場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

　　場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

　　場效應管電路圖符號

　　說到場效應管的長相恐怕我就不用貼圖了，在電路圖中它常用

　　表示，關于它的構造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據使用的場合要求不同做出來的種類繁多，特性也都不盡相同;我們在mpn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關使用，所以需要通過電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強型 的場效應管（MOS型），它的電路圖符號：

　　仔細看看你會發(fā)現(xiàn)，這兩個圖似乎有差別，對了，這實際上是兩種不同的增強型場效應管，第一個那個叫N溝道增強型場效應管，第二個那個叫P溝道增強型場效應管，它們的的作用是剛好相反的。前面說過，場效應管是用電控制的開關，那么我們就先講一下怎么使用它來當開關的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個腳，這三個腳分別叫做柵極（G）、源極（S）和漏極（D），mpn中的貼片元件示意圖是這個樣子：

　　1腳就是柵極，這個柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了，去掉電壓就關斷了，而P溝道的剛好相反，在柵極加上電壓就關斷（高電位），去掉電壓（低電位）就相通了！

　　結型場效應管的結構和符號

　　結型場效應管是利用半導體內的電場效應工作的，分N溝道和P溝道兩種。在一塊N型半導體的兩側分別擴散出兩個P型區(qū)，形成兩個PN結，將兩個P型區(qū)連接后形成一個電極G稱為柵極，從N型半導體的上下兩端各引出一個電極，其中S稱為源極，D稱為漏極，由于D、S間存在電流通道，故稱為N溝道結型場效應管。P溝道結型場效應管的結構與N溝道型類似，它們的結構和電路符號如圖所示。

　　絕緣柵型場效應管結構和符號

　　絕緣柵型場效應管是一種利用半導體表面的電場效應，由感應電荷的多少改變導電溝道來控制漏極電流的器件，它的柵極與半導體之間是絕緣的，其電阻大于1000000000Ω。

　　增強型：VGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，在VDS作用下無iD。耗盡型：VGS=0時，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD。

　　1. 結構和符號（以N溝道增強型為例）

　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

　　N溝道絕緣柵型場效應管結構動畫

　　其他MOS管符號