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試驗 - 固態(tài)繼電器的電磁兼容測試

2011年11月21日 17:21 本站整理 作者:高志剛,林育超 用戶評論(0
3.2 試驗

  采用不同的樣品(見下)進行以下兩種試驗:群脈沖試驗(見表1)和浪涌試驗(見表2)。

  

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  試驗條件為如下:

  A. 輸入電壓:0V 或標(biāo)稱值。負載:40W 燈泡;

  B. 《2kV 時,Burst 測試頻率:5kHz;》2kV 時,Burst 測試頻率:2.5kHz。

  C. 樣品: N0. 1、N0.2 和N0.3 的結(jié)構(gòu)不相同,PCB相同;N0.4 和N0.5 的光耦不相同,其它相同。( 見表1 中的“產(chǎn)品/元件型號”)

  D .測試結(jié)果見表1 。

  a. 表中“1 ”表示通過,“0 ”表示不通過。判定標(biāo)準(zhǔn):“1 ”: 燈泡不閃;“0 ”::燈泡閃爍。

  b.表中L:火線;N:零線。

  試驗不難看出:

  (1)對比A 公司產(chǎn)品兩個繼電器,其電路結(jié)構(gòu)、元器件參數(shù)完全相同,僅僅前者多了一個散熱片,但其burst測試只能達到2kV,而第2 個的burst 測試可以達到4kV。由此可知,產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化會影響到E M C 性能;

  (2)RC 會很大程度的影響固體繼電器的EMC 性能;不加R C 電路的結(jié)構(gòu),E M C 性能最差,見B 公司產(chǎn)品;

  (3) 采用不同的光耦,其EMC 性能會有很大的變化,見N0.4 與N0.5 的試驗結(jié)果;

  (4) 不同的光耦和不同的可控硅組合對EMC 性能也有較大影響;

  (5) 選擇適當(dāng)?shù)腞C 組合,也可提高Burst 和Surge抗擾能力。當(dāng)R C 中C 值一定時,固態(tài)繼電器對B u r s t的抗擾能力與R 值成反相關(guān)關(guān)系,但當(dāng)R 小到一定的值時,這種關(guān)系就不再明顯;

  (6) 增加RV 壓敏電阻可大大增強Surge 的抗擾能力。

  4 測試方法及注意事項

  為了正確獲得試驗數(shù)據(jù)必須按要求正確設(shè)計測試回路,和正確的連線。然后設(shè)定方法和步驟,最后按判定標(biāo)準(zhǔn)獲取數(shù)據(jù)。

  4.1 測試電路

  圖4 所示為測試電路。對SSR 來說,有信號源(穩(wěn)壓電源)、小于1 米的連線、負載及有關(guān)儀器;圖5 為電源信號疊加干擾信號的波形。

  

固態(tài)繼電器電磁兼容測試電路

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  4.2 試驗標(biāo)準(zhǔn)及要求及判定要求

  表3 為EMC 的抗干擾標(biāo)準(zhǔn):EN61000-4-4、EN61000-4-5 和EN61000-4-2 的試驗標(biāo)準(zhǔn)及要求。對SSR 來說,其工作狀態(tài)要求樣品處于正常關(guān)斷和接通狀態(tài)加入干擾源,觀察樣品是否失效。

  

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( 發(fā)表人:小蘭 )

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