直接封裝概念非常適合同時(shí)要求卓越性能、質(zhì)量、耐用性和長(zhǎng)久可靠性的汽車應(yīng)用。與此同時(shí)，IR優(yōu)化了DirectFET概念，結(jié)果造就了我們?cè)诮衲瓿跬瞥觥⑷嫫囌J(rèn)可的DirectFET2產(chǎn)品線。有關(guān)的汽車芯片由一個(gè)小外殼包圍，讓的客戶可以為其電子控制單元和功率級(jí)引入非常創(chuàng)新的設(shè)計(jì)概念。這些DirectFET2開關(guān)能夠通過(guò)不同的方法散熱，包括從器件的上方散熱，免除了組件要通過(guò)PCB，甚至利用ECU外殼兩側(cè)進(jìn)行冷卻的需要，也不用藉著在ECU設(shè)計(jì)里的其它散熱部分來(lái)降低溫度?？蛻粢蚨缮a(chǎn)專有的系統(tǒng)解決方案，從而在其它采用標(biāo)準(zhǔn)封裝零件和鍵合線的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)中脫穎而出。

圖3：汽車用DirectFET2的各種創(chuàng)新散熱方法選擇

　　IR將其無(wú)鍵合線策略伸延到所有汽車用的功率開關(guān)。其最新一代的IGBT也具備IR專有的正面金屬可焊技術(shù)，提供完全沒(méi)有鍵合線的芯片連接，也為采用IGBT和二極管的高電壓系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了雙面散熱概念。據(jù)我所知，IR是首家以裸芯片搭配正面金屬可焊技術(shù)來(lái)推出商用汽車認(rèn)可IGBT的公司，使擁有硅處理能力的客戶可以建立和設(shè)計(jì)它們自己的雙面散熱無(wú)鍵合線功率模塊或功率級(jí)。有了IR的正面金屬可焊器件，平常無(wú)法接觸專有硅技術(shù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)師，現(xiàn)在也可享受“無(wú)線汽車電源管理”的世界。

　　除了裸芯片，IR亦將提供專有的芯片載體解決方案。該方案附有正面金屬可焊IGBT，來(lái)支持那些生產(chǎn)線沒(méi)有能力處理裸芯片的客戶。最先進(jìn)的高性能IGBT是以非常纖薄的晶圓制造，厚度僅為60到70微米。這些硅晶圓既薄且具彈性，就如紙張一樣，所以必須使用極為專業(yè)的程序和昂貴的器材去處理。很多第一級(jí)和第二級(jí)的系統(tǒng)供應(yīng)商都不愿意投資這種昂貴的器材，也不想經(jīng)歷需要長(zhǎng)久學(xué)習(xí)才會(huì)熟練的纖薄芯片處理過(guò)程，更不希望要承受薄芯片處理期間非常高的良率耗損。

　　IR推出的這種貼在專有芯片載體上的新款汽車功率開關(guān)將會(huì)把上述顧慮一掃而空。我們將提供預(yù)先貼上IR大型芯片 (IGBT及MOSFET) 的標(biāo)準(zhǔn)化專有芯片載體。它們隨后會(huì)成為客戶電源模塊的一部分，比方說(shuō)，我們的DirectFET2金屬外殼變成PCB電路的一部分，并且讓每一個(gè)人都可以利用最精密的IGBT和薄芯片，而不用使用薄芯片器材。IR作為硅技術(shù)專家，將負(fù)責(zé)最困難的部分，也就是把薄芯片制成基片的制造過(guò)程，還有在裸芯片和晶圓層面的開關(guān)最后測(cè)試，都會(huì)一一解決。只要利用IR的汽車用正面金屬可焊產(chǎn)品線，即使標(biāo)準(zhǔn)的安裝機(jī)械和焊接器材也將足以應(yīng)付非常先進(jìn)的功率模塊或ECU概念。

　　對(duì)我們的客戶和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)，新器件的最大好處并不單單在電力性能上的改進(jìn)，更好的開關(guān)效能、經(jīng)過(guò)優(yōu)化的雙面散熱 (我們能夠增加最少50%的整體熱交換面積、減少35%的RthJC，以及提高大約25%的硅電流密度) ，還有簡(jiǎn)單的制造過(guò)程都是重要的優(yōu)點(diǎn)。另一個(gè)非凡的效益，將在與應(yīng)用相關(guān)的系統(tǒng)布置和應(yīng)用尺寸，以及在汽車的壽命要求層面上實(shí)現(xiàn)。當(dāng)鍵合線在相對(duì)耐用的DBC模塊中或功率周期壓力中的首個(gè)失效模式中脫離，采用IR專有正面金屬可焊技術(shù)的無(wú)鍵合線IGBT將有機(jī)會(huì)將功率周期能力延展一個(gè)量級(jí)。

圖4：在專有客戶陶瓷封裝中，鍵合線IGBT與無(wú)鍵合線雙面焊接IGBT的功率周期能效比較。