隨著全球物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、便攜設(shè)備等應(yīng)用帶動的數(shù)據(jù)存儲市場的快速增長，存儲器產(chǎn)業(yè)迎來了全面的發(fā)展契機(jī)。中國是全球第二大經(jīng)濟(jì)體，也是最大的存儲產(chǎn)品消費市場，改變我國存儲產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口的局面，在該領(lǐng)域擁有自己的核心技術(shù)和產(chǎn)品，也符合國家的戰(zhàn)略需求。

近幾年，各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。2015年全球NAND Flash市場規(guī)模達(dá)到267億美元，預(yù)計到2020年將達(dá)到450億美元。

然而2D NAND Flash面臨發(fā)展瓶頸，接近物理極限，其單位面積存儲容量難以繼續(xù)提高，且可靠性降低，而3D NAND存儲器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑。

2D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降，而3D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將以200％的年均復(fù)合增長率遞增，預(yù)計2020年達(dá)到NAND Flash總量的70%的水平。未來3D NAND Flash產(chǎn)品將逐漸取代傳統(tǒng)的2D NAND Flash產(chǎn)品，成為NAND Flash的主流產(chǎn)品。

除了東芝和SanDisk之外，三星（Samsung）、海力士（Hynix）及美光（Micron）都已投入3D NAND Flash技術(shù)布局。3D NAND Flash每年成長將達(dá)到100%，這是一個巨大的市場機(jī)會。

在轉(zhuǎn)向3D NAND方面，實力最強(qiáng)的三星跑得最快，東芝/SanDisk、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比較慢的了，不過一旦3D NAND Flash開始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢，產(chǎn)能超過2D NAND Flash是遲早的事。

看好3D NAND Flash即將成為市場主流，2017年3D NAND Flash商機(jī)將噴發(fā)，三星、東芝、SK Hynix、美光與英特爾等大廠紛擴(kuò)大3D NAND Flash投資力道，尋求技術(shù)與產(chǎn)能進(jìn)一步突破。

為了不讓三星在3D NAND Flash技術(shù)世代搶占先機(jī)，英特爾已擬定2017年3D NAND Flash戰(zhàn)略，在制程技術(shù)與產(chǎn)能持續(xù)推進(jìn)下，預(yù)計自2017年2月起針對資料中心、專業(yè)、消費性與嵌入式市場，將發(fā)布多款3D NAND TLC新品。

3D DAND Flash相比DRAM更有助于中國存儲器戰(zhàn)略實現(xiàn)超越，DRAM生態(tài)走向寡占市場，主要被三星、海力士、美光等韓美廠占據(jù)，中國在國際市場上可以合作的技術(shù)授權(quán)方很少，另外相比NAND領(lǐng)域，DRAM存在更高的技術(shù)壁壘和大廠折舊優(yōu)勢，不利于中國實現(xiàn)彎道超車。

不同于基于微縮技術(shù)的2D NAND Flash，3D NAND Flash的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且除了三星，其他企業(yè)在3D NAND Flash布局方面走的并不遠(yuǎn)。

基于此， 中國企業(yè)通過技術(shù)合作，專利授權(quán)許可，快速切入該領(lǐng)域，避免了國際企業(yè)在傳統(tǒng)技術(shù)研發(fā)中的設(shè)備折舊優(yōu)勢，并且在這個技術(shù)變革過程中我們又有望實現(xiàn)彎道超車。

長江存儲是國家存儲器戰(zhàn)略的主要實施主體，已經(jīng)積累了十年的閃存制造經(jīng)驗和一批關(guān)鍵人才，擁有一支經(jīng)驗豐富的國際化管理團(tuán)隊，包括業(yè)界頂尖領(lǐng)軍人才和專家，并有大量的專業(yè)人才儲備，同時擁有參與全球化競爭的知識產(chǎn)權(quán)平臺，具備研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)的基礎(chǔ)。

2014年長江存儲旗下的武漢新芯和中科院微電子研究所通過產(chǎn)研深度結(jié)合的模式，發(fā)揮雙方優(yōu)勢，展開3D NAND Flash的聯(lián)合技術(shù)研發(fā)。經(jīng)過8個月的技術(shù)攻關(guān)，2015年中，武漢新芯宣布3D NAND Flash研發(fā)取得突破，具有9層結(jié)構(gòu)的存儲器芯片下線并一次性通過了存儲器功能的電學(xué)驗證。目前，武漢新芯3D NAND Flash研發(fā)正在朝著產(chǎn)品化穩(wěn)步推進(jìn)。此外，武漢新芯與已購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3D NAND Flash技術(shù)。

按長江存儲的32層 3D NAND Flash產(chǎn)品規(guī)劃，預(yù)計2018年下半年開始量產(chǎn)，2019年實現(xiàn)產(chǎn)能滿載，屆時與國際前沿技術(shù)縮短到半代的差距，而他們力爭在2020年追上世界領(lǐng)先技術(shù)。

盡管中國自主3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲旗下的武漢新芯也通過與國外廠商飛索（Spansion）的合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，但由于門檻較高，仍有很長且很艱巨的路要走，這是一個持久戰(zhàn)，我們需要有清醒的認(rèn)識和思想準(zhǔn)備。

從三星、東芝、海力士、美光的3D NAND Flash研發(fā)經(jīng)歷也可以看出，盡管他們都投入了大量資源，但仍耗費相當(dāng)長的時間才構(gòu)建完成，3D NAND Flash技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當(dāng)中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長時間打磨方可實現(xiàn)。

存儲器市場更新?lián)Q代快，優(yōu)勝劣汰競爭激烈，且極易受到上下游產(chǎn)業(yè)和宏觀經(jīng)濟(jì)的影響。從全球來看，存儲器行業(yè)總體呈向上趨勢卻始終處于周期性波動中，呈現(xiàn)出遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平均值的巨幅波動，每當(dāng)大幅獲利之時也就意味著巨額虧損已經(jīng)不遠(yuǎn)了，歷史上大起大落的走勢屢見不鮮。同時，存儲器行業(yè)也是一個產(chǎn)值巨大，需要長期巨額投入，但短期看不到回報，需要國家扶持的行業(yè)。

所以中國積極扶持現(xiàn)有存儲領(lǐng)域具備競爭力的龍頭企業(yè)，積累人才基礎(chǔ)，提高產(chǎn)業(yè)深度，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)規(guī)律認(rèn)知成為發(fā)展必須路徑。中國應(yīng)在國內(nèi)企業(yè)具備初步產(chǎn)業(yè)競爭力的同時，大力增強(qiáng)企業(yè)的管理能力和整合能力。在沒有并購可能性出現(xiàn)之前，通過市場交換或者資本手段主動尋求國際合作伙伴。

中國面臨發(fā)展存儲器的歷史性機(jī)遇，或許是最后的機(jī)遇。首先，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在向中國轉(zhuǎn)移。其次，中國消費市場巨大，有足夠的需求拉動消費。第三，存儲器行業(yè)出現(xiàn)新的增長引擎，如物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、穿戴設(shè)備等。第四，新技術(shù)的出現(xiàn)，老技術(shù)迎來拐點。最后， 國家政策對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力扶持，是中國產(chǎn)業(yè)界發(fā)展存儲器的良好契機(jī)。

希望我國自主存儲器可借助 3D Nand Flash 技術(shù)轉(zhuǎn)換機(jī)會實現(xiàn)彎道超車，填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域的空白，滿足國內(nèi)外大數(shù)據(jù)應(yīng)用和物聯(lián)網(wǎng)市場對存儲器產(chǎn)品的巨大需求。