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霍爾元件詳解_電子元器件基礎

2012年03月09日 15:37 電子發(fā)燒友網 作者:灰色天空 用戶評論(0
霍爾元件是一種基于霍爾效應的磁傳感器。用它們可以檢測磁場及其變化,可在各種與磁場有關的場合中使用。
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?所謂霍爾效應,是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時,產生橫向電位差的物理現(xiàn)象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學家霍爾發(fā)現(xiàn)的。當電流通過金屬箔片時,若在垂直于電流的方向施加磁場,則金屬箔片兩側面會出現(xiàn)橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯,而鐵磁金屬在居里溫度以下將呈現(xiàn)極強的霍爾效應。

霍爾元件原理介紹

霍爾元件之作用原理也就是霍爾效應,所謂霍耳效應如圖1所示,系指將電流I 通至一物質,并對與電流成正角之方向施加磁場B 時,在電流與磁場兩者之直角方向所產生的電位差V 之現(xiàn)象。此電壓是在下列情況下所產生的,有磁場B 時,由于弗萊銘(Fleming)左手定則,使洛仁子力(即可使流過物質中之電子或正孔向箭頭符號所示之方向彎曲的力量:(Lorentz force)發(fā)生作用,而將電子或正孔擠向固定輸出端子之一面時所產生。電位差V 之大小通常決定于洛仁子力與藉所發(fā)生之電位差而將電
子或正孔推回之力(亦即前者之力等于后者之力),而且與電流I 乘以磁場B 之積成比例。比例常數(shù)為決定于物質之霍耳常數(shù)除以物質在磁場方向之厚度所得之值。

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???????????????????? 圖1 霍爾組件之原理

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在平板半導體介質中,電子移動(有電場)的方向,將因磁力的作用(有磁場) ,而改變電子行進的方向。若電場與磁場互相垂直時,其傳導的載子(電子或電洞) ,將集中于平板的上下兩邊,因而形成電位差存在的現(xiàn)象。該電位差即霍爾電壓(霍爾電壓) 在實際的霍爾組件中,一般使用物質中之電流載子為電子的N 型半導體材料。將一定之輸入施加至霍爾組件時之輸出電壓,利用上述之關系予以分析時,可以獲致下列的結論:
(1) 材料性質與霍爾系數(shù)乘以電子移動度之積之平方根成正比。
(2) 材料之形狀與厚度之平方根之倒數(shù)成正比。
由于上述關系,實際的霍爾組件中,可將霍爾系數(shù)及電子移動度大的材料加工成薄的十字形予以制成。

圖2系表示3~5 端子之霍爾組件的使用方法,在三端子霍爾元件之輸出可以產生輸入端子電壓之大致一半與輸出信號電壓之和的電壓,而在四端子及五端子霍爾組件中,在原理上雖然可以免除輸入端子電壓的影響,但實際上即使在無磁場時,也有起因于組件形狀之不平衡等因素之不平衡電壓存在。

??????????????????? 圖2 霍爾組件使用方法

種類及接法
?構造:

無鐵心型
鐵心型
測試用探針霍爾集成電路
?接法:

三端子組件
四端子組件
五端子組件

用途

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( 發(fā)表人:灰色天空 )

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