本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管....

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互補(bǔ)金屬....

激光的原理早在 1916 年已經(jīng)由著名物理學(xué)家愛因斯坦（Albert Einstein）的受激輻射理....

在19世紀(jì)末期，消費(fèi)類產(chǎn)品包括照明、加熱、電話和電報(bào)等一些簡單的電路。但是無線電的發(fā)明和對(duì)于能夠整流....

當(dāng)光學(xué)粗糙表面被擴(kuò)展的激光束照射時(shí)，形成的圖像是斑點(diǎn)圖案（亮斑和暗斑）。噪聲對(duì)相位展開過程產(chǎn)生了災(zāi)難....

氮化鎵（GaN）基材料被稱為第三代半導(dǎo)體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見光和紫外全波段，在光電子學(xué)領(lǐng)域....

在SPICE模擬器中有幾十種標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體器件模型，例如，用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近....

PLC廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中，包括機(jī)床控制、流水線控制、機(jī)器人控制、電力系統(tǒng)控制等領(lǐng)域。PL....

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對(duì)于需要長時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層....

電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電....

巴比涅原理???，也譯作巴俾涅原理，指在點(diǎn)光源照射下，一個(gè)不透光物體產(chǎn)生的衍射圖樣和一個(gè)帶有與該物體....

在MEMS某些器件設(shè)計(jì)中，常常需要用到可調(diào)電阻，在板級(jí)電路上可以通過電位器對(duì)貼片電阻進(jìn)行調(diào)阻，但在芯....

雙頻激光干涉儀是在單頻激光干涉儀的基礎(chǔ)上發(fā)展的一種外差式干涉儀。

相對(duì)于塊體材料，膜一般為二維材料。薄膜和厚膜從字面上區(qū)分，主要是厚度。薄膜一般厚度為5nm至2.5μ....

在外加電場作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一....

人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進(jìn)行錘擊達(dá)到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣....

霍爾效應(yīng)在普通的導(dǎo)體中是線性的，即霍爾電阻和磁場強(qiáng)度成正比。但是，在一些特殊的材料中，當(dāng)磁場很強(qiáng)時(shí)，....

在電磁波譜中，近紅外光(NIR)的波長在700—1400 nm之間，只要功率密度控制在每平方厘米毫瓦....

影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，我們經(jīng)常聽到“薄膜制備技術(shù)”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是....

在半導(dǎo)體行業(yè)中，“die”，“device”，和“chip”這三個(gè)術(shù)語都可以用來指代芯片。

量子和計(jì)算，兩者聽起來似乎風(fēng)馬牛不相及，為何要“聯(lián)姻”呢？

在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。

離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑....

什么是溝道效應(yīng)？ 溝道效應(yīng)是指在晶體材料中，注入的離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預(yù)期更....

本文介紹了半導(dǎo)體研磨方法中的化學(xué)機(jī)械研磨拋光CMP技術(shù)。

眾所周知，隨著IC工藝的特征尺寸向5nm、3nm邁進(jìn)，摩爾定律已經(jīng)要走到盡頭了，那么，有什么定律能接....

我們知道，自上個(gè)世紀(jì)90年代以來，WDM波分復(fù)用技術(shù)已被用于數(shù)百甚至數(shù)千公里的長距離光纖鏈路。對(duì)大多....