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長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕需要突破技術(shù)瓶頸 - 3D NAND Flash,中國(guó)自主存儲(chǔ)器突破點(diǎn)

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2017-02-16 11:35:24863

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

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2017-02-17 07:48:231529

3D NAND良率是NAND Flash市場(chǎng)最大變數(shù)

據(jù)海外媒體報(bào)道,去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND,但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題,價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380

基于FPGA器件實(shí)現(xiàn)大容量高速存儲(chǔ)系統(tǒng)的方案設(shè)計(jì)

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2020-07-30 17:53:541917

使用Artery ICP Programmer將啟動(dòng)存儲(chǔ)器作為主存擴(kuò)展使用

啟動(dòng)存儲(chǔ)器(Boot Memory)默認(rèn)是作為BOOT模式用來(lái)存放原廠固化的啟動(dòng)代碼。不過(guò),在具有AP mode系列產(chǎn)品上,添加了新功能,啟動(dòng)存儲(chǔ)器也可以選擇作為主存的擴(kuò)展區(qū)(AP模式)用來(lái)存放用戶
2022-09-19 09:36:461177

NAND Flash非易失存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684

主存儲(chǔ)器的基本組成

基本上主存由三部分組成 存儲(chǔ)體 地址寄存器 數(shù)據(jù)寄存器。
2022-11-24 16:42:582416

NAND Flash和NOR Flash的差別

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2023-09-11 16:59:231905

全面解析存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)原理

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3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00

3D NAND技術(shù)資料分享

3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56

FLASH容量的大小

容量一般為 512K 字節(jié),屬于大容量芯片。大容量產(chǎn)品的 Flash 模塊組織結(jié)構(gòu)如圖 40.1.1 所示:STM32F1 的閃存(Flash)模塊由:主存儲(chǔ)器、信息塊和閃存存儲(chǔ)器接口寄存等...
2021-08-12 07:55:17

Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?

Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45

Flash存儲(chǔ)器的故障特征

Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15

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最近工作上需要對(duì)英飛凌XC886這款單片機(jī)的Flash進(jìn)行讀寫,以下為簡(jiǎn)要的幾點(diǎn)總結(jié):一、Flash存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu):XC886共有32KFlash,地址映射如下圖所示:共三塊P-Flash用來(lái)存儲(chǔ)程序
2022-01-26 06:46:26

NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

NAND FLASH就是通過(guò)die堆疊技術(shù),加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長(zhǎng)。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲(chǔ)容量,若采用48層TLC 堆疊技術(shù),存儲(chǔ)密度可提升至256GB,輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58

NAND FLASH的相關(guān)資料下載

Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快
2022-01-26 07:56:35

主存儲(chǔ)器 精選資料分享

一丶存儲(chǔ)器的分類和層次半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片:片選:用來(lái)選取芯片有兩種譯碼驅(qū)動(dòng)方式:線選法:一維排列,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,適合容量不大的存儲(chǔ)芯片重合法:二維陣列,適合容量大為什么線選法不適合大的呢?我們以9組
2021-07-23 08:20:14

存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)

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2022-01-19 06:35:54

存儲(chǔ)器的價(jià)格何時(shí)穩(wěn)定

感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19

FPGA的下一個(gè)技術(shù)突破點(diǎn)是什么?

速度?,F(xiàn)在,F(xiàn)PGA已經(jīng)從最初主要應(yīng)用于原型設(shè)計(jì)逐漸延伸到最終產(chǎn)品的整個(gè)生命周期。業(yè)界共識(shí):可編程技術(shù)勢(shì)在必行。FPGA的下一個(gè)技術(shù)突破點(diǎn)是什么?
2019-08-13 07:48:48

STM32存儲(chǔ)器組織程序

STM32 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動(dòng)一 存儲(chǔ)器組織程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器
2021-08-02 06:06:32

STM32學(xué)習(xí)之Flash主存儲(chǔ)塊、系統(tǒng)存儲(chǔ)器和選項(xiàng)字節(jié))詳解

。 2.從SRAM啟動(dòng)的程序,不能對(duì)主存儲(chǔ)塊進(jìn)行讀、頁(yè)擦除、編程操作,但可以進(jìn)行主存儲(chǔ)塊整片擦除操作。 3.使用調(diào)試接口不能訪問(wèn)主存儲(chǔ)塊。這些特性足以阻止主存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的非法讀出,又能保證程序的正常運(yùn)行
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STM32學(xué)習(xí)筆記-Flash做為存儲(chǔ)器儲(chǔ)存數(shù)據(jù)

主存儲(chǔ)塊整片擦除操作。 3.使用調(diào)試接口不能訪問(wèn)主存儲(chǔ)塊。這些特性足以阻止主存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的非法讀出,又能保證程序的正常運(yùn)行。 只有當(dāng)RDP選項(xiàng)字節(jié)的值為RDPRT鍵值時(shí),讀保護(hù)才被關(guān)閉,否則,讀保護(hù)就是
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STM32的加密思路使用系統(tǒng)啟動(dòng)程序STM32 Flash Loader demonstrator將Flash設(shè)置為讀保護(hù)。 所有以調(diào)試工具、內(nèi)置SRAM或FSMC執(zhí)行代碼等方式對(duì)主存儲(chǔ)器訪問(wèn)的操作
2022-02-11 06:07:06

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stm32內(nèi)部flash讀寫

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2021-08-05 07:23:19

【連載】【星光閃電STM32F407開(kāi)發(fā)板】第十三章 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)

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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

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2023-10-24 07:49:44

讀寫內(nèi)部Flash

掉電后不會(huì)丟失,芯片重新上電復(fù)位后,內(nèi)核可從內(nèi)部 FLASH 中加載代碼并運(yùn)行。STM32 的內(nèi)部 FLASH 包含主存儲(chǔ)器、系統(tǒng)存儲(chǔ)器以及選項(xiàng)字節(jié)區(qū)域,它們的地址分布及大小見(jiàn)下表主存儲(chǔ)器一般我們說(shuō) STM32 內(nèi)部 FLASH 的時(shí)候,都是指這個(gè)主存儲(chǔ)器區(qū)域,它是存儲(chǔ)用戶應(yīng)用程序的空間,芯片型號(hào)
2021-07-23 09:41:29

存儲(chǔ)器技術(shù).doc

存儲(chǔ)器技術(shù).doc 計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器(Main Memory),又稱為內(nèi)部存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱為內(nèi)存。內(nèi)存實(shí)質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸
2007-06-05 16:33:4840

存儲(chǔ)器.ppt

4.2  主存儲(chǔ)器4.3  高速緩沖存儲(chǔ)器4.4  輔助存儲(chǔ)器 主存的基本組成
2009-04-11 09:34:520

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D NAND電學(xué)特性 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:51

基于FLASH星載存儲(chǔ)器的高效管理研究

NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610

基于FLASH星載存儲(chǔ)器的高效管理研究

NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914

#硬聲創(chuàng)作季 4.2 主存儲(chǔ)器(下)4.2-g2

plc存儲(chǔ)器
Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-14 08:43:15

#硬聲創(chuàng)作季 48.3-主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)-片選譯碼技術(shù)

plc存儲(chǔ)器
Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-15 22:04:03

#硬聲創(chuàng)作季 49.4-主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)-實(shí)例

plc存儲(chǔ)器
Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-15 22:13:02

#硬聲創(chuàng)作季 46.1-主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)-問(wèn)題分析

plc存儲(chǔ)器
Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-15 22:17:13

#硬聲創(chuàng)作季 44.1-主存儲(chǔ)器工作原理

plc存儲(chǔ)器
Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-15 22:18:27

Flash存儲(chǔ)器概述

  Flash 存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)介   在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng),該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564

PC機(jī)主存儲(chǔ)器組成結(jié)構(gòu)分析與設(shè)計(jì)

從 DRAM 的發(fā)展及應(yīng)用特點(diǎn)出發(fā),針對(duì)使用DRAM 構(gòu)成計(jì)算機(jī)主存時(shí)應(yīng)解決的主存空間及尋址、多體交叉訪問(wèn)構(gòu)成并行主存結(jié)構(gòu)、動(dòng)態(tài)刷新等問(wèn)題,以采用DRAM控制器W4~6AF構(gòu)成80386微機(jī)主存
2011-07-25 16:11:28145

flash存儲(chǔ)器的類型

FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295

淺談ARM之片上存儲(chǔ)器

15.2 片上存儲(chǔ)器 如果微處理器要達(dá)到最佳性能,那么采用片上存儲(chǔ)器是必需的。通常ARM處理器的主頻為幾十MHz到200MHz。而一般的主存儲(chǔ)器采用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(ROM),其存儲(chǔ)周期僅為100ns
2017-10-17 16:35:224

高速緩沖存儲(chǔ)器的特點(diǎn)解說(shuō)

高速緩沖存儲(chǔ)器是存在于主存與CPU之間的一級(jí)存儲(chǔ)器, 由靜態(tài)存儲(chǔ)芯片(SRAM)組成,容量比較小但速度比主存高得多, 接近于CPU的速度。在計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展過(guò)程中,主存儲(chǔ)器存取速度一直比中央處理器操作速度慢得多
2017-11-15 10:08:0810148

高速緩沖存儲(chǔ)器在電腦硬件中的位置分析

高速緩沖存儲(chǔ)器通常由高速存儲(chǔ)器、聯(lián)想存儲(chǔ)器、替換邏輯電路和相應(yīng)的控制線路組成。在有高速緩沖存儲(chǔ)器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,中央處理器存取主存儲(chǔ)器的地址劃分為行號(hào)、列號(hào)和組內(nèi)地址三個(gè)字段。于是,主存儲(chǔ)器就在邏輯上劃分為若干行;每行劃分為若干的存儲(chǔ)單元組
2017-11-15 10:38:113730

SSD價(jià)格開(kāi)始走跌 2019年后NAND Flash供大于求過(guò)

根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲,供不應(yīng)求局面,韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升,NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過(guò)剩。
2018-01-06 10:32:382146

美光新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?本文從純市場(chǎng)的角度,就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%?

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中,NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品,2015年?duì)I收達(dá)到267億美元,占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349

基于EPG3231和NAND Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)聲音播放器設(shè)計(jì)

背景知識(shí)的情況下,可以比較簡(jiǎn)單地使用大容量的NAND Flash存儲(chǔ)器,降低了使用NAND Flash存儲(chǔ)器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879

主存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)

本視頻主要詳細(xì)闡述了主存儲(chǔ)器的性能指標(biāo),分別是存儲(chǔ)速度、存儲(chǔ)容量、CL、SPD芯片、奇偶校驗(yàn)、內(nèi)存帶寬等。
2018-12-16 10:20:4912072

內(nèi)存儲(chǔ)器的分類

內(nèi)存儲(chǔ)器包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)和主存儲(chǔ)器。寄存器在CPU芯片的內(nèi)部,高速緩沖存儲(chǔ)器也制作在CPU芯片內(nèi),而主存儲(chǔ)器由插在主板內(nèi)存插槽中的若干內(nèi)存條組成。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。
2019-01-07 16:54:3232579

內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器的分類與區(qū)別

內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲(chǔ)器,通常也泛稱為主存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。
2019-05-26 10:33:3238724

東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661

如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH

相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:3810522

內(nèi)存通常泛稱為主存儲(chǔ)器,它是計(jì)算機(jī)中的主要部件

內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲(chǔ)器,通常也泛稱為主存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。內(nèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一,它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。 目前國(guó)內(nèi)最弱的就是CPU和儲(chǔ)存芯片了。不過(guò)
2020-10-23 15:22:333161

NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855

STM32學(xué)習(xí)之Flash主存儲(chǔ)塊、系統(tǒng)存儲(chǔ)器和選項(xiàng)字節(jié))詳解

了一些資料,現(xiàn)將這些資料總結(jié)了一下,不想看的可以直接調(diào)到后面看怎么操作就可以了。FLASH分類根據(jù)用途,STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分:主存儲(chǔ)塊、信息塊。 主存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)程序,我們寫的程序一般...
2021-12-01 21:06:0713

不同類別存儲(chǔ)器基本原理

存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接...
2022-01-26 19:48:084

存儲(chǔ)器工作原理及如何選擇存儲(chǔ)器品牌

存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件,更通俗地說(shuō),存儲(chǔ)器就是用來(lái)存放數(shù)據(jù)的地方。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱輔存或外存)兩大類,本文將詳細(xì)為您科普存儲(chǔ)器的工作原理等知識(shí)。
2022-10-11 16:58:432637

存儲(chǔ)器迎來(lái)怎樣的2023?

存儲(chǔ)器的歷史始于1984年,彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND FlashNAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。2001年,許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637

什么是DRAM、什么是NAND Flash

存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō),有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多,按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱內(nèi)存,港臺(tái)稱之為記憶體
2023-03-30 14:18:4815284

NAND Flash 原理深度解析(上)

Nand Flash存儲(chǔ)器Flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626

NAND Flash接口簡(jiǎn)單介紹

NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556

AT32 MCU如何設(shè)定啟動(dòng)存儲(chǔ)器主存擴(kuò)展

AT32 MCU如何設(shè)定啟動(dòng)存儲(chǔ)器主存擴(kuò)展
2023-10-18 17:50:55268

NAND Flash和NOR Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

摘要:本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490

NAND Flash存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)知識(shí)

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢?

為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢? Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù),同時(shí)因?yàn)闆](méi)有
2023-10-29 16:32:58647

什么是NANDFlash 存儲(chǔ)器

Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī),肯定會(huì)考慮64GB,還是256GB?
2024-03-01 17:08:45160

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