mos管基本參數(shù)

　　Coss：輸出電容Coss=CDS+CGD。

　　Ciss：輸入電容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。

　　Tf：下降時刻。輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時刻。

　　Td（off）：關斷延遲時刻。輸入電壓下降到90%開端到VDS上升到其關斷電壓時10%的時刻。

　　Tr：上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻。

　　Td（on）：導通延遲時刻。從有輸入電壓上升到10%開端到VDS下降到其幅值90%的時刻。

　　Qgd：柵漏充電（考慮到Miller效應）電量。

　　Qgs：柵源充電電量。

　　Qg：柵極總充電電量。

　　mos管動態(tài)參數(shù)

　　IGSS：柵源驅動電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大，IGSS通常在納安級。

　　IDSS：飽滿漏源電流，柵極電壓VGS=0、

　　VDS為必定值時的漏源電流。通常在微安級。

　　VGS（th）：敞開電壓（閥值電壓）。當外加柵極操控電壓VGS超越VGS（th）時，漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道。應用中，常將漏極短接前提下ID即是毫安時的柵極電壓稱為敞開電壓。此參數(shù)通常會隨結溫度的上升而有所下降。

　　RDS（on）：在特定的VGS（通常為10V）、結溫及漏極電流的前提下，MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數(shù)通常會隨結溫度的上升而有所增大（正溫度特性）。故應以此參數(shù)在最高作業(yè)結溫前提下的值作為損耗及壓降計算。

　　Tj：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，通常為0.1V/℃。

　　mos管靜態(tài)參數(shù)

　　TSTG：存儲溫度范圍。

　　Tj：最大作業(yè)結溫。通常為150℃或175℃，器材規(guī)劃的作業(yè)前提下須確應防止超越這個溫度，并留有必定裕量。（此參數(shù)靠不?。?/p>

　　VGS：最大柵源電壓。，通常為：-20V~+20V

　　PD：最大耗散功率。是指場效應管機能不變壞時所容許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有必定余量。此參數(shù)通常會隨結溫度的上升而有所減額。（此參數(shù)靠不?。?/p>

　　IDM：最大脈沖漏源電流。表現(xiàn)一個抗沖擊才能，跟脈沖時刻也有聯(lián)系，此參數(shù)會隨結溫度的上升而有所減額。

　　ID：最大漏源電流。是指場效應管正常作業(yè)時，漏源間所容許經過的最大電流。場效應管的作業(yè)電流不應超越ID。