 作者: 用戶評論(0

  什么是鍺二極管

  鍺二極管就是用鍺材料制作的二極管。幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導體器件之一,其應用也非常廣泛。

  鍺二極管的死區(qū)電壓

  鍺二極管導通電壓為0.1V-0.3V,一般取0.2V,死區(qū)電壓為0.1V左右;

  硅二極管導通電壓為0.5V-0.8V,一般取0.7V,死區(qū)電壓為0.5V左右。

  鍺二極管與硅二極管有何差別

  硅和鍺兩種二極管的特性曲線,兩者有以下幾點差異:

  1) 硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流小的多,鍺管為mA級,硅管為nA級。這是因為在相同溫度下鍺的ni比硅的ni要高出約三個數(shù)量級,所以在相同摻雜濃度下硅的少子濃度比鍺的少子濃度低的多,故硅管的反向飽和電流Is很小。

  2) 在正向電壓很小時,通過二極管的電流很小,只有正向電壓達到某一數(shù)值Ur后,電流才明顯增長。通常把電壓Ur稱為二極管的門限電壓,也稱為死區(qū)電壓或閾值電壓。由于硅二極管的Is遠小于鍺二極管的Is,所以硅二極管的門限電壓大于鍺二極管的門限電壓。一般硅二極管的門限電壓約為0.5V~0.6V, 鍺二極管的門限電壓約為0.1V~0.2V。

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( 發(fā)表人:姚遠香 )

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